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多模计数器静电放电损伤的失效分析
被引量：
3
1
作者
席善斌
裴选
+3 位作者
刘玮
高兆丰
彭浩
黄杰
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第10期784-789,共6页
静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计...
静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD损伤使输出端口驱动晶体管以及为负载晶体管提供栅偏置的前级电路晶体管同时受损,导致计数器端口高、低电平输出均失效而丧失计数功能。对相关的失效机理展开了讨论,同时提出了在电路研制和使用过程中的ESD防护措施。
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关键词
多模计数器
单片微波集成电路(MMIC)
静电放电(ESD)
失效分析
失效定位
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职称材料
题名
多模计数器静电放电损伤的失效分析
被引量：
3
1
作者
席善斌
裴选
刘玮
高兆丰
彭浩
黄杰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第10期784-789,共6页
文摘
静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD损伤使输出端口驱动晶体管以及为负载晶体管提供栅偏置的前级电路晶体管同时受损,导致计数器端口高、低电平输出均失效而丧失计数功能。对相关的失效机理展开了讨论,同时提出了在电路研制和使用过程中的ESD防护措施。
关键词
多模计数器
单片微波集成电路(MMIC)
静电放电(ESD)
失效分析
失效定位
Keywords
multi-module counter
monolithic microwave integrated circuit（MMIC）
electrostatic discharge（ESD）
failure analysis
failure localization
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多模计数器静电放电损伤的失效分析
席善斌
裴选
刘玮
高兆丰
彭浩
黄杰
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
3
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