题名 多晶硅纳米膜压阻超薄微梁加速度敏感结构
被引量：4
1
作者
揣荣岩 白羽 吴美乐 代全 靳晓诗
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2013年第1期1-3,15,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776049) 辽宁省科学技术基金资助项目(20072036)
文摘
随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展,硅基加速度传感器已经得到广泛应用。但在敏感结构设计中,普遍存在灵敏度与固有谐振频率相互制约的矛盾。为此,采用多晶硅纳米膜作应变电阻,设计了300 nm超薄微梁加速度敏感结构。这种结构的设计改善了灵敏度与谐振频率之间的矛盾,使两者乘积值提高了30余倍,从而使压阻加速度计的性能得到大幅提升。
关键词
加速度传感器 多晶硅纳米膜 压阻式 超薄微梁 谐振频率
Keywords
acceleration sensor polysilicon nanofilms piezoresistive ultra-thin micro-beam resonant frequency
分类号
TN61
[电子电信—电路与系统]
TN65
[电子电信—电路与系统]
题名 膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响
被引量：3
2
作者
刘晓为 潘慧艳 揣荣岩 王喜莲 李金锋
机构
哈尔滨工业大学MEMS中心
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期2421-2425,共5页
文摘
重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右.
关键词
多晶硅纳米膜 压阻温度特性 应变系数 电阻率温度系数(TCR) 应变系数的温度系数(TCGF)
Keywords
polysilicon nanofilm piezoresistive temperature properties gauge factor temperature coefficient of resistance(TCR) temperature coefficient of gauge factor(TCGF)
分类号
TP212.1
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
题名 压阻式高固有频率Z轴加速度敏感结构
被引量：3
3
作者
揣荣岩 代全 王健 梁峭 衣畅
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳仪表科学研究院有限公司
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第9期4-7,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61372019)
文摘
基于微机电系统(MEMS)技术的加速度传感器因其性价比高、易于集成化而得到广泛应用,但在普通MEMS加速度敏感结构中仍然存在灵敏度和固有频率相互制约的弱点。为此,文中优化设计了一种压阻式新型加速度敏感结构,该结构在弹性梁加质量块的基本结构上引入了敏感微梁,在保证高灵敏度的同时,显著提高了固有频率。其灵敏度与固有频率的乘积可比普通MEMS加速度计提高25倍以上。
关键词
加速度传感器 压阻式 高固有频率 微梁 多晶硅纳米膜 MEMS
Keywords
acceleration sensor piezoresistive high natural frequency miro-beam polysilicon nanofilms MEMS
分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
题名 基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片
被引量：3
4
作者
揣荣岩 王健 代全 杨理践
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳化工大学信息工程学院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1615-1621,共7页
基金
国家自然科学基金项目(61372019)
文摘
提出了一种基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片。这种传感器充分利用了多晶硅机械特性和多晶硅纳米膜的压阻特性优势,提高了传感器满量程输出和过载能力。利用有限元方法设计了仿真模型,通过对弹性膜片应力分布的静态分析和非线性接触分析,给出了提高这种压力传感器满量程输出和过载能力的设计方法。并试制了量程为2.5 MPa的传感器芯片样品。测试结果表明样品的过载压力超过7倍量程,5 V供电条件下,满量程输出达到362 m V。
关键词
压力传感器 过载保护 牺牲层技术 多晶硅纳米膜
Keywords
pressure sensor overload protection sacrificial layer technology polysilicon nanofilm
分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
