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N_2O多层膜局域结构的多重散射簇理论研究
被引量：
1
1
作者
吴太权
唐景昌
+2 位作者
沈少来
曹松
李海洋
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1394-1398,共5页
利用多重散射簇(multiplescatteringcluster,MSC)方法计算了N2O多层膜中氮原子的1s芯态近边X射线吸收精细结构(nearedgeX-rayabsorptionfinestructure,NEXAFS)谱,首次给出N2O多层膜局域结构的模型.MSC研究显示多层膜中N2O分子以短程有...
利用多重散射簇(multiplescatteringcluster,MSC)方法计算了N2O多层膜中氮原子的1s芯态近边X射线吸收精细结构(nearedgeX-rayabsorptionfinestructure,NEXAFS)谱,首次给出N2O多层膜局域结构的模型.MSC研究显示多层膜中N2O分子以短程有序的分层错位链结构排列,并求得链中相邻分子间距为0.233nm和相邻分子层之间距离为0.240～0.245nm.用自洽场离散变分(discretevariation,DV)Xα方法计算的N2O多层膜电子结构支持了MSC的计算结果;阐明了NEXAFS谱中弱结构的物理起源.对N2O多层膜中分子之间相互作用的分析显示N2O多层膜的结构具有分子自组装的特性.
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关键词
多重散射簇方法
近边X射线吸收精细结构
N2O多层膜局域结构
DV-Xα
方法
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职称材料
Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究
被引量：
1
2
作者
沈少来
唐景昌
+1 位作者
曹松
汪雷
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期1054-1058,共5页
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0...
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。
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关键词
近边X射线吸收精细结构
CI/GaAs(111)
吸附表面
多重
散射
团
簇
方法
砷化镓
半导体
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职称材料
题名
N_2O多层膜局域结构的多重散射簇理论研究
被引量：
1
1
作者
吴太权
唐景昌
沈少来
曹松
李海洋
机构
浙江大学物理系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1394-1398,共5页
基金
国家自然科学基金(10274068
10374080)资助项目~~
文摘
利用多重散射簇(multiplescatteringcluster,MSC)方法计算了N2O多层膜中氮原子的1s芯态近边X射线吸收精细结构(nearedgeX-rayabsorptionfinestructure,NEXAFS)谱,首次给出N2O多层膜局域结构的模型.MSC研究显示多层膜中N2O分子以短程有序的分层错位链结构排列,并求得链中相邻分子间距为0.233nm和相邻分子层之间距离为0.240～0.245nm.用自洽场离散变分(discretevariation,DV)Xα方法计算的N2O多层膜电子结构支持了MSC的计算结果;阐明了NEXAFS谱中弱结构的物理起源.对N2O多层膜中分子之间相互作用的分析显示N2O多层膜的结构具有分子自组装的特性.
关键词
多重散射簇方法
近边X射线吸收精细结构
N2O多层膜局域结构
DV-Xα
方法
Keywords
multiple-scattering-cluster method
near edge X-ray absorption fine structure
N2O multiplayer local structure
DV-X alpha method
分类号
O641 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究
被引量：
1
2
作者
沈少来
唐景昌
曹松
汪雷
机构
浙江大学物理系
浙江大学硅材料科学国家重点实验室
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期1054-1058,共5页
基金
国家自然科学基金(10274068)~~
文摘
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。
关键词
近边X射线吸收精细结构
CI/GaAs(111)
吸附表面
多重
散射
团
簇
方法
砷化镓
半导体
Keywords
near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS)
Cl/GaAs (111) surface
multiple-scattering cluster method (MSC)
分类号
O647.3 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N_2O多层膜局域结构的多重散射簇理论研究
吴太权
唐景昌
沈少来
曹松
李海洋
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
2
Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究
沈少来
唐景昌
曹松
汪雷
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
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