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题名压接型IGBT器件升温曲线测量方法
被引量：1
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作者
钟岩
张一鸣
邓二平
谢露红
黄永章
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机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
合肥工业大学电气与自动化工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第12期1014-1026,共13页
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基金
国家自然科学基金青年基金资助项目(52007061)。
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文摘
利用热网络模型和有限元仿真分析了压接型IGBT器件升降温曲线不具有等效性的原因,研究了压接型IGBT器件升温曲线的测量方法,对比了大电流通态压降(V_(CE))法和大电流阈值电压(V_(GE,th))法的测量原理,对压接型器件的适用性和测量准确度等。仿真结果表明,接触热阻在升温和降温阶段受压力的影响出现了不同的变化趋势,导致了升降温曲线的非等效性。实验结果表明,大电流V_(GE,th)法有效降低了压力对测量带来的影响,测量更为准确,测量误差基本在1 K以内,低于大电流V_(CE)法,为压接型IGBT器件进一步的多物理场耦合研究和老化监测提供了参考。此外,实验结果还表明压接型IGBT器件在升降温过程中,压力变化越大,升降温曲线的差异越明显。
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关键词
压接型IGBT器件
升降温等效性
升温曲线测量
大电流通态压降(v_(CE))法
大电流阈值电压(v_(ge
th))法
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Keywords
press pack IGBT
equivalence of heating and cooling
measurement of heating curve
on-state voltage drop(v_(CE))at high current method
threshold voltage(v_(ge,th))at high current method
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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