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多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计 被引量:1
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作者 王科 刘振安 +1 位作者 王铮 李道武 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期589-591,617,共4页
多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益... 多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益调整、滤波成形等模块。经过测试,功耗为66 mW;增益为62.2 mV/pC,输入动态范围13 pC,线性度1.5%,信噪比9,指标达到设计要求。 展开更多
关键词 多阳极光电倍增管 调整型共源共栅 多通道 前置放大器
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多阳极光电倍增管读出ASIC设计 被引量:2
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作者 肖腾飞 张研 +3 位作者 王庆娟 吴文欢 王铮 赵京伟 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1003-1006,共4页
主要介绍了针对多阳极光电倍增管读出ASIC设计,该设计主要应用于散裂中子源中子谱仪中的高通量粉末衍射仪的读出电子学系统中[1]。设计采用了Chartered 0.35μm CMOS工艺,整个芯片集成了32通道,每个通道包含前置放大器、积分电路以及比... 主要介绍了针对多阳极光电倍增管读出ASIC设计,该设计主要应用于散裂中子源中子谱仪中的高通量粉末衍射仪的读出电子学系统中[1]。设计采用了Chartered 0.35μm CMOS工艺,整个芯片集成了32通道,每个通道包含前置放大器、积分电路以及比较器等部分,分别实现快速放大、积分、甄别和整形输出等功能。要求前放增益可调,能够准确分辨出中子和γ信号。 展开更多
关键词 多阳极光电倍增管 专用集成电路 中子鉴别 电压灵敏前放 截止CMOS管反馈
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用于阵列探测器的多阳极光电倍增管特性研究 被引量:2
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作者 许荔柏 李元景 +1 位作者 李玉兰 王少峰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期327-330,共4页
测量了两种新型低串扰的可以作为阵列闪烁晶体读出器件的 H5 90 0系列多阳极光电倍增管(MAPMT)的特性。 PMT采用金属通道倍增极结构 ,使其结构紧凑 ,H6 5 6 8和 H6 5 6 8- 10的外形尺寸均为 30 mm× 30 mm× 4 5 mm,只是高压的... 测量了两种新型低串扰的可以作为阵列闪烁晶体读出器件的 H5 90 0系列多阳极光电倍增管(MAPMT)的特性。 PMT采用金属通道倍增极结构 ,使其结构紧凑 ,H6 5 6 8和 H6 5 6 8- 10的外形尺寸均为 30 mm× 30 mm× 4 5 mm,只是高压的分压电路不同。测量了它们的增益、单光电子响应、线性范围、一致性、串扰。这种低串扰的特性 ,非常适合作为阵列探测器的光电转换器件。 展开更多
关键词 阵列探测器 特性 光电读出器件 多阳极光电倍增管 结构
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散裂中子源通用粉末衍射谱仪读出ASIC设计 被引量:1
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作者 肖腾飞 张研 +2 位作者 王庆娟 刘湘 王炜 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1169-1174,共6页
介绍了一款针对散裂中子源通用粉末衍射谱仪的读出电子学系统[1]所设计的ASIC芯片MPR2。该芯片包含模拟和数字两个部分。模拟部分集成了64通道,是对针对MAPMT设计的芯片MAPMTROC[2]的升级。每个通道包含基于电流传输器的前置放大器、RC... 介绍了一款针对散裂中子源通用粉末衍射谱仪的读出电子学系统[1]所设计的ASIC芯片MPR2。该芯片包含模拟和数字两个部分。模拟部分集成了64通道,是对针对MAPMT设计的芯片MAPMTROC[2]的升级。每个通道包含基于电流传输器的前置放大器、RC积分电路、CR-RC积分成形电路以及比较器等部分,分别实现增益调节、积分、积分成形和甄别输出等功能。数字部分将模拟输出的甄别结果进行并串转化后输出。要求芯片能够有效地甄别中子和γ信号,并给出中子信号的时间和位置信息。 展开更多
关键词 多阳极光电倍增管 ASIC 中子鉴别 电流传输器
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