期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
X射线多重衍射的进展 被引量:6
1
作者 杨传铮 郝建民 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1999年第1期1-23,共23页
若晶体具有多个(≥3)原子平面同时满足Bragg定律,并同时衍射一单色入射X射线光束,这就是多重衍射现象。本文介绍X射线多重衍射的基本原理,获得多重衍射花样的实验方法、衍射理论和若干应用。
关键词 X射线衍射 晶体 多重衍射 基本原理 进展
在线阅读 下载PDF
利用晶体多重衍射进行同步辐射光子能量标定 被引量:1
2
作者 陶世兴 牛晶 +7 位作者 陈鸣之 刘科 王玉 汪启胜 孙波 黄胜 唐琳 何建华 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期977-982,共6页
介绍了多重衍射的基本原理,包括多重衍射的指标化、衍射光强度的计算和入射光方向的确定,并根据晶体多重衍射现象提出了入射X光能量的标定方法。从理论上讲,使用该标定方法在角度扫描精度为1″时,光子能量标定精度可达到1eV。在上海光源... 介绍了多重衍射的基本原理,包括多重衍射的指标化、衍射光强度的计算和入射光方向的确定,并根据晶体多重衍射现象提出了入射X光能量的标定方法。从理论上讲,使用该标定方法在角度扫描精度为1″时,光子能量标定精度可达到1eV。在上海光源14B衍射光束线上对提出的标定方法进行了实验验证,在10keV处用Si(111)为主衍射收集了180°Φ扫描衍射谱,对其中的衍射谷进行了指标化,并根据指标化的结果计算得到标定能量为10.06keV。该实验结果与理论结果相符,验证了在角度扫描精度满足实验要求时,通过该标定方法可进行高精度的光子能量标定。 展开更多
关键词 多重衍射 同步辐射 光子能量标定 Φ扫描 衍射
在线阅读 下载PDF
X射线多重衍射的一些实验研究 被引量:1
3
作者 郝建民 杨传铮 《分析测试学报》 CAS CSCD 1999年第5期25-28,共4页
使用在试样架上附加有Φ旋转装置的X射线粉末衍射仪,对Si(001)晶片和In1 -xAlxAs/GaAs一维超点阵样品,进行了一些X射线多重衍射实验研究,初步解释了所获得的多重衍射花样 ,得到了一些有关的结构信息。
关键词 X射线衍射 多重衍射 砷化镓 单晶体
在线阅读 下载PDF
计算单色器多重衍射的新方法及在激光拉曼单色器设计中的应用
4
作者 杜春耕 翁志成 《仪器仪表学报》 EI CAS 1981年第1期106-113,共8页
本文讨论了单色器多重衍射的光路。提出了一个计算多重衍射的新方法。在许多场合,采用这个方法所确定的不存在多重衍射时反射镜离轴角的下限,将优于Cary原理所给出的数值。采用这个方法的优点,一扩大了仪器设计时的自由度;二在不少场合... 本文讨论了单色器多重衍射的光路。提出了一个计算多重衍射的新方法。在许多场合,采用这个方法所确定的不存在多重衍射时反射镜离轴角的下限,将优于Cary原理所给出的数值。采用这个方法的优点,一扩大了仪器设计时的自由度;二在不少场合改善了成象质量;三减小仪器尺寸及降低成本。最后,作为应用实例,讨论一个激光拉曼单色器的设计,以示改善设计的程度。 展开更多
关键词 多重衍射 单色器 拉曼 光栅衍射 轴角 衍射 降低成本 杂散辐射 光路图 反射型
在线阅读 下载PDF
光的干涉与衍射
5
《中国光学》 EI CAS 2000年第4期8-13,共6页
O436.1 2000042300X射线多重衍射的进展=Progress in X-ray multiplediffraction[刊,中]/杨传铮(上海大学理学院物理系.上海(201800),郝建民(天津电子材料研究所.天津(300192))//物理学进展.—1999,19(1).—1—23介绍X射线多重衍射的基... O436.1 2000042300X射线多重衍射的进展=Progress in X-ray multiplediffraction[刊,中]/杨传铮(上海大学理学院物理系.上海(201800),郝建民(天津电子材料研究所.天津(300192))//物理学进展.—1999,19(1).—1—23介绍X射线多重衍射的基本原理。 展开更多
关键词 外差干涉仪 衍射效率 多重衍射 反射光栅 理论分析 测量误差 光电工程 国家重点实验室 基本原理 物理学
在线阅读 下载PDF
在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
6
作者 王元樟 陈路 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期729-733,共5页
本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一... 本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位。对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力。该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义。 展开更多
关键词 CdTe/GaAs CdTe/Si 热应变 高分辨率多重多重反射X射线衍射 分子束外延
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部