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Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究 被引量:1
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作者 沈少来 唐景昌 +1 位作者 曹松 汪雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1054-1058,共5页
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0... 利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。 展开更多
关键词 近边X射线吸收精细结构 CI/GaAs(111) 吸附表面 多重散射团簇方法 砷化镓 半导体
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(SO+2O)/Cu(100)NEXAFS谱反常共振峰结构的研究
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作者 朱萍 唐景昌 何江平 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期349-354,共6页
利用多重散射团簇 (MSC)方法对 (SO + 2O) /Cu( 1 0 0 )的硫 1s和氧 1s近边X射线吸收精细结构 (NEXAFS)谱的理论分析和利用DV Xα 方法对该系统的团簇电子结构研究 ,揭示了该系统NEXAFS谱反常共振结构的物理起源 .SO和衬底的相互作用使... 利用多重散射团簇 (MSC)方法对 (SO + 2O) /Cu( 1 0 0 )的硫 1s和氧 1s近边X射线吸收精细结构 (NEXAFS)谱的理论分析和利用DV Xα 方法对该系统的团簇电子结构研究 ,揭示了该系统NEXAFS谱反常共振结构的物理起源 .SO和衬底的相互作用使π 分裂为二个轨道方向相互垂直的π 与衬底的耦合态 .NEXAFS谱的反常共振结构对应于 1s电子跃迁到这二个π 展开更多
关键词 X射线精细结构 多重散射团簇方法 吸附系统 反常共振峰结构
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SiH_4凝聚态结构的近边X射线吸收精细结构研究
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作者 何江平 唐景昌 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2001年第6期630-634,共5页
用多重散射团簇方法对低温下凝聚态 Si H4 进行了 Si的 1s NEXAFS理论研究 ,对不同的模型研究表明 ,此时凝聚相 Si H4 形成链状结构 .
关键词 近边X射线吸收精细结构 多重散射团簇方法 凝聚态
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