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题名非对称忆阻诱导的吸引子非对称演化与机理研究
被引量：2
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作者
武花干
周杰
陈胜垚
陈墨
徐权
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机构
常州大学微电子与控制工程学院
南京理工大学电子工程与光电技术学院
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出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第6期2101-2109,共9页
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基金
国家自然科学基金(61801054,51607013)
江苏省研究生创新项目(KYCX20_2550)。
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文摘
紧磁滞回线是评测物理器件或数学模型是否为忆阻的关键依据,其对称特性也是忆阻的重要特征之一。该文提出一种有源非对称忆阻二极管桥模拟器,它通过改变二极管桥中并联二极管的数量可实现紧磁滞回线非对称度的控制。首先,验证了该非对称忆阻模拟器的指纹特征,并着重探讨了激励频率和对称度控制参数对紧磁滞回线非对称度的影响。进一步地,将该非对称忆阻模拟器耦合到Sallen-Key高通滤波器,构建了一种无感忆阻蔡氏电路;建立了相应的无量纲系统,并揭示了系统吸引子的非对称演化现象。结合平衡点稳定性分析、分岔分析和多吸引子状态初值空间分布,阐明了吸引子非对称演化的产生机理。结果表明,受非对称忆阻的影响,无感忆阻蔡氏电路的两个不稳定鞍焦点失去平衡,导致了非对称共存分岔、多稳定模态等行为的产生。最后,由硬件电路实验验证了理论分析与数值仿真的正确性。
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关键词
忆阻器
非对称共存分岔
多稳定模态
硬件实验
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Keywords
Memristor
Asymmetric coexisting bifurcation
Multi-stable mode
Hardware experiment
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分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
TN601
[电子电信—电路与系统]
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