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有限元热分析法在大功率多芯片组件中的应用
被引量:
7
1
作者
蒋明
胡永达
+1 位作者
杨邦朝
熊流峰
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期410-411,共2页
在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情...
在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情况。使用该方法能快速、简便地获得 MCM组件温度分布情况 ,可缩短热设计。
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关键词
多芯片
组件
(
mcm
)
热模拟和分析
有限元分析
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职称材料
利用热阻网络拓朴关系对多芯片组件热分析技术的研究
被引量:
8
2
作者
曹玉生
刘军
施法中
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期527-530,共4页
与单芯片封装相比,对多芯片组件(MCM:Multi-Chip Module)进行热分析时,由于存在多个热源,各个热源之间相互影响,使得热分析变得比较复杂。现通过几种基本的MCM类型,利用一维热阻网络拓朴关系进行了热场的计算和分析,并与有限元仿真结果...
与单芯片封装相比,对多芯片组件(MCM:Multi-Chip Module)进行热分析时,由于存在多个热源,各个热源之间相互影响,使得热分析变得比较复杂。现通过几种基本的MCM类型,利用一维热阻网络拓朴关系进行了热场的计算和分析,并与有限元仿真结果进行了对比,得到结点温度与有限元仿真结果误差相差不超过10%,说明了利用热阻网络拓朴分析技术可在某种程度上应用于3D MCM组件的热学分析技术中。
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关键词
多芯片
组件
(
mcm
)
热分析
热阻
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职称材料
MMIC在T/R组件中的应用
被引量:
5
3
作者
刘秀博
吴洪江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期810-814,共5页
采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件。组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)...
采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件。组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成。基于Ga As的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于Ga N的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率。组件接收通道采用基于Ga As的LNA芯片,发射通道采用基于Ga N的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路。研制的T/R组件在8~12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 d B,噪声小于3 d B;发射通道在周期1 ms,脉宽10%的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 d Bm。T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm。
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关键词
单片微波集成电路(MMIC)
多芯片
组件
(
mcm
)
氮化镓
砷化镓
发射接收(T/R)
组件
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职称材料
DC/DC电源模块可靠性的研究
被引量:
16
4
作者
吕长志
马卫东
+4 位作者
谢雪松
张小玲
刘扬
黄春益
李志国
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期890-895,共6页
对当前较广泛应用的DC/DC电源模块这一多芯片组件(MCM)的可靠性进行了研究.通过对模块使用可靠性的统计,利用ANSYS软件对模块表面温度分布的模拟得出影响其可靠性的关键器件为垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)和肖特基...
对当前较广泛应用的DC/DC电源模块这一多芯片组件(MCM)的可靠性进行了研究.通过对模块使用可靠性的统计,利用ANSYS软件对模块表面温度分布的模拟得出影响其可靠性的关键器件为垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)和肖特基势垒二极管(SBD).使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法分别获得VDMOS和SBD的失效敏感参数为VDMOS的跨导gm和SBD的反向漏电流IR;VDMOS和SBD的平均寿命分别为1.47×107h和4.3×107h.分析表明,这2种器件参数的退化均与器件的Na+沾污和Si-SiO2界面的退化有关,同时SBD的参数退化还与Al-Si界面的退化有关.
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关键词
DC/DC电源模块
多芯片组件mcm
可靠性
加速寿命试验
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职称材料
不同应力下集成电路金铝硅系统可靠性评估
被引量:
4
5
作者
龚瑜
黄彩清
吴凌
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期564-570,共7页
采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(IMC)层特性及Al-Si界面行为。结果显示,高温应力促进IMC层...
采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(IMC)层特性及Al-Si界面行为。结果显示,高温应力促进IMC层的增长,其增长厚度满足理论模型直至将键合区域Al层全部耗尽,且当Au-Al合金扩散至Si衬底时,在衬底中有一定的溶解度;湿度应力对IMC层厚度增长没有明显影响,但促进了Au4Al界面的电偶腐蚀,长期高温高湿环境会增加焊盘开路的风险;热电综合应力显著加速了IMC层的生长,且主要以焦耳热的形式影响IMC的生长。封装设计时除了考虑线承载电流通量和芯片散热问题外,还要注意引线承载的电流通量及通电时间作用下引起的焦耳热释放问题。
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关键词
多芯片
组件
(
mcm
)封装
金铝键合
热电效应
可靠性
界面行为
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职称材料
题名
有限元热分析法在大功率多芯片组件中的应用
被引量:
7
1
作者
蒋明
胡永达
杨邦朝
熊流峰
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
美国德克萨斯大学奥斯汀分校
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期410-411,共2页
基金
<电子元器件可靠性物理实验及其应用技术国防科技重点实验室>资助项目
文摘
在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情况。使用该方法能快速、简便地获得 MCM组件温度分布情况 ,可缩短热设计。
关键词
多芯片
组件
(
mcm
)
热模拟和分析
有限元分析
Keywords
Multichip module(
mcm
) Thermal simulation FEA
分类号
TP2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
利用热阻网络拓朴关系对多芯片组件热分析技术的研究
被引量:
8
2
作者
曹玉生
刘军
施法中
机构
北京航空航天大学机械工程及自动化学院
中国航天时代电子集团民芯公司
出处
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期527-530,共4页
基金
国防科工委十五重点预研项目
文摘
与单芯片封装相比,对多芯片组件(MCM:Multi-Chip Module)进行热分析时,由于存在多个热源,各个热源之间相互影响,使得热分析变得比较复杂。现通过几种基本的MCM类型,利用一维热阻网络拓朴关系进行了热场的计算和分析,并与有限元仿真结果进行了对比,得到结点温度与有限元仿真结果误差相差不超过10%,说明了利用热阻网络拓朴分析技术可在某种程度上应用于3D MCM组件的热学分析技术中。
关键词
多芯片
组件
(
mcm
)
热分析
热阻
Keywords
Multi-chip module
Thermal analysis
Thermal resistor
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MMIC在T/R组件中的应用
被引量:
5
3
作者
刘秀博
吴洪江
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期810-814,共5页
文摘
采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件。组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成。基于Ga As的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于Ga N的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率。组件接收通道采用基于Ga As的LNA芯片,发射通道采用基于Ga N的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路。研制的T/R组件在8~12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 d B,噪声小于3 d B;发射通道在周期1 ms,脉宽10%的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 d Bm。T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm。
关键词
单片微波集成电路(MMIC)
多芯片
组件
(
mcm
)
氮化镓
砷化镓
发射接收(T/R)
组件
Keywords
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
multichip module(
mcm
)
GaN
GaAs
transmitter/receiver(T/R) module
分类号
TN45 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
DC/DC电源模块可靠性的研究
被引量:
16
4
作者
吕长志
马卫东
谢雪松
张小玲
刘扬
黄春益
李志国
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期890-895,共6页
文摘
对当前较广泛应用的DC/DC电源模块这一多芯片组件(MCM)的可靠性进行了研究.通过对模块使用可靠性的统计,利用ANSYS软件对模块表面温度分布的模拟得出影响其可靠性的关键器件为垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)和肖特基势垒二极管(SBD).使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法分别获得VDMOS和SBD的失效敏感参数为VDMOS的跨导gm和SBD的反向漏电流IR;VDMOS和SBD的平均寿命分别为1.47×107h和4.3×107h.分析表明,这2种器件参数的退化均与器件的Na+沾污和Si-SiO2界面的退化有关,同时SBD的参数退化还与Al-Si界面的退化有关.
关键词
DC/DC电源模块
多芯片组件mcm
可靠性
加速寿命试验
Keywords
DC /DC power supply module
mcm
thermal analysis
reliability
accelerated life test
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
不同应力下集成电路金铝硅系统可靠性评估
被引量:
4
5
作者
龚瑜
黄彩清
吴凌
机构
深圳赛意法微电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期564-570,共7页
文摘
采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(IMC)层特性及Al-Si界面行为。结果显示,高温应力促进IMC层的增长,其增长厚度满足理论模型直至将键合区域Al层全部耗尽,且当Au-Al合金扩散至Si衬底时,在衬底中有一定的溶解度;湿度应力对IMC层厚度增长没有明显影响,但促进了Au4Al界面的电偶腐蚀,长期高温高湿环境会增加焊盘开路的风险;热电综合应力显著加速了IMC层的生长,且主要以焦耳热的形式影响IMC的生长。封装设计时除了考虑线承载电流通量和芯片散热问题外,还要注意引线承载的电流通量及通电时间作用下引起的焦耳热释放问题。
关键词
多芯片
组件
(
mcm
)封装
金铝键合
热电效应
可靠性
界面行为
Keywords
multi-chip module(
mcm
)package
Au-Al bonding
thermoelectric effect
reliability
interfacial behavior
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有限元热分析法在大功率多芯片组件中的应用
蒋明
胡永达
杨邦朝
熊流峰
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
7
在线阅读
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职称材料
2
利用热阻网络拓朴关系对多芯片组件热分析技术的研究
曹玉生
刘军
施法中
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
8
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职称材料
3
MMIC在T/R组件中的应用
刘秀博
吴洪江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
5
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职称材料
4
DC/DC电源模块可靠性的研究
吕长志
马卫东
谢雪松
张小玲
刘扬
黄春益
李志国
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
16
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下载PDF
职称材料
5
不同应力下集成电路金铝硅系统可靠性评估
龚瑜
黄彩清
吴凌
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
4
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职称材料
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