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InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应
被引量：
10
1
作者
黄绍艳
刘敏波
+3 位作者
王祖军
唐本奇
肖志刚
张勇
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1024-1028,共5页
本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。...
本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升。
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关键词
多量子阱激光二极管
Γ射线
辐射效应
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职称材料
题名
InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应
被引量：
10
1
作者
黄绍艳
刘敏波
王祖军
唐本奇
肖志刚
张勇
机构
西北核技术研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1024-1028,共5页
文摘
本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升。
关键词
多量子阱激光二极管
Γ射线
辐射效应
Keywords
multi-quantum well laser diodes
gamma-ray
radiation effect
分类号
TN248.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应
黄绍艳
刘敏波
王祖军
唐本奇
肖志刚
张勇
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
10
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