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大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究
1
作者
李忠辉
高欣
+2 位作者
李梅
王玲
张兴德
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期11-13,共3页
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W...
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。
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关键词
InGaAsP/InGaP/GaAs
分别限制异质结构
单
量子
阱
无铝
激光器
大功率量子阱激光器
测试
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职称材料
题名
大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究
1
作者
李忠辉
高欣
李梅
王玲
张兴德
机构
长春光学精密机械学院高功率半导体激光重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期11-13,共3页
文摘
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。
关键词
InGaAsP/InGaP/GaAs
分别限制异质结构
单
量子
阱
无铝
激光器
大功率量子阱激光器
测试
Keywords
SCH
SQW
Al-free semiconductor laser
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究
李忠辉
高欣
李梅
王玲
张兴德
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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