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离子注入对多晶金刚石薄膜场发射特性影响的研究: 1; 作者邓宁朱长纯《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期26-28,共3页; 对等离子增强化学气相淀积的 (PECVD)多晶金刚石薄膜在N离子注入前后的场发射特性进行了研究 .研究发现 ,同一工艺条件下淀积的多晶金刚石薄膜样品的发射特性在离子注入前有较大的差异 ,离子注入后金刚石薄膜场发射特性的差异基本得到消... 展开更多; 关键词离子注入场致发射 PECVD 多晶金刚石薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

衬底类型对生长多晶金刚石膜应力和结晶度影响研究: 2; 作者李翔陈根 +1 位作者沈洁祝铭辉《人工晶体学报》北大核心 2025年第6期986-996,共11页; 不同衬底材料会影响多晶金刚石的结晶度和应力。本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备,研究三种不同衬底(W、Si和Mo)对沉积多晶金刚石膜应力和结晶度的影响。首先,为降低边缘效应,通过数值模拟、OES光谱分析方式优化并验证了沉... 展开更多; 关键词微波等离子体多晶金刚石薄膜衬底化学气相沉积结晶度应力; 在线阅读下载PDF 职称材料

两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文): 3; 作者李世鸿叶忠信 +2 位作者张永平汪岛军黄柏仁《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页; 以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板... 展开更多; 关键词多晶金刚石薄膜微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD) 两段成长偏压增强成核(BEN); 在线阅读下载PDF 职称材料

光学薄膜材料及器件: 4; 《中国光学》 EI CAS 1998年第1期68-69,共2页; O484.41 98010465金刚石薄膜的红外光学性能=Optical characterizationof diamoncl thin films[刊,中]/张贵锋,耿东生,郑修麟(西北工业大学材料科学与工程学院.陕西,西安(710072))//激光与红外.-1997,27(1).-51-53采用热灯丝化学气相沉... 展开更多; 关键词多晶金刚石薄膜傅里叶变换红外光谱仪化学气相沉积法材料科学红外光学性能红外光谱特性红外透过率散射损失粗糙表面中红外波段; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入对多晶金刚石薄膜场发射特性影响的研究: 1; 作者邓宁朱长纯; 机构西安交通大学; 出处《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期26-28,共3页; 文摘对等离子增强化学气相淀积的 (PECVD)多晶金刚石薄膜在N离子注入前后的场发射特性进行了研究 .研究发现 ,同一工艺条件下淀积的多晶金刚石薄膜样品的发射特性在离子注入前有较大的差异 ,离子注入后金刚石薄膜场发射特性的差异基本得到消除 ,而且在高场下发射电流密度有一定程度的提高 ,场发射特性得到较大改善 .在实验基础上 ,对N离子注入对多晶金刚石薄膜场发射特性的影响机理进行了理论研究 .; 关键词离子注入场致发射 PECVD 多晶金刚石薄膜; Keywords ion implantation field emission diamond film; 分类号 TN873 [电子电信—信息与通信工程] O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衬底类型对生长多晶金刚石膜应力和结晶度影响研究: 2; 作者李翔陈根沈洁祝铭辉; 机构安徽大学物质科学与信息技术研究院中国科学院合肥物质科学研究院安徽工程大学机械与汽车工程学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第6期986-996,共11页; 文摘不同衬底材料会影响多晶金刚石的结晶度和应力。本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备,研究三种不同衬底(W、Si和Mo)对沉积多晶金刚石膜应力和结晶度的影响。首先,为降低边缘效应,通过数值模拟、OES光谱分析方式优化并验证了沉积金刚石膜的最佳基台高度是16 mm。在相同工艺条件下生长多晶金刚石薄膜,利用拉曼光谱、SEM比较三种衬底沉积金刚石的结晶度和质量,三种衬底生长的金刚石晶面取向主要是(111),其中W衬底沉积的金刚石薄膜结晶度均匀性较高。XRD应力分析研究结果表明,W衬底沉积的多晶金刚石薄膜中心到边缘的应力分布较均匀且应力最小。最后,本团队利用W衬底沉积了直径为50.8 mm、沉积时间200 h、厚度0.6 mm、杂质缺陷少、无裂纹的多晶金刚石薄膜,并且中心至边缘的半峰全宽(FWHM)是8.156~8.715 cm^(-1)。TEM表征结果显示,d_((111))晶面间距是0.206 nm。表明W衬底较其他两种衬底更适合沉积多晶金刚石,制备用于光学、热学和电子等方面的多晶金刚石薄膜。本研究对沉积大尺寸、低应力、高结晶度多晶金刚石膜和应用于核聚变托卡马克装置的微波窗口提供了有效的参考。; 关键词微波等离子体多晶金刚石薄膜衬底化学气相沉积结晶度应力; Keywords microwave plasma polycrystalline diamond film substrate chemical vapor deposition crystallinity stress; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文): 3; 作者李世鸿叶忠信张永平汪岛军黄柏仁; 机构大叶大学电机工程学系国立云林科技大学工程科技研究所建国科技大学电子工程系国立台湾科技大学电子工程系暨光电工程研究所; 出处《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页; 文摘以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。; 关键词多晶金刚石薄膜微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD) 两段成长偏压增强成核(BEN); Keywords Polycrystalline diamond Microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition （MPECVD） Two-stage growth Bias-enhanced nucleation （BEN）; 分类号 TQ164 [化学工程—高温制品工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光学薄膜材料及器件: 4; 出处《中国光学》 EI CAS 1998年第1期68-69,共2页; 文摘 O484.41 98010465金刚石薄膜的红外光学性能=Optical characterizationof diamoncl thin films[刊,中]/张贵锋,耿东生,郑修麟(西北工业大学材料科学与工程学院.陕西,西安(710072))//激光与红外.-1997,27(1).-51-53采用热灯丝化学气相沉积法在硅衬底上沉积出金刚石薄膜,用傅里叶变换红外光谱仪分析独立式金刚石薄膜的红外光谱特性,其结果表明:在6.25 μm～25μm波段,平均红外透过率为65%。由于生长的多晶金刚石薄膜粗糙表面,中红外波段出现红外散射损失。; 关键词多晶金刚石薄膜傅里叶变换红外光谱仪化学气相沉积法材料科学红外光学性能红外光谱特性红外透过率散射损失粗糙表面中红外波段; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

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1	离子注入对多晶金刚石薄膜场发射特性影响的研究	邓宁朱长纯	《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	在线阅读下载PDF 职称材料
2	衬底类型对生长多晶金刚石膜应力和结晶度影响研究	李翔陈根沈洁祝铭辉	《人工晶体学报》北大核心	2025	在线阅读下载PDF 职称材料
3	两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)	李世鸿叶忠信张永平汪岛军黄柏仁	《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2009	在线阅读下载PDF 职称材料
4	光学薄膜材料及器件		《中国光学》 EI CAS	1998	在线阅读下载PDF 职称材料