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多晶硅生产中回收氢气的净化 被引量:16
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作者 刘建军 《有色冶炼》 2000年第6期17-19,共3页
本文介绍了回收氢气净化的基本原理、工艺流程 ,及用回收氢气生产多晶硅的实践结果 ,分析了半导体多晶硅生产中 。
关键词 活性炭 多晶硅生产 回收氢气 净化
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多晶硅生产企业本质安全化设计的探讨 被引量:2
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作者 陈亮 《中国有色冶金》 北大核心 2009年第5期30-32,54,共4页
叙述了多晶硅生产线设计和建设中进行本质安全化设计的必要性。通过分析可行性研究、工艺设计、初步设计、施工图设计等各阶段本质安全化设计的目标和方法,探索了多晶硅生产工艺研发中的本质安全化设计策略,提出了多晶硅生产过程的本质... 叙述了多晶硅生产线设计和建设中进行本质安全化设计的必要性。通过分析可行性研究、工艺设计、初步设计、施工图设计等各阶段本质安全化设计的目标和方法,探索了多晶硅生产工艺研发中的本质安全化设计策略,提出了多晶硅生产过程的本质安全化设计流程。 展开更多
关键词 多晶硅生产 本质安全 设计 目标 流程
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多晶硅生产冷却循环水系统及水质控制技术 被引量:2
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作者 段超 王会林 +4 位作者 裴蕾 孙强 张晓伟 张征 杨栋 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2021年第1期45-48,共4页
多晶硅生产过程的冷却循环水系统主要用来为物料降温,一般分为开式循环水系统和闭式循环水系统。开式循环水系统主要工艺部件是开放式的,补水来源一般为工业软化水,循环水在运行过程中会发生CO2含量降低、碱度增加、pH值升高、浊度增加... 多晶硅生产过程的冷却循环水系统主要用来为物料降温,一般分为开式循环水系统和闭式循环水系统。开式循环水系统主要工艺部件是开放式的,补水来源一般为工业软化水,循环水在运行过程中会发生CO2含量降低、碱度增加、pH值升高、浊度增加等情况,需要对冷却水的指标进行监测和控制,并选择适合的水处理药剂进行投加。闭式循环水系统为密闭系统,循环用水要求较严,相较于开式循环水系统,组成部件更加复杂,但水质控制较为容易。目前较新的水质控制技术包括无磷配方除垢剂、电子除垢仪和新型防垢防腐蚀合金材料,这些新技术的使用可以减少后期成本投入,并且能减少甚至消除冷却塔及设备的清洗频次,在新厂建设及技改项目中,应尽量选用。 展开更多
关键词 多晶硅生产 冷却循环水系统 水质控制 无磷配方除垢剂 电子除垢仪 新型防垢防腐蚀合金材料
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单、多晶硅生产废水处理站升级改造工艺设计 被引量:7
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作者 陈伟 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期81-84,共4页
针对浙江某阳光能源有限公司排放的单、多晶硅生产废水的特点,采用"混凝沉淀-水解酸化-活性污泥"作为主体处理工艺,工程设计规模1 000 m3/d。工程实践表明:出水水质稳定达到并高于《污水综合排放标准》(GB8978—1996)的三级... 针对浙江某阳光能源有限公司排放的单、多晶硅生产废水的特点,采用"混凝沉淀-水解酸化-活性污泥"作为主体处理工艺,工程设计规模1 000 m3/d。工程实践表明:出水水质稳定达到并高于《污水综合排放标准》(GB8978—1996)的三级排放标准。系统运行稳定,耐冲击负荷,处理成本低,系统COD总去除率大于92%,SS总去除率大于90%。着重介绍了升级改造工程处理工艺的选择、工程设计参数、设备配置等情况,总结了改造后工程运行效果。 展开更多
关键词 多晶硅生产废水 混凝沉淀 水解酸化
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多晶硅行业中氯硅烷残液处理利用的研究进展 被引量:3
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作者 王金可 刘春雨 +1 位作者 马跃 岳长涛 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期9-19,共11页
生产多晶硅的过程中会产生大量的氯硅烷残液,如果处理不好,会造成很大程度的环境污染和资源浪费。因此,对于氯硅烷残液的处理与利用是多晶硅行业必须面对的一个难题。今对改良西门子法生产多晶硅时氯硅烷残液的来源进行介绍,综述关于氯... 生产多晶硅的过程中会产生大量的氯硅烷残液,如果处理不好,会造成很大程度的环境污染和资源浪费。因此,对于氯硅烷残液的处理与利用是多晶硅行业必须面对的一个难题。今对改良西门子法生产多晶硅时氯硅烷残液的来源进行介绍,综述关于氯硅烷残液和氯硅烷高沸物组成的相关研究。对目前处理氯硅烷残液涉及的各种方法进行了总结,分析了每种方法的优缺点。其中的水解法和燃烧法等在目前的应用广泛且工艺成熟,但存在一定程度的环境污染以及产品附加值较低造成资源浪费的问题,分析表明通过精馏法和催化裂解法处理氯硅烷残液,可以得到高附加值的产品,实现无害化处理和资源化利用。最后提出精馏法和催化裂解法具有广阔的应用前景,并指出了它们在未来的发展方向。 展开更多
关键词 多晶硅生产 氯硅烷残液 氯硅烷高沸物 废物处理 无害化处理 资源化利用
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三种有机膦酸阻垢剂对碳酸钙晶面吸附作用的分子动力学研究 被引量:1
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作者 郭民 李春松 +2 位作者 任学平 危胜 郑永良 《化学与生物工程》 CAS 2015年第6期60-63,共4页
结合多晶硅实际生产工艺,采用分子动力学模拟方法研究了3种典型有机膦酸阻垢剂NTMP、EDTMP和DTPMP与碳酸钙晶面的吸附作用。结果表明:3种有机膦酸阻垢剂分子能够自发吸附在碳酸钙晶面上,吸附能为负值,吸附过程为放热过程;对碳酸钙(110)... 结合多晶硅实际生产工艺,采用分子动力学模拟方法研究了3种典型有机膦酸阻垢剂NTMP、EDTMP和DTPMP与碳酸钙晶面的吸附作用。结果表明:3种有机膦酸阻垢剂分子能够自发吸附在碳酸钙晶面上,吸附能为负值,吸附过程为放热过程;对碳酸钙(110)面的吸附作用强于(104)面,会优先吸附在(110)面上;吸附能主要由静电作用能和范德华作用能组成,其中静电作用能远大于范德华作用能,占主导作用;对方解石晶面吸附作用的顺序是DTPMP>EDTMP>NTMP,对碳酸钙垢阻垢作用顺序是DTPMP>EDTMP>NTMP,吸附作用越大,对碳酸钙垢抑制作用越强。 展开更多
关键词 多晶硅生产工艺 水处理 有机膦酸阻垢剂 碳酸钙 阻垢 动力学
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