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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
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作者 刘洪军 王琪 +2 位作者 赵杨杨 王佃利 杨勇 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第5期70-74,共5页
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并... 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。 展开更多
关键词 大功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感
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亚微米栅长的高速大功率GaInAsP/InP结型场效应晶体管
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作者 赵旭霞 《半导体情报》 1989年第5期56-57,共2页
由于激光二极管与驱动电路的单片集成能除去不希望有的谐振或限制带宽的寄生元件,所以人们对此工艺很感兴趣。在高比特率的系统中,GaInAsP/InP激光二极管被广泛用作高速光源,因此,值得研究一下用与InP晶格匹配的材料制作晶体管的可行性... 由于激光二极管与驱动电路的单片集成能除去不希望有的谐振或限制带宽的寄生元件,所以人们对此工艺很感兴趣。在高比特率的系统中,GaInAsP/InP激光二极管被广泛用作高速光源,因此,值得研究一下用与InP晶格匹配的材料制作晶体管的可行性。最近广泛地研究了InP衬底上制作的结型场效应晶体管(JFET),并采用如GaInAs那样的高电子迁移率材料以及采用短栅长(1μm)结构来改进晶体管的性能。日本富士通实验室采用液相外延生长法成功地制作出大功率、高速GaInAsP/InP JFET,在这种器件中由于采用了短栅制作工艺,所以得到的跨导较高(160mS/mm)。 展开更多
关键词 场效应晶体管 结型 大功率
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全固态发射机中大功率场效应晶体管的工作原理与使用维修
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作者 孙胜柱 《中国传媒科技》 2012年第03X期129-130,共2页
分析高频大功率场效应晶体管的工作原理、结构特点。MOSFET的存放、使用和测量方法。
关键词 大功率场效应晶体管 工作原理 存放 使用和测量
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大功率场效应管的使用技巧 被引量:1
4
作者 葛利 《黑龙江科技信息》 2011年第18期79-79,共1页
从场效应管的结构特点、频率特性、工作机理入手分析,全面阐述了全固态发射机功放电路的结构特点、工作原理以及在维修过程中应当注意的问题。特别详细介绍如何正确使用场效应管和使用技巧,以提高技术水平,加强对发射机的维护保障能力。
关键词 大功率 场效应管 特性 测量 安装 技巧
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大功率晶体管最优驱动电路研究 被引量:2
5
作者 沈忠亭 严仰光 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期60-64,共5页
大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路 ,很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时 ,比例驱动管子工作于深饱和状态 ,使功率管的损耗达... 大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路 ,很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时 ,比例驱动管子工作于深饱和状态 ,使功率管的损耗达到最小 ;另一方面在功率管关断时 ,驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入 ,在功率管的基极提供很强的基极反抽电流 ,使管子快速关断。实验表明与通常的抗饱和驱动相比 ,本方案由于功率管深度饱和 ,从而使管子的通态饱和压降降低了 0 .5 V,损耗亦降低了 63 .4W;另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍 ,存储时间增加仅 0 .1 μs。 展开更多
关键词 大功率晶体管 驱动电路 饱和压降 存储时间 电路设计
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微波大功率晶体管基极镇流方法研究 被引量:1
6
作者 郭本青 张庆中 李玉龙 《电子器件》 CAS 2004年第4期599-602,共4页
长期以来 ,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻 ,以及 PTC,CTR热敏电阻等无源器件。区别于前者 ,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案 ,采用传感器探测结温 ,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间... 长期以来 ,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻 ,以及 PTC,CTR热敏电阻等无源器件。区别于前者 ,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案 ,采用传感器探测结温 ,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流 MOS管 ,来完成微波功率晶体管的过温保护 ,和常温解除功能 ,最终实现对功率器件的实时有效保护 ,使器件同时具备更高的可靠性 。 展开更多
关键词 微波大功率晶体管 电流集中 可靠性 施密特触发器
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金刚石微波功率场效应晶体管 被引量:1
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作者 郁鑫鑫 周建军 +3 位作者 齐成军 曹正义 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期F0003-F0003,共1页
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值,金刚石材料已经... 金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值,金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。 展开更多
关键词 大功率微波器件 金刚石材料 功率场效应晶体管 电力电子器件 高热导率 击穿场强 机械加工 光学系统
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大功率晶体管BUX10的退化试验与特性分析 被引量:3
8
作者 周建洪 杜磊 《现代电子技术》 2012年第24期153-154,158,共3页
大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过... 大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过比较各拟合轨迹的拟合优度,选取拟合最优的退化模型推算出伪失效寿命,然后利用退化试验数据的可靠性分析方法得到产品相应的可靠性信息。 展开更多
关键词 大功率晶体管 参数退化 退化数据 可靠性评估
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G3DD164DW型NPN硅低频大功率晶体管低温特性研究 被引量:1
9
作者 冯秀清 《辽宁工学院学报》 2002年第1期24-26,共3页
就晶体管的直流增益 h F E在 - 5
关键词 低频大功率晶体管 晶体管 掺杂浓度 低温特性 直流增益
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大功率场效应管在电火花加工装置中的应用探讨
10
作者 郭彩芬 《辽宁工学院学报》 1996年第2期36-38,共3页
阐述大功率场效应管的性能,进而论述了其在电火花加工装置中的应用问题,结果表明,使用这种效应管可以提高电加工的控制速度和进给精度。
关键词 大功率场效应管 加工精度 电火花加工装置
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大功率晶体管(GTR)工艺的计算机模拟
11
作者 高勇 高彦明 陈治明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期37-39,共3页
针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺,对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管(GTR)的三重扩散工艺进行了模拟,结果与实验吻合很好。此外,在模拟中将离子注入引入GTR工艺,对改进GTR工艺具有一... 针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺,对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管(GTR)的三重扩散工艺进行了模拟,结果与实验吻合很好。此外,在模拟中将离子注入引入GTR工艺,对改进GTR工艺具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 大功率晶体管 工艺 模拟 杂质分析 GTR
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超大功率L波段脉冲功率晶体管
12
作者 王因生 王志楠 +3 位作者 林川 王伯利 康小虎 张树丹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期197-197,共1页
超大功率L波段脉冲功率晶体管王因生,王志楠,林川,王伯利,康小虎,张树丹(南京电子器件研究所,210016)中图分类号:TN323.4SuperHighPowerL-BandSiliconBipolarPulsedT... 超大功率L波段脉冲功率晶体管王因生,王志楠,林川,王伯利,康小虎,张树丹(南京电子器件研究所,210016)中图分类号:TN323.4SuperHighPowerL-BandSiliconBipolarPulsedTransistor¥WangYin... 展开更多
关键词 脉冲功率晶体管 L波段 大功率
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巧识晶体管、场效应管电路符号的意义 被引量:1
13
作者 李家旺 《楚雄师范学院学报》 2005年第3期129-132,共4页
本文通过研究晶体管、场效应管电路符号,揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义。并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符... 本文通过研究晶体管、场效应管电路符号,揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义。并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符号。期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助。 展开更多
关键词 场效应管 电路符号 晶体管 符号表示 理论知识 学生
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大功率MOS场效应管新产品:标准和MegaMOS^TM FET—N沟增强型
14
作者 孙桂莲 朱兆宗 《电子科技杂志》 1991年第3期63-63,51,共2页
关键词 MOS 场效应晶体管 大功率
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大功率晶体管GTR驱动电路的设计 被引量:1
15
作者 刘江桁 赵秀菊 屈冀萍 《电子技术应用》 北大核心 1997年第6期62-63,共2页
介绍了大功率开关晶体管GTR基极驱动电路的设计,分析了基极驱动电路的要求及其设计方法,并给出一种实用的驱动电路。
关键词 GTR 基极驱动电路 设计 大功率晶体管
全文增补中
双极大功率晶体管背面工艺优化 被引量:1
16
作者 霍彩红 潘宏菽 +1 位作者 刘相伍 程春红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期605-608,632,共5页
针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的... 针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。 展开更多
关键词 双极大功率晶体管 背面减薄工艺 背面金属化前清洗工艺 BC正向压降 非均匀性
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单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析
17
作者 郭靖 蒋建飞 蔡琪玉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期161-168,共8页
基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管... 基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性.提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声.模拟结果表明,新结构的系统性能,特别是抗噪声性能有一定提高. 展开更多
关键词 单电子晶体管 混合存储单元 场效应管 数值分析
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LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制
18
作者 王继春 谢嘉慧 +2 位作者 卞岩 李学信 程尧海 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期30-32,26,共4页
LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管研制成功,其双结反向击穿电压BV_(ceo)≥800V,耗散功率P_D=20W,特征频率f_T≥25MHz,达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点、设计思... LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管研制成功,其双结反向击穿电压BV_(ceo)≥800V,耗散功率P_D=20W,特征频率f_T≥25MHz,达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点、设计思路及推广应用前景。 展开更多
关键词 PNP 晶体管 大功率 晶体管 研制
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大功率晶体管模块易损的主要原因及解决途径
19
作者 谢俊杰 《电子技术应用》 北大核心 1994年第6期44-45,共2页
分析大功率晶体管模块(GTR)易损的主要原因,讨论解决该问题的途径,并给出快速开关电路的实验结果.
关键词 大功率 晶体管 GTR
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硅PNP型大功率达林顿晶体管 被引量:1
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作者 裴军胜 《现代电子技术》 2006年第17期147-148,共2页
达林顿晶体管增益大、可靠性高,尤其在大功率应用中更加简便。介绍了20 A硅PNP达林顿晶体管的设计思路、芯片的内部结构、工艺流程和工艺参数,同时列出了制造的产品的电性能测试结果。
关键词 达林顿晶体管 PNP 大功率 工艺流程
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