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题名大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
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作者
赵悦
杨盛玮
韩坤
刘丰满
曹立强
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机构
中国科学院大学微电子学院
中国科学院微电子研究所
长江存储科技责任有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第1期51-57,72,共8页
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文摘
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。
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关键词
大马士革工艺
天线扩散效应
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
等离子体损伤
经时击穿(TDDB)
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Keywords
Damascene process
antenna expansion effect
plasma enhance chemical vapor deposition (PECVD)
plasma induced damage
time dependent dielectric breakdown (TDDB)
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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