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金刚石微波功率场效应晶体管
被引量：
1
1
作者
郁鑫鑫
周建军
+3 位作者
齐成军
曹正义
孔月婵
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第6期F0003-F0003,共1页
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经...
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。
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关键词
大功率微波器件
金刚石材料
功率
场效应晶体管
电力电子
器件
高热导率
击穿场强
机械加工
光学系统
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职称材料
在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET
2
作者
何君
《半导体情报》
1996年第3期42-44,共3页
本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２...
本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。
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关键词
MESFET
大功率微波器件
功率
密度
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职称材料
多注速调管维修方案
3
作者
郭家诚
《科学技术创新》
2018年第2期190-191,共2页
多注速调管是一种大功率微波器件,它是由单注速调管发展而来的,运用了多电子注技术。在相同功率的情况下,多注速调管和单注速调管相比,具有工作频带宽、电压低、重量轻、体积小、效率高、增益高的优势,广泛应用于雷达、粒子加速器、微...
多注速调管是一种大功率微波器件,它是由单注速调管发展而来的,运用了多电子注技术。在相同功率的情况下,多注速调管和单注速调管相比,具有工作频带宽、电压低、重量轻、体积小、效率高、增益高的优势,广泛应用于雷达、粒子加速器、微波武器、航空探测、广播电台等领域。作为这些大功率微波发射设备之中的关键性器件,它的维护与保养至关重要。本文则是针对速调管在日常使用中可能出现的一些问题,提出了几点注意事项和解决方法。
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关键词
多注速调管
大功率微波器件
维护与保养
维修方案
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职称材料
宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开
4
作者
云振新
《电子与封装》
2006年第7期43-43,共1页
宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0～6．0eV的一类半导体，如GaN、A1N、A1GaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术，具有极其...
宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0～6．0eV的一类半导体，如GaN、A1N、A1GaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术，具有极其重要的军用价值和民用价值。用宽禁带半导体制成的高温、高频、大功率微波器件，其功率密度可提高一个数量级、工作温度将提高到300％。
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关键词
宽禁带半导体
半导体技术
研究与开发
4H-SiC
大功率微波器件
欧美
6H-SIC
军用价值
禁带宽度
GaAs
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职称材料
题名
金刚石微波功率场效应晶体管
被引量：
1
1
作者
郁鑫鑫
周建军
齐成军
曹正义
孔月婵
陈堂胜
机构
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
天津电子材料研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第6期F0003-F0003,共1页
文摘
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。
关键词
大功率微波器件
金刚石材料
功率
场效应晶体管
电力电子
器件
高热导率
击穿场强
机械加工
光学系统
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET
2
作者
何君
出处
《半导体情报》
1996年第3期42-44,共3页
文摘
本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。
关键词
MESFET
大功率微波器件
功率
密度
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多注速调管维修方案
3
作者
郭家诚
机构
安徽理工大学电气与信息工程学院
出处
《科学技术创新》
2018年第2期190-191,共2页
文摘
多注速调管是一种大功率微波器件,它是由单注速调管发展而来的,运用了多电子注技术。在相同功率的情况下,多注速调管和单注速调管相比,具有工作频带宽、电压低、重量轻、体积小、效率高、增益高的优势,广泛应用于雷达、粒子加速器、微波武器、航空探测、广播电台等领域。作为这些大功率微波发射设备之中的关键性器件,它的维护与保养至关重要。本文则是针对速调管在日常使用中可能出现的一些问题,提出了几点注意事项和解决方法。
关键词
多注速调管
大功率微波器件
维护与保养
维修方案
分类号
TN122 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开
4
作者
云振新
出处
《电子与封装》
2006年第7期43-43,共1页
文摘
宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0～6．0eV的一类半导体，如GaN、A1N、A1GaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术，具有极其重要的军用价值和民用价值。用宽禁带半导体制成的高温、高频、大功率微波器件，其功率密度可提高一个数量级、工作温度将提高到300％。
关键词
宽禁带半导体
半导体技术
研究与开发
4H-SiC
大功率微波器件
欧美
6H-SIC
军用价值
禁带宽度
GaAs
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石微波功率场效应晶体管
郁鑫鑫
周建军
齐成军
曹正义
孔月婵
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
2
在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET
何君
《半导体情报》
1996
0
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下载PDF
职称材料
3
多注速调管维修方案
郭家诚
《科学技术创新》
2018
0
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职称材料
4
宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开
云振新
《电子与封装》
2006
0
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