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GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件 被引量:2
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作者 吴荣汉 高文智 +5 位作者 赵军 段海龙 林世鸣 钟战天 黄永箴 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第5期388-392,共5页
采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制... 采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB。所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm) ̄2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。 展开更多
关键词 多量子 调制器 SEED 砷化镓
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GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器电学行为
2
作者 周洁 封松林 +1 位作者 卢励吾 孙景兰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期65-68,共4页
利用导纳谱研究了GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器的电学行为,观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”
关键词 量子 导纳谱 子能带 调制器
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器 被引量:1
3
作者 司伟民 李德杰 +2 位作者 王健华 彭吉虎 张克潜 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1992年第4期55-64,共10页
利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中... 利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。 展开更多
关键词 半导体 量子 调制器
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InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器
4
作者 金峰 孙可 +5 位作者 俞谦 王健华 李德杰 蔡丽红 黄绮 周钧铭 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第6期24-26,共3页
在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As/In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器,并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比,光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原... 在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As/In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器,并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比,光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析,结果表明器件电容限制了带宽的提高,这主要是由于SiO2刻蚀液的钻蚀导致SiO2绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作带宽。 展开更多
关键词 调制器 电吸收 多量子 INGAAS/INALAS
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基于软件预处理的空间光调制器驱动电路研制
5
作者 吴兰 余宁梅 张耀辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期590-593,共4页
研制了一套基于软件预处理的多量子阱空间光调制器驱动电路。针对不同的多量子阱空间光调制器,软件预处理单元根据其反射特性,拟合出它的反射谱线。根据反射谱线产生相应的光电转换控制信号,增强了该驱动电路的通用性,降低了驱动电路的... 研制了一套基于软件预处理的多量子阱空间光调制器驱动电路。针对不同的多量子阱空间光调制器,软件预处理单元根据其反射特性,拟合出它的反射谱线。根据反射谱线产生相应的光电转换控制信号,增强了该驱动电路的通用性,降低了驱动电路的复杂性。改进一次扫描的方式,采用先粗扫再细扫的二次扫描方式,在保证扫描速度及分辨率的同时,有效降低了单元像素驱动电路的面积。SPICE仿真结果和芯片测试结果均证明,驱动电路芯片工作良好,驱动电压输出摆幅为0~VDD。驱动电压分辨率可达256级。总之,所设计的驱动电路满足空间光调制器的需求。 展开更多
关键词 软件预处理单元 通用驱动 多量子阱空间光调制器 调制灰度
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低噪声空间光调制器电流开关网络结构的研究
6
作者 吴兰 余宁梅 张耀辉 《西安理工大学学报》 CAS 2008年第4期446-450,共5页
提出了一种基于开关电容积分电路、用于多量子阱空间光调制器驱动电路的电流开关网络结构。通过改变开关网络结构及调整开关尺寸,在保持开关电容电路结构简单、功耗低等优点的同时,克服了MOS管开关非理想特性带来的开关噪声,提高了输出... 提出了一种基于开关电容积分电路、用于多量子阱空间光调制器驱动电路的电流开关网络结构。通过改变开关网络结构及调整开关尺寸,在保持开关电容电路结构简单、功耗低等优点的同时,克服了MOS管开关非理想特性带来的开关噪声,提高了输出精度。仿真结果表明,新型电流开关网络结构将开关开启、关断造成的尖峰电流从几十个微安降低到几个微安,有效抑制了噪声影响,极大地提高了输出精度,完全符合多量子阱空间光调制器的要求。 展开更多
关键词 开关电容积分电路 多量子阱空间光调制器 电流开关网络
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量子阱非对称法布里-珀罗腔调制器电折变模式蓝移
7
作者 陈志标 陈弘达 吴荣汉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第9期792-796,共5页
对于从实验中观察到的GaAs/GaAlAs多量子讲非对称法布里一哨罗腔调制器中电致折射率变化引起的模式蓝移现象,从理论上予以讨论.利用等效光程方法分析了电致折射引起的模式的移动特性,实验和理论符合较好.
关键词 蓝移 量子 砷化镓 调制器 波导
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猫眼逆向调制自由空间激光通信技术的研究进展 被引量:21
8
作者 张来线 孙华燕 +2 位作者 樊桂花 赵延仲 郑勇辉 《中国光学》 EI CAS 2013年第5期681-691,共11页
猫眼逆向调制自由空间激光通信技术相比传统激光通信技术更具优势。本文介绍了逆向调制自由空间激光通信技术的原理和猫眼逆向调制终端的原理结构。综述了国内外猫眼逆向调制自由空间激光通信技术在调制器特性、猫眼光学系统和技术应用... 猫眼逆向调制自由空间激光通信技术相比传统激光通信技术更具优势。本文介绍了逆向调制自由空间激光通信技术的原理和猫眼逆向调制终端的原理结构。综述了国内外猫眼逆向调制自由空间激光通信技术在调制器特性、猫眼光学系统和技术应用3个方面的研究现状。分析了猫眼逆向调制自由空间激光通信的关键技术。最后,展望了该项技术的应用前景。 展开更多
关键词 自由空间通信 猫眼效应 逆向调制器 多量子调制器
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量子阱光电子开关器件(二)
9
作者 廖品霖 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第A08期87-99,共13页
量子阱半导体器件是一种基于量子电子学原理的新型光电子器件。它具有体积小、速度快、功耗低等优点,并且由于它能够与逻辑电路元件混合集成,在解决高复杂度集成电路的高速互连方面具有巨大的实际应用价值。基于这一原理实现的光调制器... 量子阱半导体器件是一种基于量子电子学原理的新型光电子器件。它具有体积小、速度快、功耗低等优点,并且由于它能够与逻辑电路元件混合集成,在解决高复杂度集成电路的高速互连方面具有巨大的实际应用价值。基于这一原理实现的光调制器和开关等光电子器件,可以制成波导,也可制成二堆并行阵列器件。目前,光逻辑和存贮器件阵列的集成规模已达2048个单元,其中所有的单元都可利用自由空间光(free-space optics)进行外部访问。本文概述了量子阱半导体器件的运行机理及其发展前景。 展开更多
关键词 量子 电子 开关器件 调制器
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量子阱光电子开关器件(一)
10
作者 廖品霖 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期217-224,共8页
量子阱半导体结构可使诸如光调制器和开关等光电子器件做得更小、更快、效率更高。它所具有的逻辑特性使其在并行高速互连的电子集成电路的集成度上具有良好的潜力。光电子器件能采用波导,也能采用二维并行阵列制作。其集成规模可达204... 量子阱半导体结构可使诸如光调制器和开关等光电子器件做得更小、更快、效率更高。它所具有的逻辑特性使其在并行高速互连的电子集成电路的集成度上具有良好的潜力。光电子器件能采用波导,也能采用二维并行阵列制作。其集成规模可达2048个单元,可工作的光逻辑和存贮器件的阵列得以实现及运行,所有单元都可由自由空间光(free-space optics)进行外部并行访问。本文概述了量子阱器件的运行机理及其发展前景。 展开更多
关键词 量子 电子 开关器件 调制器
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生成二维对称光阱阵列的一种简单方法
11
作者 陈国钧 龚天林 纪宪明 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2014年第4期54-56,67,共4页
提出了生成二维空间光阱阵列的新方法.由光阱位置参量和强度参量构成的纯位相调制函数,可以生成光阱数目、每个独立光阱的位置、光阱的峰值强度都可控的二维空间光阱阵列.采用液晶空间光调制器,仿真模拟设计了生成二维3×3对称光阱... 提出了生成二维空间光阱阵列的新方法.由光阱位置参量和强度参量构成的纯位相调制函数,可以生成光阱数目、每个独立光阱的位置、光阱的峰值强度都可控的二维空间光阱阵列.采用液晶空间光调制器,仿真模拟设计了生成二维3×3对称光阱阵列的位相分布模板,计算了光强分布. 展开更多
关键词 原子 阵列 空间调制器
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光调制技术及器件
12
《中国光学》 EI CAS 1998年第3期74-74,共1页
TN761 98031909多量子阱空间光调制器二维列阵=Multiple quan—tum well spatial light modulator array[刊,中]/陈弘达,吴荣汉,高文智,陈志标,杜云(中科院半导体所.北京(100083))∥半导体学报.—1997,18(5).—
关键词 空间调制器 半导体 列阵 调制技术 多量子 中科院 二维 学报 器件 北京
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光调制与器件
13
《中国光学》 EI CAS 1999年第2期67-67,共1页
TN761 99021150InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器=InGaAs/InAlAs multiple quantum well electroabsorptionmodulators[刊,中]/王健华,金峰,俞谦,孙可,李德杰(清华大学电子工程系.北京(100084)),蔡丽红,黄绮,周钧铭(中科院物理所.北... TN761 99021150InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器=InGaAs/InAlAs multiple quantum well electroabsorptionmodulators[刊,中]/王健华,金峰,俞谦,孙可,李德杰(清华大学电子工程系.北京(100084)),蔡丽红,黄绮,周钧铭(中科院物理所.北京(100080)),王玉田,庄岩(中科院北京半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(1).—43-48用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料,并对材料的量子限制stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行了研究.用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4 V驱动电压下实现了20 dB以上消光比,光3 dB带宽达3 GHz。图4表1参6(方舟) 展开更多
关键词 半导体 调制器 量子材料 电吸收调制器 电子工程 晶格匹配 量子限制 中科院 清华大学 各向异性
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光调制与器件
14
《中国光学》 EI CAS 1999年第1期66-66,共1页
TN761 99010422光互连用8×8多量子阱空间光调制器=8×8 Multiplequantum well spatial light modulators for optical interconnection[刊,中]/吴荣汉,陈志标,陈弘达,高文智(中科院半导体研究所国家光电子工艺中心.北京(100083... TN761 99010422光互连用8×8多量子阱空间光调制器=8×8 Multiplequantum well spatial light modulators for optical interconnection[刊,中]/吴荣汉,陈志标,陈弘达,高文智(中科院半导体研究所国家光电子工艺中心.北京(100083)),曹明翠,万安君,刘中林,李洪谱(华中理工大学激光技术国家重点实验室.湖北。 展开更多
关键词 空间调制器 多量子 互连 技术 电子工艺 国家重点实验室 半导体激 华中理工大学 中科院 研究所
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光调制技术及器件
15
《中国光学》 EI CAS 1997年第5期77-77,共1页
TN761 97053332EL薄膜空间光学调制器的研制=An EL thin filmspace optical modulator[刊,中]/林坚,林永钟(福建师范大学激光研究所.福州(350007))//福光技术.—1996,(22).—51—52研制成功EL电致发光薄膜,利用其光电特性,研制二... TN761 97053332EL薄膜空间光学调制器的研制=An EL thin filmspace optical modulator[刊,中]/林坚,林永钟(福建师范大学激光研究所.福州(350007))//福光技术.—1996,(22).—51—52研制成功EL电致发光薄膜,利用其光电特性,研制二维空间以"亮"和"暗"来表示"0","1"二种状态的调制器。在光信息存储和处理、光神经元计算等领域将有广泛的应用前景。(赵桂云)TN761 97053333Zn<sub>0.65</sub>Cd<sub>0.35</sub>Se-ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制=Preparation of the ZnCdSe-ZnSeself electro—optic effect device and electro- 展开更多
关键词 自电效应器件 电致发薄膜 调制 薄膜空间 调制器 研制成功 信息存储 电特性 元计算 量子
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光调制技术及器件
16
《中国光学》 EI CAS 1996年第5期76-76,共1页
TN761 96053351双向行波式声光调制器的特性研究=Characteriza-tions of acousto-optic modulator by two an-tiparallel ultrasonic wave-type[刊,中]/殷宝璐,杜燕贻,黄骝,蔡峰怡(北京工业大学应用物理系)∥量子电子学.—1995,12(4).—... TN761 96053351双向行波式声光调制器的特性研究=Characteriza-tions of acousto-optic modulator by two an-tiparallel ultrasonic wave-type[刊,中]/殷宝璐,杜燕贻,黄骝,蔡峰怡(北京工业大学应用物理系)∥量子电子学.—1995,12(4).—354—360从理论和实验上对"双向引波式声光调制器" 展开更多
关键词 调制器 双向行波 量子电子学 寻址空间调制器 特性研究 应用物理 器件 调制技术 氢化非晶硅 工业大学
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光调制与器件
17
《中国光学》 EI CAS 1999年第5期70-70,共1页
T N761 99053262多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整=Mode position control of asymmetric Fabrv—Perotoptical modulator with multiple quantumwells[刊,中]/吴荣汉,陈志标,陈弘达,高文智,赵军(中科院半导体所.北京(10... T N761 99053262多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整=Mode position control of asymmetric Fabrv—Perotoptical modulator with multiple quantumwells[刊,中]/吴荣汉,陈志标,陈弘达,高文智,赵军(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—341—347计算了不同折射率膜层下,非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化。分析了在膜层折射率较低时,模式波长随层厚的增加反而减小的机理,并在实验中研究了这种现象。利用湿法腐蚀的方法移动模式波长,补偿由生长误差引入的模式波长偏差,从而做到模式波长可控,获得高消光比器件。同时利用湿法腐蚀方法将模式波长调整到不同位置,测量了不同模式波长位置时器件的调制特性。图7表1参12(方舟) 展开更多
关键词 模式波 波长调整 折射率 非对称 多量子 半导体 调制器 器件 法布里珀罗腔 湿法腐蚀
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光调制与器件
18
《中国光学》 EI CAS 2001年第2期70-70,共1页
TN761 2001021214Zn<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Se/ZnSe量子限制Stark效应光调制器=Zn<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Se/ZnSe quantum-confined Stark effectphotomodulators[刊,中]... TN761 2001021214Zn<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Se/ZnSe量子限制Stark效应光调制器=Zn<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Se/ZnSe quantum-confined Stark effectphotomodulators[刊,中]/唐九耀(浙江大学物理系.江苏,杭州(310027)),川上养一,藤田茂夫(日本京都大学电子科学和工程学系.日本,京都606)//半导体学报.—2000,21(1)研究了Zn<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Se/ZnSe多量子阱Stark效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性,包括透射谱、 展开更多
关键词 调制器 多量子 学特性 透射谱 浙江大学 京都大学 效应 工程学 电子科学 半导体
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光调制技术及器件
19
《中国光学》 EI CAS 1996年第6期47-48,共2页
TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启... TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启明(中科院半导体所国家集成光电子学联合实验室.北京(100083))//光子学报.-1995,24(5).-388-392采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自由光效应器件的实验结果。 展开更多
关键词 多量子 自电效应器件 调制器 分布布喇格反射器 反射型 分子束外延技术 斯塔克效应 集成电子学 自由效应器件 量子限制
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用有机电致发光二极管与a^-SiC:H膜组合制作空间寻址光变换器
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作者 郑永成 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第1期35-37,共3页
设计出一种新型光变换器,它是在作为电光注入电极的光导非晶碳化硅(a—SiC:H)膜上制作有机电致发光二极管所构成。由光敏 a—SiC:H 膜接收到的输入光转换成由层状结构中 EL 二极管发射的不同波长的输出光。输出光的空程分布很好地保持... 设计出一种新型光变换器,它是在作为电光注入电极的光导非晶碳化硅(a—SiC:H)膜上制作有机电致发光二极管所构成。由光敏 a—SiC:H 膜接收到的输入光转换成由层状结构中 EL 二极管发射的不同波长的输出光。输出光的空程分布很好地保持了输入光的图形。用加到器件上的直流电压和入射光强可实现对电致发光输出光的控制。这些特点建议,上述器件可用于一种新型空间光调制器。 展开更多
关键词 SiC:H膜 组合制 电致发 空间调制器 层状结构 电子注入 寻址 直流电压 有机发 量子效率
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