大功率半导体激光器驱动电源 被引量：20

1

作者 李季 陈结祥 +2 位作者 张毅 戚俊 涂碧海 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期30-34,共5页

根据半导体激光二极管的工作特性,设计了一种以VICOR电源为功率模块,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为大功率变换器件的大功率激光二极管驱动电源。该驱动电源电路简单,能有效地抑制电源的浪涌冲击,保证了激光二极管不受外界的电干扰。在线... 根据半导体激光二极管的工作特性,设计了一种以VICOR电源为功率模块,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为大功率变换器件的大功率激光二极管驱动电源。该驱动电源电路简单,能有效地抑制电源的浪涌冲击,保证了激光二极管不受外界的电干扰。在线保护机制可实时对半导体激光器工作监控,半导体激光器的慢启动电路、温控电路保证了半导体激光器安全工作。该电源已应用于机载激光雷达样机系统中,通过一年多的使用,半导体激光二极管工作正常,性能稳定可靠。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 驱动电源 激光二极管电源 功率模块 IGBT 浪涌损伤 技术指标

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国内大功率半导体激光器研究及应用现状 被引量：74

2

作者 马骁宇 王俊 刘素平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期189-194,共6页

近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主... 近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 外延片结构 光学膜 封装 光束整形与耦合

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大功率半导体激光器的可靠性研究 被引量：7

3

作者 曹玉莲 王乐 +3 位作者 廖新胜 程东明 刘云 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期100-102,共3页

对InGaAs/AlGaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的 915nm和无铝的 80 8nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半导体激光器进行了老化实验。在老化前通过综合参数测试仪测试两种激光器的斜率效率、阈值电流 ,发现有腔面膜的激光器比无腔面膜的激光器的... 对InGaAs/AlGaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的 915nm和无铝的 80 8nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半导体激光器进行了老化实验。在老化前通过综合参数测试仪测试两种激光器的斜率效率、阈值电流 ,发现有腔面膜的激光器比无腔面膜的激光器的阈值电流降低 2 5 %以上。在 1 2倍阈值电流下 ,恒流老化 40h左右 ,老化后再分别测试它们的阈值电流、功率参数 ,我们发现在老化后未镀膜的激光器的阈值电流和镀有腔面膜的激光器相比增加 2 5mA以上 ,输出功率也比镀过腔面膜的减小到了原来的 1/ 2 ,可见腔面保护对于延长激光器的寿命是很重要的。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 可靠性 腔面膜 老化实验

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808nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术 被引量：6

4

作者 冯广智 顾媛媛 +6 位作者 单肖楠 王祥鹏 尹红贺 邓鑫李 秦莉 刘云 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期695-700,共6页

随着半导体激光器在工业、军事、核能等领域的应用越来越多,单个迭阵输出的光功率密度已经不能满足实际的需求,这就需要将多个半导体激光迭阵的光束耦合成为一个共同的光束,以提高输出功率和亮度。所以采用怎样的光束耦合技术能实现高... 随着半导体激光器在工业、军事、核能等领域的应用越来越多,单个迭阵输出的光功率密度已经不能满足实际的需求,这就需要将多个半导体激光迭阵的光束耦合成为一个共同的光束,以提高输出功率和亮度。所以采用怎样的光束耦合技术能实现高亮度、高质量的激光输出就成了一个关键性的问题。对于该技术的研究,国内还没有实验方面的报道。主要介绍了大功率半导体激光器偏振耦合原理、实验的技术路线,以及对808 nm半导体激光迭阵进行耦合实验的结果及分析。对2个bar、功率为40 W/bar的808 nm连续半导体激光迭阵,实现偏振耦合的总效率超过90%,聚焦得直径为3 mm光斑,输出功率达到134 W,总体效率超过84%。对7个bar、峰值功率100 W/ba、r占空比20%的808 nm准连续半导体激光迭阵进行了偏振耦合,其效率达到67%,得到4.5 mm×4.5 mm的光斑。 展开更多

关键词 808nm 大功率半导体激光 偏振耦合 光束耦合

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大功率半导体激光焊接2024和7075的试验研究 被引量：8

5

作者 李娜 王智勇 +2 位作者 苏国强 鲍勇 左铁钏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期326-328,共3页

采用自主研制的1 000W半导体激光器,对2024和7075铝合金薄板进行了焊接。论文分析了不同工艺参数对于铝合金焊缝宏观成型和微观组织的影响。2024铝合金焊缝的沉淀析出物尺寸明显变小。试验研究表明焊接过程比较稳定,焊缝成型良好,得出... 采用自主研制的1 000W半导体激光器,对2024和7075铝合金薄板进行了焊接。论文分析了不同工艺参数对于铝合金焊缝宏观成型和微观组织的影响。2024铝合金焊缝的沉淀析出物尺寸明显变小。试验研究表明焊接过程比较稳定,焊缝成型良好,得出大功率半导体激光器适合于薄铝板的焊接。 展开更多

关键词 大功率半导体体激光器 焊接 铝合金

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大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究 被引量：6

6

作者 何新 崔碧峰 +3 位作者 刘梦涵 李莎 孔真真 黄欣竹 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期805-808,共4页

针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退... 针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退化严重;使用俄歇谱测试仪(AES)对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试,发现有部分的氮离子遗留在腔面处;氮元素含量由原有的0%上升到20%,与此同时,氧元素的含量由原来的61%降至30%。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。 展开更多

关键词 激光器 大功率半导体激光器 腔面钝化 离子铣 灾变性光学损伤(COD)

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大功率半导体激光器远场特性研究 被引量：9

7

作者 李丽娜 吴金辉 宋俊峰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期95-97,共3页

由于半导体激光器输出光束的不对称性 ,使得它在许多应用过程中必须采用特殊的光学系统进行光束整形。在设计光学系统的光学元件及进行光学耦合时需要了解激光器的远场特性。通过用量子阱激光器的解理面上的边界条件解亥姆霍兹方程 ,获... 由于半导体激光器输出光束的不对称性 ,使得它在许多应用过程中必须采用特殊的光学系统进行光束整形。在设计光学系统的光学元件及进行光学耦合时需要了解激光器的远场特性。通过用量子阱激光器的解理面上的边界条件解亥姆霍兹方程 ,获得关于远场强度分布、光束散角 ,并用计算机给出各种理论曲线及数据。用自行设计制作的测试装置测量 ,获得激光器的远场分布曲线给出了测试数据。计算机给出的理论远场分布曲线与实验测试获得的远场分布曲线完全一致。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 光束质量 远场特性 不对称性 光学系统设计 光束整形 量子阱激光器 亥姆霍兹方程 光束散角

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大功率半导体激光器恒温系统 被引量：6

8

作者 张洪武 张亮 +1 位作者 李坤 张云鹏 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期642-644,共3页

采用半导体制冷和风冷混合制冷的方式对大功率半导体激光器进行恒温工作控制.通过实验研究半导体激光器的工作温度保持在45℃以内,控温精度在±0.1℃的状态下稳定工作,半导体激光器输出功率达到15.28 W.

关键词 大功率半导体激光阵列 温度 散热

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大功率半导体激光器远场光分布特性 被引量：3

9

作者 曹长庆 曾晓东 +4 位作者 冯喆珺 霍雷 商继敏 朱东济 安毓英 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期68-72,共5页

对于以TM模工作的大功率半导体激光器,基于偏轴高斯光束模型,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,讨论了bar型半导体激光器的远场光分布特性,给出了bar型半导体... 对于以TM模工作的大功率半导体激光器,基于偏轴高斯光束模型,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,讨论了bar型半导体激光器的远场光分布特性,给出了bar型半导体激光器的远场光强分布模型及数值仿真结果.仿真结果表明,大功率半导体激光器的矢量光场和标量光场的光强分布有一定差异,光强误差随光波的传输距离的增加而减小,随着垂直于结方向的坐标的增大,误差也增大;bar型半导体激光器的远场光斑随着距离增加,光斑分别呈分离状、开始交叠、甚至出现平顶.该远场分布模型为定量描述bar型大功率半导体激光器的远场分布、合理设计光学整形系统以及正确评价光束质量提供了重要依据. 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 远场分布 阵列 仿真

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大功率半导体激光相变硬化U74钢轨的实验研究 被引量：4

10

作者 王智勇 苏国强 +1 位作者 张辉 左铁钏 《铁道科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期63-67,共5页

使用自主研制的新型高光束质量大功率半导体激光器对U74钢轨进行相变硬化，并对硬化结果进行分析。分析结果表明，经过半导体激光处理后的表面区域晶粒结构明显细化，硬化层硬度HV10/20可以达到800～900，比基体硬度提高3～4倍，沿半导... 使用自主研制的新型高光束质量大功率半导体激光器对U74钢轨进行相变硬化，并对硬化结果进行分析。分析结果表明，经过半导体激光处理后的表面区域晶粒结构明显细化，硬化层硬度HV10/20可以达到800～900，比基体硬度提高3～4倍，沿半导体激光器光斑的不同轴向扫描对硬化层有很大影响，沿慢轴方向扫描得到的硬化层深度要远高于快轴方向的硬化层深度，硬度沿深度方向在过渡区附近迅速下降至基体硬度。实验表明，慢轴方向的相变硬化效率约为快轴方向的4倍。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器(HPDL) 相变硬化 U74钢轨

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大功率半导体线激光图像处理方法研究 被引量：2

11

作者 冯煦 张瑞瑛 +1 位作者 周萍 李松 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期624-627,共4页

为了研究适于大功率半导体线激光断面检测系统的图像分割方法,采用几种阈值分割算法对所采集的激光光刀图像进行了处理及分析。通过在室外晴好天气下搭建平台,模拟出线激光投射大视场物体的情形,并用CMOS相机采集一系列图片。针对采集... 为了研究适于大功率半导体线激光断面检测系统的图像分割方法,采用几种阈值分割算法对所采集的激光光刀图像进行了处理及分析。通过在室外晴好天气下搭建平台,模拟出线激光投射大视场物体的情形,并用CMOS相机采集一系列图片。针对采集图片用3种不同算法对光刀进行阈值分割,用灰度重心法提取光刀中心位置,并对各算法的优劣进行了比较分析。结果表明,局部最大类间方差法为最佳算法,且在综合考虑信噪比、待测物体特性和线激光自身特性等因素之后,提出该算法在大功率半导体线激光系统下具有一定适用条件。 展开更多

关键词 图像处理 最大类间方差法 阈值分割 大功率半导体线激光

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大功率半导体激光器的远场分布特性 被引量：3

12

作者 商继敏 曾晓东 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1088-1091,共4页

对于以TM模工作的大功率半导体激光器,利用矢量瑞利衍射积分公式,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,并与标量非傍轴理论进行了比较.结论表明,大功率半导体激光... 对于以TM模工作的大功率半导体激光器,利用矢量瑞利衍射积分公式,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,并与标量非傍轴理论进行了比较.结论表明,大功率半导体激光器的矢量光场和标量光场的光强分布和远场发散角都有一定差异,光强误差随光波的传输距离的增加而减小,随着垂直于结平面方向坐标的增大,误差也增大;发散角误差与波导结构参数有关. 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 瑞利-索末菲衍射 远场光强分布 发散角

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大功率半导体激光器发散角测量技术研究 被引量：1

13

作者 王玉田 张锐 +1 位作者 沈晓华 张贵军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期62-64,共3页

研究利用一种步进电机和光电转换装置组成的测试系统测量大功率半导体激光器发散角的方法。根据使用要求选择合适的探测元件，设计了测试系统。以波长950 nm，阈值电流200 mA，功率为900 mW的大功率半导体激光器为实验对象，结果显示，... 研究利用一种步进电机和光电转换装置组成的测试系统测量大功率半导体激光器发散角的方法。根据使用要求选择合适的探测元件，设计了测试系统。以波长950 nm，阈值电流200 mA，功率为900 mW的大功率半导体激光器为实验对象，结果显示，发散角测试精度可达到0.1°。在860-1 064 nm波长范围内多次实验，验证了该方法具有的实用精度要求。分析了发散角测量的影响因素。 展开更多

关键词 发散角测量 大功率半导体激光器 探测器 误差

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大功率半导体激光熔覆高速钢研究 被引量：10

14

作者 杨永强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期251-254,共4页

使用2kW半导体激光在工具钢表面熔覆高速钢粉末。在同轴送粉的粉末汇聚点与激光的聚焦点可获得无裂纹的熔覆层。随着激光功率的增加,熔覆层厚度和粉末利用率增加,同时基体对熔覆层的稀释率下降。获得的熔覆层的硬度达到800Hv0.3,基体硬... 使用2kW半导体激光在工具钢表面熔覆高速钢粉末。在同轴送粉的粉末汇聚点与激光的聚焦点可获得无裂纹的熔覆层。随着激光功率的增加,熔覆层厚度和粉末利用率增加,同时基体对熔覆层的稀释率下降。获得的熔覆层的硬度达到800Hv0.3,基体硬度200Hv0.3,表明大功率半导体激光在表面熔覆领域具有很好的应用前景。 展开更多

关键词 大功率半导体激光 熔覆 高速钢

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大功率半导体激光医疗机技术及应用展望 被引量：2

15

作者 王亚雷 孙培懋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期263-266,共4页

文中系统地介绍了大功率半导体激光医疗机的技术特点和应用前景，着重分析了国外产品的特点，大功率半导体激光医疗机与其他目前常用的大功率激光医疗机的优劣，比较了波长为810nm与波长为980nm的半导体激光机的性能，最后阐述了大功率... 文中系统地介绍了大功率半导体激光医疗机的技术特点和应用前景，着重分析了国外产品的特点，大功率半导体激光医疗机与其他目前常用的大功率激光医疗机的优劣，比较了波长为810nm与波长为980nm的半导体激光机的性能，最后阐述了大功率半导体激光医疗机的技术要点。 展开更多

关键词 大功率半导体 激光医疗机 半导体激光机

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60Si2Mn钢的大功率半导体激光器表面硬化实验研究

16

作者 闫岸如 辛立军 +1 位作者 李亚杰 王智勇 《电加工与模具》 2013年第5期37-39,53,共4页

论述了大功率半导体激光器在钢表面硬化技术中的应用。与C02激光器相比，其波长更短，易被金属吸收，且加工过程稳定。采用自主研制的大功率半导体激光器对60Si2Mn线轧钢进行激光表面硬化处理．研究了沿不同加工方向硬化区的宏观形貌及... 论述了大功率半导体激光器在钢表面硬化技术中的应用。与C02激光器相比，其波长更短，易被金属吸收，且加工过程稳定。采用自主研制的大功率半导体激光器对60Si2Mn线轧钢进行激光表面硬化处理．研究了沿不同加工方向硬化区的宏观形貌及相变层的组织、硬度特征。结果表明，60Si2Mn钢表面硬化层分为相变硬化层、过渡层和受热影响的基体组织，硬化层的显微组织明显细化，其表面硬度高达773—995HV，比基体组织的硬度提高了120％。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 激光相变硬化 显微组织 硬度

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电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析（英文） 被引量：6

17

作者 刘启坤 孔金霞 +3 位作者 朱凌妮 熊聪 刘素平 马骁宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期180-187,共8页

利用电致发光(EL)的方法,研究了突然失效的975 nm大功率应变量子阱激光器。起初,我们以为激光器失效是由于腔面发生了突然光学灾变(COMD)。然而,通过EL实验,发现其中一部分激光器腔面没有任何损伤,而内部发生了突然光学灾变(COBD),为工... 利用电致发光(EL)的方法,研究了突然失效的975 nm大功率应变量子阱激光器。起初,我们以为激光器失效是由于腔面发生了突然光学灾变(COMD)。然而,通过EL实验,发现其中一部分激光器腔面没有任何损伤,而内部发生了突然光学灾变(COBD),为工艺的进一步改善指明了方向。对90只发生COD的激光器进行EL成像,发现暗线缺陷(DLD)起始于腔面或是激光器内部。DLD是严重的非辐射复合区,通常沿着有源区延伸出几个分支,造成激光器功率急剧下降。详细分析了不同COD模式的特征并进行了对比。并进一步分析了两种典型COD模式发生的原因,然后给出了抑制COD和提高大功率半导体激光器性能的建议。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 失效模式分析 电致发光 突然光学灾变 暗线缺陷

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2μm GaSb基大功率半导体激光器研究进展 被引量：7

18

作者 谢圣文 杨成奥 +8 位作者 黄书山 袁野 邵福会 张一 尚金铭 张宇 徐应强 倪海桥 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期14-22,共9页

2μm波段GaSb基大功率激光器在诸多领域具有广阔的应用前景,如气体探测、医疗美容、激光加工等。基于功率提升,综述和讨论了2μm波段GaSb基激光器结构的发展过程,介绍了目前国内外的研究状况,讨论和分析了GaSb基激光器提升功率、效率的... 2μm波段GaSb基大功率激光器在诸多领域具有广阔的应用前景,如气体探测、医疗美容、激光加工等。基于功率提升,综述和讨论了2μm波段GaSb基激光器结构的发展过程,介绍了目前国内外的研究状况,讨论和分析了GaSb基激光器提升功率、效率的主要技术问题。并详细介绍了该领域近年来在传统激光器中引入的两种新结构,分析了其技术优势。指出目前2μm波段GaSb基大功率激光器面临瓶颈,并讨论了其发展趋势。 展开更多

关键词 大功率半导体激光 2μm GaSb基

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GaAs基大功率半导体激光器的研究进展 被引量：2

19

作者 张旭 董海亮 +3 位作者 贾志刚 张爱琴 梁建 许并社 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期9-15,共7页

经半个多世纪的发展,半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势,在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其... 经半个多世纪的发展,半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势,在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题,如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。输出功率、电光转换效率、光束质量、寿命和可靠性是衡量半导体激光器性能最重要的参数。电光转换效率直接影响器件的输出功率,转换效率低产生的热量更多,导致器件工作温度升高,使得器件的稳定性变差,严重影响器件的寿命和可靠性。近年来,随着GaAs基大功率半导体激光器外延生长技术的提高、器件结构设计的理论水平提高以及封装技术的提升,激光器的输出功率和电光转换效率均得到了大幅提高。从2007年到2017年,边发射激光器的单管输出功率已由14.7 W提高至33 W,而光抽运面发射器件在2018年单管输出功率高达72 W。2020年单管器件的电光转换效率已高达74.6%。随着高效冷却技术的发展,半导体激光器的寿命已达百万小时以上。本文主要介绍了GaAs基半导体激光器近年来的发展状况,综述了外延结构、输出功率、电光转换效率、光束质量、寿命和可靠性等方面的发展现状,探讨了影响输出功率的各种因素及目前的解决方法,展望了半导体激光器未来的发展趋势。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 砷化镓(GaAs) 输出功率 电光转换效率 光束质量 寿命与可靠性

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封装对大功率半导体激光器阵列热应力及Smile的影响 被引量：7

20

作者 陈天奇 张普 +2 位作者 彭勃 张宏友 吴的海 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期123-133,共11页

提出一种采用双铜-金刚石的"三明治"封装结构,利用有限元分析方法研究了其与传统的Cu+Cu W硬焊料封装结构激光器的热应力与Smile.对比模拟结果发现新封装结构热应力降低43.8%,Smile值增加95%.在次热沉热膨胀系数与芯片材料匹... 提出一种采用双铜-金刚石的"三明治"封装结构,利用有限元分析方法研究了其与传统的Cu+Cu W硬焊料封装结构激光器的热应力与Smile.对比模拟结果发现新封装结构热应力降低43.8%,Smile值增加95%.在次热沉热膨胀系数与芯片材料匹配的情况下,使用弹性模量更大的次热沉材料,可对芯片层热应力起到更好的缓冲作用.以硬焊料封装结构为例,分析了负极和次热沉厚度对器件Smile的影响.结果表明负极片厚度从50μm增加到300μm,器件工作结温降低2.26℃,Smile减小0.027μm,芯片的热应力增加22.95 MPa.当次热沉与热沉的厚度比小于29%时,Smile随次热沉厚度增加而增加;而当次热沉厚度超过临界点后,Smile随次热沉厚度增加而减小.当次热沉厚度达到临界点(2300μm)时,硬焊料封装的半导体激光器具有最大的Smile值3.876μm.制备了Cu W厚度分别为300μm和400μm的硬焊料封装976 nm激光器,并测量了其发光光谱.通过对比峰值波长漂移量,发现Cu W厚度增加了100μm,波长红移增加了1.25 nm,根据温度和应力对波长的影响率可知应力减小了18.05 MPa.测得两组器件的平均Smile值分别为0.904μm和1.292μm.实验证明增加Cu W厚度可减小芯片所受应力,增大Smile值. 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 封装 有限元分析 热应力 SMILE

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