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题名一种高压大电流IGBT的设计与实现
被引量：2
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作者
张炜
余庆
张斌
张世峰
韩雁
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机构
浙江大学信电系微电子与光电子研究所
华越微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期747-751,共5页
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基金
浙江省重大科技专项重点工业项目(2013C01120)
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文摘
提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计。通过分析及仿真确定元胞的结构参数;采用场限环与场板相结合的终端结构,讨论场板的设置对终端结构的影响,提出了多晶硅场板设置的方案;流片完成后进行半桥模块的封装,并对模块进行了测试。击穿电压达1 700 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 ns、关断功耗小于30 mJ,均达到设计要求。导通饱和压降3.5 V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进。
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关键词
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
元胞结构
终端结构
高压大电流
多晶硅场板
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Keywords
insulated gate bipolar translator（IGBT）
cell structure
terminal structure
high voltoge and current
polysilicon field plate
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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