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6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
被引量：
3
1
作者
王平
周津慧
+3 位作者
杨银堂
屈汉章
杨燕
付俊兴
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期322-325,共4页
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方...
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。
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关键词
6H-SIC
多粒子蒙特卡罗研究
各向异性
漂移速度
平均能量
电子碰撞电离率
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职称材料
2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
2
作者
王平
杨银堂
+2 位作者
崔占东
杨燕
付俊兴
《西北大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期541-544,548,共5页
目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都...
目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。
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关键词
2H-SiC
多粒子蒙特卡罗研究
迁移率
漂移速度
平均能量
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职称材料
题名
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
被引量：
3
1
作者
王平
周津慧
杨银堂
屈汉章
杨燕
付俊兴
机构
西安电子科技大学微电子所
西安邮电学院信息与控制系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期322-325,共4页
基金
教育部重点资助项目 (0 2 0 74)
国防科技预研基金资助(批准号 :514 0 80 10 60 1DZ10 3 2 )项目
文摘
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。
关键词
6H-SIC
多粒子蒙特卡罗研究
各向异性
漂移速度
平均能量
电子碰撞电离率
Keywords
H-SiC
Ensemble Monte Carlo study
Anisotropy
Dr ift velocity
Mean energy
Electron impact ionization rates
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
2
作者
王平
杨银堂
崔占东
杨燕
付俊兴
机构
西安电子科技大学微电子研究所
河北半导体研究所
出处
《西北大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期541-544,548,共5页
基金
教育部重点资助项目(02074)
国防科技预研基金资助(51408010601DZ1032)
文摘
目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。
关键词
2H-SiC
多粒子蒙特卡罗研究
迁移率
漂移速度
平均能量
Keywords
2H-SiC
ensemble Monte Carlo study
mobility
drift velocity
mean energy
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
王平
周津慧
杨银堂
屈汉章
杨燕
付俊兴
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
王平
杨银堂
崔占东
杨燕
付俊兴
《西北大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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