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硼镓共掺多晶硅背钝化太阳电池的光衰研究
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作者 贺海晏 权微娟 +3 位作者 单伟 王仕鹏 黄海燕 陆川 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期99-104,共6页
研究同一小硅锭中不同部位的硼镓共掺多晶硅片制备成背钝化太阳电池后,不同的电池效率和光衰情况,并研究经过同样的抗光衰处理后这些电池的光衰情况。测试结果显示,硅锭尾部位置的硅片具有最高的电阻率、最高的氧含量、最低的硼、镓含... 研究同一小硅锭中不同部位的硼镓共掺多晶硅片制备成背钝化太阳电池后,不同的电池效率和光衰情况,并研究经过同样的抗光衰处理后这些电池的光衰情况。测试结果显示,硅锭尾部位置的硅片具有最高的电阻率、最高的氧含量、最低的硼、镓含量及最高的杂质含量。将硅锭不同位置的硅片经过量产产线制成背钝化电池后,头部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.08%,中部硅片得到的电池片的平均转换效率平均效率为19.15%,尾部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.06%。光衰结果显示,对于未经过抗光衰处理的电池片,头部和中部位置具有较低的光衰比例,而尾部位置具有较高的光衰比例;电池片经过抗光衰处理后,不同位置对应的电池片都有效率提升,继续经过光衰测试后,尾部位置出现较明显的抗光衰效果。该研究对硼镓共掺多晶硅片生产和多晶背钝化电池抗光衰工艺具有指导意义。 展开更多
关键词 多晶硅 硅太阳电池 光衰 硼镓共掺 太阳电池
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PERC电池背表面钝化的PC1D仿真分析 被引量:4
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作者 李宁 谷书辉 任丙彦 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期2273-2278,共6页
采用PC1D软件仿真分析钝化发射极及背接触(passivation emitter and rear contact,PERC)电池;模拟结果表明:降低电池的背表面复合速率有利于增强电池性能、提高电池长波响应。PERC电池由于背表面钝化可采用较低的背场厚度;背钝化层... 采用PC1D软件仿真分析钝化发射极及背接触(passivation emitter and rear contact,PERC)电池;模拟结果表明:降低电池的背表面复合速率有利于增强电池性能、提高电池长波响应。PERC电池由于背表面钝化可采用较低的背场厚度;背钝化层中的表面电荷对高背表面复合速率的电池性能的提升作用显著,但在背表面复合速率较低时影响不大;实测得到PERC电池比常规全铝背接触电池的开路电压和短路电流分别增大1.56%和2.56%。 展开更多
关键词 太阳电池 表面电荷 发射极及背局域接触电池
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低损伤选择性发射极太阳电池激光工艺 被引量:4
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作者 宋帅迪 赵广全 +2 位作者 杨冬琴 张竹青 王强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第11期893-898,共6页
钝化发射极及背面接触(PERC)太阳电池技术叠加激光选择性发射极(SE)制备工艺是近年发展起来的提升PERC太阳电池效率的有效方法之一,但是在SE的制备过程中易发生磷硅玻璃(PSG)层被激光烧蚀的现象,导致电池性能下降。通过研究激光波长、... 钝化发射极及背面接触(PERC)太阳电池技术叠加激光选择性发射极(SE)制备工艺是近年发展起来的提升PERC太阳电池效率的有效方法之一,但是在SE的制备过程中易发生磷硅玻璃(PSG)层被激光烧蚀的现象,导致电池性能下降。通过研究激光波长、脉冲频率、激光功率和扫描速度对硅片表面形貌、表面方块电阻、电池性能的影响,探索高效率、低损伤SE太阳电池的制备方法。实验结果表明,在激光波长为1 064 nm、激光功率为2 W、脉冲频率为30 Hz条件下可获得最佳电池性能,SE太阳电池光电转换效率最高达到22.01%,与传统工艺制备的太阳电池相比提升约0.51%。 展开更多
关键词 选择性发射极(SE)太阳电池 激光 选择性掺杂 发射极背面接触(PERC) 磷硅玻璃(PSG)
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n型双面TOPCon太阳电池钝化技术 被引量:4
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作者 于波 史金超 +3 位作者 李锋 庞龙 刘克铭 于威 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期368-373,共6页
隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了... 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。 展开更多
关键词 隧穿氧接触(TOPCon)太阳电池 选择性接触 隧穿氧 多晶硅 双面太阳电池
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基于POLO钝化接触结构的晶硅电池技术及其研究进展
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作者 张天杰 屈小勇 +7 位作者 郭永刚 吴翔 高嘉庆 张博 杨爱静 刘军保 李跃恒 林涛 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第6期1122-1131,1140,共11页
多晶硅氧化物(POLO)结构是在晶硅表面依次生长一层极薄的界面氧化层与多晶硅层所形成的钝化接触结构。基于POLO结构的钝化接触技术不仅能够获得优异的表面钝化特性,而且避免了金属与晶硅表面的直接接触,极大地降低了金属与晶硅表面的接... 多晶硅氧化物(POLO)结构是在晶硅表面依次生长一层极薄的界面氧化层与多晶硅层所形成的钝化接触结构。基于POLO结构的钝化接触技术不仅能够获得优异的表面钝化特性,而且避免了金属与晶硅表面的直接接触,极大地降低了金属与晶硅表面的接触复合。目前应用POLO钝化接触结构制作的小面积晶硅太阳能电池转换效率高达26.1%,制作的大面积晶硅太阳能电池产业化效率已经超过24.5%。同时POLO钝化接触技术应用于晶硅电池的制作可以承受高温工艺,兼容现有的晶硅电池产业化设备,是未来极具产业化潜力的钝化接触技术方案。本文主要综述了POLO钝化接触结构中载流子的传输机理及相应的量化参数表征方法;对比了POLO结构制备中界面氧化层生长、多晶硅层的沉积、掺杂及氢化处理的方法;总结了多晶硅层的寄生吸收效应、晶硅表面形貌结构、掺杂浓度分布对POLO结构钝化接触特性的影响;简述了POLO钝化接触技术的研究进展及当前POLO电池制作面临的技术难点。 展开更多
关键词 接触 载流子选择性接触 多晶硅物(POLO) POLO结构 多晶硅 晶硅电池
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超薄多晶硅的掺杂、钝化及光伏特性研究
6
作者 宋志成 杨露 +4 位作者 张春福 刘大伟 倪玉凤 张婷 魏凯峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期434-440,共7页
本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅... 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10^(20) atoms/cm^(3),远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10^(20) atoms/cm^(3))。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_(sc)升高20 mA,串联电阻R_(s)降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。 展开更多
关键词 TOPCon太阳能电池 多晶硅 掺杂 离子注入 接触 寄生吸收 光电转换效率
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金刚线切割的多晶PERC太阳电池背叠层钝化工艺的优化 被引量:1
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作者 张波 郭丽 +3 位作者 赵彩霞 杨飞飞 赵科巍 李正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期211-216,共6页
为研究金刚线切割(DWS)的多晶钝化发射极背面电池(PERC)的背叠层钝化工艺对太阳电池长波光谱响应的影响,通过时域有限差分(FDTD)软件模拟传统铝背场电池与PERC电池的电场强度分布情况,并从背面膜层的折射率、钝化质量以及电池的电性能... 为研究金刚线切割(DWS)的多晶钝化发射极背面电池(PERC)的背叠层钝化工艺对太阳电池长波光谱响应的影响,通过时域有限差分(FDTD)软件模拟传统铝背场电池与PERC电池的电场强度分布情况,并从背面膜层的折射率、钝化质量以及电池的电性能方面比较了两种不同的电池。通过研究发现,在多晶PERC太阳电池中采用背叠层钝化工艺后,能够使电池长波光谱响应增强。当硅片背面刻蚀量达到0.13 g,且在碱抛光工艺后SiO_(2)/SiN_(x)∶H叠层膜膜厚为200 nm时,电池的反射率达到最大值,尤其是退火温度为700℃时的钝化效果最佳,此时电池的光电转换效率也最高。 展开更多
关键词 光谱响应 背叠层工艺 金刚线切割(DWS) 发射极背面电池(PERC) 时域有限差分(FDTD)
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双面PERC太阳电池背面效率及双面率优化工艺
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作者 孙晓凯 田凤美 +2 位作者 靳迎松 张福庆 胡明强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期312-316,共5页
基于钝化发射极和背面接触(PERC)太阳电池工艺,对选择性发射极晶体硅双面PERC太阳电池背面效率及双面率优化进行了研究。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,制备了背面为AlOx/SiNx钝化膜层的双面PERC太阳电池。提出了几种不同背... 基于钝化发射极和背面接触(PERC)太阳电池工艺,对选择性发射极晶体硅双面PERC太阳电池背面效率及双面率优化进行了研究。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,制备了背面为AlOx/SiNx钝化膜层的双面PERC太阳电池。提出了几种不同背面钝化膜层的设计方案,分析了不同设计方案对双面PERC太阳电池背面效率及双面率的影响。测试结果表明,采用背面AlOx/SiNx叠层钝化膜、SiNx双层减反射膜、较大折射率梯度SiN_x膜层、较薄AlOx膜层及较薄SiNx膜层工艺,对提升双面PERC太阳电池背面效率及电池双面率效果显著,用最优设计方案制备的双面PERC太阳电池,其背面效率和双面率分别为14.96%和68.69%。 展开更多
关键词 双面发射极和背面接触(PERC)太阳电池 背面效率 双面率 双面减反射膜
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电注入退火对多晶硅PERC太阳电池性能的影响 被引量:3
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作者 彭嘉琪 沈鸿烈 +4 位作者 魏青竹 倪志春 赵磊 顾浩 王明明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期117-125,共9页
对掺镓和掺硼的二种多晶硅钝化发射极和背面电池进行了电注入退火研究,分别用Halm电学性能测试仪和量子效率测试仪分析了它们在不同条件处理后的电学性能和外量子效率变化.结果表明,以8.0A的注入电流在260℃的温度下处理2h,有利于促进... 对掺镓和掺硼的二种多晶硅钝化发射极和背面电池进行了电注入退火研究,分别用Halm电学性能测试仪和量子效率测试仪分析了它们在不同条件处理后的电学性能和外量子效率变化.结果表明,以8.0A的注入电流在260℃的温度下处理2h,有利于促进电池由衰减态向再生态转变,电注入退火后电池的转换效率增加了0.83%,在光照5h后比初始值仅衰减了0.61%.电注入退火能有效降低多晶硅钝化发射极和背面电池的光致衰减效应,掺镓多晶硅钝化发射极和背面电池具有更低的光致衰减效应,相比掺硼多晶硅钝化发射极和背面电池光致衰减值降低了约50%. 展开更多
关键词 光电材料 太阳能 电注入退火 多晶硅钝化发射极和背面电池 光致衰减效应
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PERC结构多晶硅太阳电池的研究 被引量:10
10
作者 赵素香 张松 +2 位作者 王振交 李果华 季静佳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期939-942,968,共5页
高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标。多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差。背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术。通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成... 高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标。多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差。背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术。通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成背面局部接触,制备钝化发射极和背表面电池(PERC)结构多晶硅太阳电池。采用恒光源I-V特性测试系统测试其电性能,结果表明:较之常规铝背场多晶硅太阳电池,PERC结构电池在开路电压Voc、短路电流密度Jsc、转换效率η方面分别提高了13 mV、1.8 mA/cm2和0.67%(绝对值),其转换效率达到17.27%。PERC结构多晶硅电池采用了常规丝网印刷工艺,有利于实现高效多晶硅电池的产业化生产,具有很高的实际意义。 展开更多
关键词 多晶硅太阳电池 背面 背面局部接触 发射极和背表面电池(PERC) SIO2 SiNx叠层膜
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PECVD SiO_2-SiN_X叠层钝化膜的研究 被引量:4
11
作者 韩培育 季静佳 +1 位作者 王振交 李果华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1549-1552,共4页
首先使用正交设计法对SiN_X和SiO_2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO_2-SiN_X叠层钝化膜,并与SiN_X单层钝化膜进行比较。通过测试硅... 首先使用正交设计法对SiN_X和SiO_2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO_2-SiN_X叠层钝化膜,并与SiN_X单层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化,考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果,结果表明SiO_2-SiN_X叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率,其反射率曲线基本相同。最后,测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能,其短路电流和开路电压均比采用SiN_X单层膜的电池要好,转换效率提高了0.25%。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳电池 PECVD 二氧 减反射
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SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究 被引量:1
12
作者 郜小勇 卢景霄 +2 位作者 李仲明 许颖 励旭东 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第2期39-41,共3页
从简化步骤、降低成本的角度出发 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法在低纯颗粒带硅 (SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池 .测试结果表明 ,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了 3 .5 7%的转换效率 .并在此基... 从简化步骤、降低成本的角度出发 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法在低纯颗粒带硅 (SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池 .测试结果表明 ,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了 3 .5 7%的转换效率 .并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术 。 展开更多
关键词 颗粒带硅 气相沉积 多晶硅薄膜 太阳电池 转换效率 快速生长
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背面点接触结构在晶体硅太阳电池中的应用 被引量:5
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作者 陶路平 陈达明 洪瑞江 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第13期124-129,共6页
背面点接触结构晶体硅太阳电池是实验室高效电池的一种。介绍了目前研究较多的两种背面点接触晶体硅太阳电池,比较了几种背部结构的设计方法和制造工艺,包括背面钝化层的材料选择、背反射层的光学性能、去背结技术以及点电极结构的设计... 背面点接触结构晶体硅太阳电池是实验室高效电池的一种。介绍了目前研究较多的两种背面点接触晶体硅太阳电池,比较了几种背部结构的设计方法和制造工艺,包括背面钝化层的材料选择、背反射层的光学性能、去背结技术以及点电极结构的设计等。并展望了背面点接触太阳电池在工业生产上的前景。 展开更多
关键词 背面点电极 晶体硅太阳电池 背面
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工业化双面PERC太阳电池研究 被引量:3
14
作者 王岚 谢耀辉 +3 位作者 余波 张元秋 常青 张冠纶 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期77-82,共6页
单面PERC电池已在实验室和产业化都证明了具有高的光电转换效率,兼容现有常规电池生产线,其生产工艺已逐渐变成单晶硅太阳电池的主流工艺。通过将PERC电池背面的全铝背场改成印刷铝栅线结构,可将单面PERC电池制作成为双面PERC电池。该... 单面PERC电池已在实验室和产业化都证明了具有高的光电转换效率,兼容现有常规电池生产线,其生产工艺已逐渐变成单晶硅太阳电池的主流工艺。通过将PERC电池背面的全铝背场改成印刷铝栅线结构,可将单面PERC电池制作成为双面PERC电池。该文讨论高效双面PERC电池制作工艺,包括背面抛光反射率,背面氮化硅钝化膜的膜厚和折射率,背面导电铝浆对电池转换效率的影响,通过优化上述工艺,制作正面转换效率为21.67%及背面转换效率为16.06%,双面率为74.11%,可量产双面PERC太阳电池。 展开更多
关键词 双面PERC太阳电池 背面 背面抛光 反射率 导电铝浆
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管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究
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作者 黄嘉斌 赵增超 +3 位作者 李明 陈俊 邓新新 周小荣 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期334-340,共7页
报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3... 报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3)的流量、沉积功率等沉积参数,可获得不同厚度、结晶度和掺杂浓度的掺杂非晶硅(a-Si(n^(+)))薄膜,然后通过高温退火得到不同的Poly-Si(n^(+))薄膜,从而导致SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))钝化接触在钝化质量和载流子选择性等方面的不同特性。最后在沉积温度480℃、Ar流量8 L/min、PH_(3)流量0.8 L/min、沉积功率12000 W、退火温度920℃的条件下获得最佳双面SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))/SiN_(x)钝化接触,少子寿命达到6445μs,隐含开路电压(iV_(oc))达到742.7 mV以上,单面饱和电流密度J_(0)低至4.2 fA/cm^(2)。 展开更多
关键词 硅基太阳电池 多晶硅 掺杂 等离子增强学气相沉积
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用于制备硅LED的太阳能电池技术
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作者 杨广华 毛陆虹 +1 位作者 张彬 郭维廉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期829-832,共4页
集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长。所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题。采取降低... 集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长。所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题。采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光。介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术。 展开更多
关键词 光电子集成电路 硅光发射器件 太阳能电池 发射极背面点扩散 非晶硅
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背表面掺杂对n型TOPCon电池特性的影响研究 被引量:10
17
作者 吕欣 林涛 董鹏 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期41-45,共5页
为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试。结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2~3)×10^(20)/cm^(3),且当激活的磷掺杂源穿透SiO_... 为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试。结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2~3)×10^(20)/cm^(3),且当激活的磷掺杂源穿透SiO_(x)层并在Cz-Si基体中具有一定的"穿透扩散"剖面时,电池背表面的钝化效果达到最优值,使得背表面暗饱和电流密度值J;小于2.5 fA/cm^(2),达到目前行业的先进水平,同时基于最优的背表面钝化结果进行电池制作,电池平均转换效率超过22.43%。 展开更多
关键词 多晶硅 硅基太阳电池 TOPCon 隧穿氧
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PERL结构单晶硅太阳电池的研究 被引量:2
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作者 陈丽萍 王永谦 +6 位作者 钱洪强 陆红艳 陈如龙 杨健 李果华 朱景兵 施正荣 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2170-2174,共5页
通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,PECVD沉积掺硼氧化硅结合激光掺杂形成局部背场,依次经过背面溅射铝、低温烧结形成背面电极,电镀形成正面电极制备PERL结构单晶硅太阳电池。对比不同清洗条件对表面钝化的影响,背面电极不同烧... 通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,PECVD沉积掺硼氧化硅结合激光掺杂形成局部背场,依次经过背面溅射铝、低温烧结形成背面电极,电镀形成正面电极制备PERL结构单晶硅太阳电池。对比不同清洗条件对表面钝化的影响,背面电极不同烧结条件对单晶PERL电池电性能的影响,优化后单晶电池转换效率可达20.36%。 展开更多
关键词 单晶硅太阳电池 背面 激光掺杂 发射极背面局域扩散(PERL)
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薄晶体硅PERC电池的工艺研究 被引量:6
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作者 尹庆磊 姜辰明 +1 位作者 王学孟 沈辉 《可再生能源》 CAS 北大核心 2015年第10期1445-1449,共5页
随着切割技术的进步,晶体硅电池制作得越来越薄,这符合晶体硅电池降低成本、提高效率的技术发展趋势。文章模拟了不同厚度钝化发射极及背局域接触(PERC)电池的效率;基于110,130,150,170μm 4种厚度的单晶硅薄片制作了PERC电池,通过表征... 随着切割技术的进步,晶体硅电池制作得越来越薄,这符合晶体硅电池降低成本、提高效率的技术发展趋势。文章模拟了不同厚度钝化发射极及背局域接触(PERC)电池的效率;基于110,130,150,170μm 4种厚度的单晶硅薄片制作了PERC电池,通过表征其I-U特性、量子效率(QE)、电致发光(EL)来研究薄片电池制作的工艺问题。 展开更多
关键词 效率 切割技术 发射极及背局域接触电池
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多层减反射膜对PERC太阳电池性能的影响 被引量:2
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作者 庞恒强 丁胜 +1 位作者 卢宁 薛凯 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期452-460,431,共10页
优化晶体硅材料的光学特性,可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在钝化发射极和背表面太阳电池(PERC)上成功制备出叠层结构的多层减反射薄膜提升硅材料的光学特性。研究结果表明,正面使... 优化晶体硅材料的光学特性,可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在钝化发射极和背表面太阳电池(PERC)上成功制备出叠层结构的多层减反射薄膜提升硅材料的光学特性。研究结果表明,正面使用二氧化硅(SiO_(2))、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅作为器件的叠层介质膜,将SiO_(2)/Si优良的界面性质和SiNx、氮氧化硅稳定的化学性质结合起来,使器件具有稳定的钝化特性。在叠层结构器件中,SiO_(2)作为缓冲层有利于减少光学损失和钝化表面缺陷态,薄的SiO_(2)几乎不会对多层减反结构产生干扰。SiNx可以有效降低光在器件表面的光学反射率,增加光的透射从而减少器件本身的光学损失。氨气有助于强化氢气在硅片表面的扩散,降低长波的光学损失和降低表面复合速率。PECVD制备的氮氧化硅在短波区域具有很好的吸收效果,表面复合速率明显下降,有效提高器件的短波响应。与此同时,经过热处理的减反射薄膜还可以钝化器件的缺陷,最终提升太阳能电池的减反射性能和钝化性能。 展开更多
关键词 发射极和背面电池 氮氧硅薄膜 叠层介质膜 反射率 转换效率
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