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多重全息存储中曝光均匀性的研究 被引量:2
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作者 忽满利 李育林 +2 位作者 刘玉华 刘继芳 张培琨 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期23-26,共4页
本文分析了光折变晶体多重全息存储中扇形效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响,给出了两种因素影响下角度编码多重全息存储中时间递减曝光法的计算公式和方法,该计算公式和通常的有所不同。数值计算结果表明,... 本文分析了光折变晶体多重全息存储中扇形效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响,给出了两种因素影响下角度编码多重全息存储中时间递减曝光法的计算公式和方法,该计算公式和通常的有所不同。数值计算结果表明,按照这种计算方法所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好,而且振幅也相对较大,这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量。 展开更多
关键词 时间递减法 多重全息存储 扇形效应 曝光均匀性
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甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料红光多重全息存储
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作者 贯丛 曲艺 《大学物理》 北大核心 2006年第3期41-43,共3页
甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原... 甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原理与结果. 展开更多
关键词 甲基紫掺杂聚乙烯醇 相位光栅 多重全息存储
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利用栅增强技术提高光折变多重存储衍射效率 被引量:1
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作者 刘继芳 李家立 +2 位作者 李育林 忽满利 张培琨 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期10-12,共3页
提出了一种结合折射率栅自增强读出和固定技术的光折变多重存储的记录方法。利用自增强读出时折射率栅在记录晶体中(z向)移动的特点,把同一位置记录的不同全息图的折射率栅置于晶体中z方向分离的位置,最大限度的利用了晶体各处的... 提出了一种结合折射率栅自增强读出和固定技术的光折变多重存储的记录方法。利用自增强读出时折射率栅在记录晶体中(z向)移动的特点,把同一位置记录的不同全息图的折射率栅置于晶体中z方向分离的位置,最大限度的利用了晶体各处的折射率的最大动态范围,提高了多重存储衍射效率。 展开更多
关键词 多重全息存储 栅自增强读出 衍射效率 光折变
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一种提高光折变多重存储密度的记录方法 被引量:2
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作者 刘继芳 忽满利 +1 位作者 李家立 李育林 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期51-52,共2页
提出了一种新的双面交替写入了光折变多重存储的记录方法。利用读出时折射率栅在记录晶体中移动的特点 ,把不同全息图的折射率栅置于晶体中纵向分离的位置 ,最大限度的利用了整个记录晶体的折射率动态范围 ,提高了光折变多重存储的实际... 提出了一种新的双面交替写入了光折变多重存储的记录方法。利用读出时折射率栅在记录晶体中移动的特点 ,把不同全息图的折射率栅置于晶体中纵向分离的位置 ,最大限度的利用了整个记录晶体的折射率动态范围 ,提高了光折变多重存储的实际存储密度。双面交替写入是把最先写入的折射率栅置于记录晶体的中心 ,最后写入的两折射率栅置于记录晶体前后表面附近 。 展开更多
关键词 多重全息存储 存储密度 光折变
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Selective Erasure of Multiplexed Holograms in Fe: LiNbO3 by Complementary Holography 被引量:1
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作者 谢敬辉 张泽明 +2 位作者 何庆声 邬敏贤 金国藩 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 2001年第2期153-156,共4页
研究光折变晶体中多重体全息存储的选择性擦涂和重写技术.根据光折变晶体中位相全息图形成的机理,利用互补全息图与原始全息图的非相干迭加,实现选择性擦涂.成功地实现了在掺铁铌酸锂晶体中的选择性擦涂和重写.互补全息术是实现光折... 研究光折变晶体中多重体全息存储的选择性擦涂和重写技术.根据光折变晶体中位相全息图形成的机理,利用互补全息图与原始全息图的非相干迭加,实现选择性擦涂.成功地实现了在掺铁铌酸锂晶体中的选择性擦涂和重写.互补全息术是实现光折变晶体中多重全息存储的选择性擦涂和重写的有效而简便的可行方法. 展开更多
关键词 多重全息存储 互补全息 选择性擦涂和重写
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