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大功率激光二极管阵列光束整形技术
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作者 勾志勇 王江 +3 位作者 龚赤坤 何衡湘 王磊 姜勇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z3期90-93,共4页
大功率激光二极管阵列相比于同等功率的激光器有着优越的高性能和可靠性,在军事、工业、医学、航空航天等领域有着广阔的应用前景。具体应用中,大功率激光二极管阵列的光束整形技术扮演着一个重要角色。文中提出折反光束整形系统,把线... 大功率激光二极管阵列相比于同等功率的激光器有着优越的高性能和可靠性,在军事、工业、医学、航空航天等领域有着广阔的应用前景。具体应用中,大功率激光二极管阵列的光束整形技术扮演着一个重要角色。文中提出折反光束整形系统,把线光束整形为方形或者圆形,利用此系统把20 mm 线光束整形为5mm×5mm 的方形光斑,软件模拟结果证明设计方法的正确性和可行性。 展开更多
关键词 光束整形 大功率激光二极管阵列 光参量乘积
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一种简单的大功率激光二级管阵列参量测试方法 被引量:1
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作者 赵鸿 姜东升 +3 位作者 王建军 赵海霞 周寿桓 陈国夫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期253-255,共3页
本文详细介绍了一种测试大功率激光二极管阵列用金属光导管的设计原则及测试方法 ,它具有结构简单、操作方便、精度较高等一系列优点 .
关键词 大功率激光二极管阵列 金属光导管 输出功率 发射光谱 参量测试 固体激光
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大功率半导体激光二极管阵列加速寿命试验方法 被引量:1
3
作者 王天质 仲莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期473-480,共8页
为了降低大功率半导体激光二极管阵列的寿命评估成本,提出了一种基于威布尔分布,以恒定电流作为加速应力条件的试验方法进行了试验验证。在经过筛选试验剔除不合格品后,共有三组样品在25,27和30 A的电流应力下进行加速寿命试验。样品的... 为了降低大功率半导体激光二极管阵列的寿命评估成本,提出了一种基于威布尔分布,以恒定电流作为加速应力条件的试验方法进行了试验验证。在经过筛选试验剔除不合格品后,共有三组样品在25,27和30 A的电流应力下进行加速寿命试验。样品的寿终判据为输出功率退化达到10%。对样品失效原因进行了分析,记录试验数据并绘制曲线。试验数据分别采用图估计法和数值计算法进行处理。经过对形状参数、特征寿命和平均寿命等参数的对比分析,试验结果验证了该加速寿命试验方法的有效性。 展开更多
关键词 半导体激光二极管阵列 加速寿命试验 威布尔分布 恒定电流应力 图估计法 数值计算法
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大功率二极管泵浦固体激光器的应用和发展 被引量:24
4
作者 郑权 赵岭 钱龙生 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2001年第1期6-9,共4页
从二极管泵浦固体激光器 ( DPSSL)的优势出发 ,指出了 DPSSL向大功率方向发展并在某些领域取代其他类型激光器的趋势 ;概括介绍了大功率 DPSSL的诸多应用领域和广阔的市场前景 ;并深入分析了实现大功率 DPSSL 输出的几种成功方案 ;指出... 从二极管泵浦固体激光器 ( DPSSL)的优势出发 ,指出了 DPSSL向大功率方向发展并在某些领域取代其他类型激光器的趋势 ;概括介绍了大功率 DPSSL的诸多应用领域和广阔的市场前景 ;并深入分析了实现大功率 DPSSL 输出的几种成功方案 ;指出了国内及早进行大功率 DPSSL研究的紧迫性。 展开更多
关键词 二极管泵浦 固体激光 大功率 DPSSL
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大功率二极管泵浦固体激光器 被引量:12
5
作者 刘媛 方高瞻 +1 位作者 马骁宇 肖建伟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期139-142,共4页
介绍了近几年来 ,大功率DPSSL的研究状况 ,对各种新出现的DPSSL的核心部件———二极管泵浦头的设计结构作了简要的描述 ,分析。
关键词 大功率二极管 泵浦 固体激光
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808nm高占空比大功率半导体激光器阵列 被引量:5
6
作者 李再金 胡黎明 +5 位作者 王烨 张星 王祥鹏 秦莉 刘云 王立军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1615-1618,共4页
采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低... 采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64 W(180 A),斜率效率为1.1 W/A,中心波长为805.0 nm,阈值电流为7.6 A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9 W(300 A),斜率效率为1.11 W/A,阈值电流为7.8 A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5 nm。 展开更多
关键词 半导体激光 大功率 高占空比 激光阵列
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空间高功率激光二极管泵浦源阵列的相变热控系统
7
作者 上官爱红 张昊苏 +5 位作者 曹钰 谢友金 张海洋 姜泳帆 王熹 苏盛明 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第19期2877-2888,共12页
为了实现空间高功率激光二极管泵浦源阵列的快速散热,建立了空间高功率激光二极管泵浦源阵列相变热控系统,对热控系统的热界面材料(TIM)、紫铜热沉、相变材料、相变增强材料、主动加热回路和太空辐射板进行了研究与设计。首先,介绍了激... 为了实现空间高功率激光二极管泵浦源阵列的快速散热,建立了空间高功率激光二极管泵浦源阵列相变热控系统,对热控系统的热界面材料(TIM)、紫铜热沉、相变材料、相变增强材料、主动加热回路和太空辐射板进行了研究与设计。首先,介绍了激光二极管泵浦源阵列的热特性与热控指标,从而提出热控设计思路,详细设计了热控系统,并在有无泡沫铜填空的条件下制定了两种热控方案。然后,用NX软件分析了两种不同的方案。分析结果显示:不填充泡沫铜方案的整个相变过程在800 s完成,LD上的温度最高达到59.98℃,相变材料上表面温度最高达到47.12℃;填充泡沫铜方案在200 s内完成相变过程,LD最高温度为38.35℃,并且LD在360 s后和相变温度点温度一致。填充泡沫铜方案可以满足10~40℃的温度指标要求。最后,根据填充泡沫铜方案设计加工了激光二极管泵浦源阵列热控系统,通过实验验证,该系统可以满足空间高功率激光二极管泵浦源阵列快速散热要求。 展开更多
关键词 空间高功率激光 激光二极管 泵浦源阵列 相变热控系统
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大功率激光二极管的精密恒温制冷系统 被引量:16
8
作者 陈梁 刘春霞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期249-252,共4页
介绍了一种大功率激光二极管的精密恒温制冷系统,利用半导体制冷器对大功率激光二极管进行制冷和精密温控,构成全固态制冷系统。本系统使用PC机作为控制平台,采用自整定PID算法,人机界面友好,控制精度高,温控精度可达±... 介绍了一种大功率激光二极管的精密恒温制冷系统,利用半导体制冷器对大功率激光二极管进行制冷和精密温控,构成全固态制冷系统。本系统使用PC机作为控制平台,采用自整定PID算法,人机界面友好,控制精度高,温控精度可达±0.1℃,激光二极管输出光功率波动峰峰值小于1.5‰。 展开更多
关键词 大功率 激光二极管 半导体制冷器 自整定PID算法
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大功率半导体激光器阵列 被引量:3
9
作者 谢红云 安振峰 陈国鹰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期33-36,共4页
综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构、封装技术、散热致冷技术以及发展现状;给出了当前大功率半导体激光器的研究发展方向。
关键词 大功率 激光阵列 封装 散热 发展现状 芯片结构
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基于微蒸发腔制冷的大功率激光二极管制冷组件 被引量:2
10
作者 范嗣强 潘英俊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1207-1211,共5页
利用节流的高压冷却介质在微蒸发腔内相变吸热,设计了一种用于大功率激光二极管制冷的封装组件。该组件采用高热导的无氧铜,用精密线切割、化学腐蚀等技术制作微蒸发腔,再通过自制的焊接设备完成制冷组件的封装。按照大功率激光二极管... 利用节流的高压冷却介质在微蒸发腔内相变吸热,设计了一种用于大功率激光二极管制冷的封装组件。该组件采用高热导的无氧铜,用精密线切割、化学腐蚀等技术制作微蒸发腔,再通过自制的焊接设备完成制冷组件的封装。按照大功率激光二极管条的发热模型,理论上对微蒸发腔制冷组件的温度分布进行了数值模拟,结果与60 W激光二极管条的散热实验符合较好,得到制冷剂流量为23 m L/min时的热阻为0.289℃/W。 展开更多
关键词 微蒸发腔 大功率激光二极管 热沉
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大功率激光脉冲二极管触发高增益光导开关实验研究
11
作者 王卫 刘毅 +3 位作者 谌怡 夏连胜 杨超 叶茂 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期125-129,共5页
研究了一种新型大功率激光脉冲二极管的输出特性,该激光二极管主要用于触发工作在高增益模式下的砷化镓光导开关。研制了基于射频金属-氧化物半导体场效应管的激光二极管驱动电路,可以为激光二极管提供上升沿、半高宽和峰值电流分别为4n... 研究了一种新型大功率激光脉冲二极管的输出特性,该激光二极管主要用于触发工作在高增益模式下的砷化镓光导开关。研制了基于射频金属-氧化物半导体场效应管的激光二极管驱动电路,可以为激光二极管提供上升沿、半高宽和峰值电流分别为4ns,20ns和130A的脉冲驱动电流。研究了激光二极管输出的激光脉冲波形、能量、功率、光场分布等特性,并在Blumlein传输线结构中,研究了该大功率激光脉冲二极管的输出特性对工作于高增益模式下的光导开关的导通电阻、开关抖动等主要导通性能参数的影响规律。实验结果表明,激光脉冲的能量和功率越大,光斑面积越大、分布越均匀,在相同偏置电压条件下,光导开关的导通性能越好。 展开更多
关键词 激光二极管 大功率 短脉冲 金属-氧化物半导体场效应管 光导开关
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大功率半导体激光器二维阵列光纤耦合技术
12
作者 刘秀玲 徐会武 +3 位作者 赵润 王聚波 花吉珍 陈国鹰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期113-116,共4页
介绍了大功率半导体激光器二维阵列的光纤耦合技术,其中有整形耦合法、偏振合束法和波长合束法。用光线追迹法进行了二维阵列的光纤耦合模拟,对结果进行了分析,提出了改进办法,为进一步开展二维阵列的光纤耦合工作提供了有益的借鉴。
关键词 大功率半导体激光 光纤耦合 二维阵列
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大功率半导体激光器驱动电源 被引量:20
13
作者 李季 陈结祥 +2 位作者 张毅 戚俊 涂碧海 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期30-34,共5页
根据半导体激光二极管的工作特性,设计了一种以VICOR电源为功率模块,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为大功率变换器件的大功率激光二极管驱动电源。该驱动电源电路简单,能有效地抑制电源的浪涌冲击,保证了激光二极管不受外界的电干扰。在线... 根据半导体激光二极管的工作特性,设计了一种以VICOR电源为功率模块,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为大功率变换器件的大功率激光二极管驱动电源。该驱动电源电路简单,能有效地抑制电源的浪涌冲击,保证了激光二极管不受外界的电干扰。在线保护机制可实时对半导体激光器工作监控,半导体激光器的慢启动电路、温控电路保证了半导体激光器安全工作。该电源已应用于机载激光雷达样机系统中,通过一年多的使用,半导体激光二极管工作正常,性能稳定可靠。 展开更多
关键词 大功率半导体激光 驱动电源 激光二极管电源 功率模块 IGBT 浪涌损伤 技术指标
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大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器(英文) 被引量:7
14
作者 廖永平 张宇 +6 位作者 杨成奥 黄书山 柴小力 王国伟 徐应强 倪海桥 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期672-675,共4页
通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000... 通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W. 展开更多
关键词 大功率 激光二极管 中红外 量子阱
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高功率环形激光二极管阵列重复脉冲抽运激光器中棒的瞬态温度分布 被引量:10
15
作者 张申金 欧群飞 +3 位作者 冯国英 李明中 朱海波 陈建国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期145-148,共4页
 采用光线追迹方法和有限元方法,对高功率环形激光二极管阵列(LDA)重复脉冲抽运Nd:YAG激光器中,棒的瞬态温度分布进行了详细的计算模拟,分析比较了不同抽运阶段、抽运频率及占空比的情况下棒内的瞬态温度分布。结果表明:高功率环形LDA...  采用光线追迹方法和有限元方法,对高功率环形激光二极管阵列(LDA)重复脉冲抽运Nd:YAG激光器中,棒的瞬态温度分布进行了详细的计算模拟,分析比较了不同抽运阶段、抽运频率及占空比的情况下棒内的瞬态温度分布。结果表明:高功率环形LDA重复脉冲抽运时,棒中心处温度随时间变化成锯齿形分布,棒内温度随抽运频率和占空比的增大而增大,最后温度随时间成周期性变化。 展开更多
关键词 功率环形LDA 重复脉冲抽运 热效应 温度分布 有限元法 激光二极管阵列 ND:YAG激光
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大功率半导体激光器的精密模糊PID温控系统 被引量:14
16
作者 孙丽飞 田小建 艾宝丽 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期382-386,共5页
介绍了一种大功率半导体激光器的精密模糊PID温控系统。利用半导体致冷器作为控温执行器件, 构成了全固态致冷系统,并且针对TEC的驱动特性,设计了一种高精度数字PWM功率驱动器。本系统采用AT89C52单片机,利用软件实现了在线参数自整定模... 介绍了一种大功率半导体激光器的精密模糊PID温控系统。利用半导体致冷器作为控温执行器件, 构成了全固态致冷系统,并且针对TEC的驱动特性,设计了一种高精度数字PWM功率驱动器。本系统采用AT89C52单片机,利用软件实现了在线参数自整定模糊PID控制算法以及热敏电阻的非线性补偿。试验证明, 温度控制精度可达±0.06℃。 展开更多
关键词 激光技术 大功率激光二极管 半导体致冷器 模糊 PID 温度控制
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大口径高功率激光二极管阵列端面泵浦技术研究 被引量:6
17
作者 贾伟 李明中 +3 位作者 丁磊 罗亦鸣 唐军 张小民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B04期105-107,共3页
采用大口径、高功率激光二极管阵列的大型全固化二极管泵浦激光系统能够产生高功率、大能量、高重复频率和高光束质量的激光。为了实现对介质的高效泵浦,将空心透镜导管应用于大口径高功率激光二极管阵列耦合系统。基于3维光线追迹的数... 采用大口径、高功率激光二极管阵列的大型全固化二极管泵浦激光系统能够产生高功率、大能量、高重复频率和高光束质量的激光。为了实现对介质的高效泵浦,将空心透镜导管应用于大口径高功率激光二极管阵列耦合系统。基于3维光线追迹的数值计算方法,编制了LD纵向泵浦耦合系统模拟软件,对空心透镜导管进行模拟与设计,将发光面积超过100 cm2、功率达48 kW的二极管阵列发出的泵浦光,耦合到面积仅4cm2 的Nd:YLF中,在系统耦合效率超过70%的同时,增益介质表面泵浦场具有良好的均匀性。 展开更多
关键词 激光二极管阵列 放大器 端面泵浦
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大功率半导体激光器恒温系统 被引量:6
18
作者 张洪武 张亮 +1 位作者 李坤 张云鹏 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期642-644,共3页
采用半导体制冷和风冷混合制冷的方式对大功率半导体激光器进行恒温工作控制.通过实验研究半导体激光器的工作温度保持在45℃以内,控温精度在±0.1℃的状态下稳定工作,半导体激光器输出功率达到15.28 W.
关键词 大功率半导体激光阵列 温度 散热
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大功率半导体激光器远场光分布特性 被引量:3
19
作者 曹长庆 曾晓东 +4 位作者 冯喆珺 霍雷 商继敏 朱东济 安毓英 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期68-72,共5页
对于以TM模工作的大功率半导体激光器,基于偏轴高斯光束模型,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,讨论了bar型半导体激光器的远场光分布特性,给出了bar型半导体... 对于以TM模工作的大功率半导体激光器,基于偏轴高斯光束模型,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,讨论了bar型半导体激光器的远场光分布特性,给出了bar型半导体激光器的远场光强分布模型及数值仿真结果.仿真结果表明,大功率半导体激光器的矢量光场和标量光场的光强分布有一定差异,光强误差随光波的传输距离的增加而减小,随着垂直于结方向的坐标的增大,误差也增大;bar型半导体激光器的远场光斑随着距离增加,光斑分别呈分离状、开始交叠、甚至出现平顶.该远场分布模型为定量描述bar型大功率半导体激光器的远场分布、合理设计光学整形系统以及正确评价光束质量提供了重要依据. 展开更多
关键词 大功率半导体激光 远场分布 阵列 仿真
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大功率半导体激光器全固态风冷散热系统 被引量:3
20
作者 张云鹏 套格套 +2 位作者 尧舜 陈平 王立军 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B12期114-116,共3页
设计并制作了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,双 bar 阵列输出达 27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度... 设计并制作了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,双 bar 阵列输出达 27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度±0.1 ;当环境温度达到 45 时,仍然能够保证激光阵列的正常使用。 展开更多
关键词 半导体激光阵列 大功率激光 散热系统 环境温度
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