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GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质中的应用研究
1
作者 王鑫 陈潇 +2 位作者 何友琴 张鑫 王东雪 《电子质量》 2025年第2期73-76,共4页
采用辉光放电质谱法(GD-MS)对太阳能级多晶硅中的Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等痕量杂质元素进行了测定,通过优化并选择GD-MS的工作参数,考察了在半定量条件下GD-MS法测定痕量杂质的精密度。结果表明,采用GD-MS法测定太阳能级多... 采用辉光放电质谱法(GD-MS)对太阳能级多晶硅中的Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等痕量杂质元素进行了测定,通过优化并选择GD-MS的工作参数,考察了在半定量条件下GD-MS法测定痕量杂质的精密度。结果表明,采用GD-MS法测定太阳能级多晶硅中Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等元素时相对标准偏差都小于30%。并将GD-MS法的测定结果与电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)的测定结果进行了对比,结果表明两者的测试结果基本一致,从而证明了GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质方面的有效性。 展开更多
关键词 太阳能级多晶硅 辉光放电质谱法 杂质元素
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水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面质量的机理
2
作者 张潇 周建伟 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《微纳电子技术》 2025年第4期99-107,共9页
通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学... 通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学反应,减少磨料与多晶硅表面/抛光垫的直接接触,减小了摩擦。加入的PVP与SiO_(2)颗粒之间通过氢键吸附形成软磨料,提高了抛光液的分散性,减少了SiO_(2)颗粒与多晶硅表面/抛光垫的摩擦。两种水溶性聚合物的协同作用,使得表面缺陷数量减少了94.5%,粗糙度降低至0.2 nm,提高了多晶硅表面质量。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 多晶硅 羟丙基甲基纤维素(HPMC) 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 表面质量
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气相色谱与质谱联用在多晶硅生产上的应用进展 被引量：1
3
作者 何孟 吴岷贤 +2 位作者 李剑波 刘涛 吴加勇 《石化技术》 CAS 2024年第1期77-81,共5页
多晶硅是推动国家战略能源结构和新能源产业改革,发展太阳能光伏行业的重要原材料。气相色谱技术以其卓越的分离能力和准确的测量结果,在化学分析领域发挥着至关重要的作用。研究综述了气相色谱技术及气质联用技术在多晶硅分析方面的应... 多晶硅是推动国家战略能源结构和新能源产业改革,发展太阳能光伏行业的重要原材料。气相色谱技术以其卓越的分离能力和准确的测量结果,在化学分析领域发挥着至关重要的作用。研究综述了气相色谱技术及气质联用技术在多晶硅分析方面的应用进展,介绍了气相色谱的分离机理,并结合具体应用实例对气相色谱及质谱联用技术在多晶硅生产中所涉及方面的应用进行了详细阐述。 展开更多
关键词 气相色谱 联用技术 多晶硅 进展
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国内外电子级多晶硅技术发展现状及未来展望 被引量：1
4
作者 王阳 侯乐乐 +1 位作者 王俊华 彭坤 《中国集成电路》 2024年第4期11-15,51,共6页
本文主要分析阐述了多晶硅的不同生产工艺及其优缺点。目前生产电子级多晶硅的主要方法是改良西门子法,该方法在生产过程中能耗较大,污染多,大规模量产比较困难;另外,其它两种工艺是硅烷法和氯硅烷还原法,目前仅适用于太阳能级多晶硅制... 本文主要分析阐述了多晶硅的不同生产工艺及其优缺点。目前生产电子级多晶硅的主要方法是改良西门子法,该方法在生产过程中能耗较大,污染多,大规模量产比较困难;另外,其它两种工艺是硅烷法和氯硅烷还原法,目前仅适用于太阳能级多晶硅制备,未来是否可以满足电子级多晶硅制备要求有待研究;应该看到,分析表明:若氯硅烷还原法可以制备出电子级多晶硅,那么氯硅烷还原法与改良西门子法相结合后的工艺不失为新一代生产电子级多晶硅的好方法。 展开更多
关键词 多晶硅 电子级 改良西门子法
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定向凝固进程与相变界面预测模型的解析研究与实验——以太阳能级多晶硅为例
5
作者 朱徐立 谢连发 +1 位作者 黄丹辉 陈民恺 《可再生能源》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1313-1324,共12页
在封闭的定向凝固过程中,监控和预测凝固进程和相变界面形态是业内的难点。文章采用解析法对太阳能级多晶硅定向凝固过程进行求解,获得一种高精度凝固进程数学模型,由易于测得的散热温度和凝固时间推算凝固高度、瞬时凝固速率和熔体温... 在封闭的定向凝固过程中,监控和预测凝固进程和相变界面形态是业内的难点。文章采用解析法对太阳能级多晶硅定向凝固过程进行求解,获得一种高精度凝固进程数学模型,由易于测得的散热温度和凝固时间推算凝固高度、瞬时凝固速率和熔体温度分布;通过求解Poisson(泊松)方程,建立三维的相变界面模型,揭示了熔体侧壁热流密度q值是影响界面形态的关键因素,为凝固工艺过程控制提供定量分析依据。以Si3303工业硅为原料,采用YITIPV型真空铸锭炉进行大尺寸(0.90 m×0.90 m×0.35 m)铸锭实验。对于几何对称的相变界面,凝固进程数学模型与实验曲线的最大偏差为4.43%;而对于不规则的相变界面,最大偏差为8.68%,根据实验结果修正了凝固进程模型。通过检测杂质含量、电阻率和少数载流子寿命等参数,并比较4种铸锭的典型相变界面形态,验证了三维相变界面模型的预测准确性和可靠性。该模型可以为多晶硅提纯、其他金属、非金属的精密铸造和晶体生长工艺控制提供参考。 展开更多
关键词 多晶硅 定向凝固 数学模型 解析解 相变界面
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光伏多晶硅定向凝固不平衡散热的数值研究与实验
6
作者 朱徐立 谢连发 +1 位作者 黄丹辉 陈民恺 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期30-36,共7页
定向凝固是物理法提纯光伏多晶硅的重要工艺方法。为改进传统定向凝固一维散热产生较大热应力和应变的缺点,提出一种新型不平衡散热结构和工艺方案,利用特定热阻设计和散热通道来降低热应力和应变。采用ProCAST软件对一维散热与不平衡... 定向凝固是物理法提纯光伏多晶硅的重要工艺方法。为改进传统定向凝固一维散热产生较大热应力和应变的缺点,提出一种新型不平衡散热结构和工艺方案,利用特定热阻设计和散热通道来降低热应力和应变。采用ProCAST软件对一维散热与不平衡散热进行三维数值建模,通过对比表明,不平衡散热方案较一维散热,热应力平均降幅可达52.56%,平均凝固速率增长20.67%,凝固时间减少17.10%,并且能在非一维温度场中保持相变界面的稳定。采用YITIPV型真空铸锭炉和3303工业硅原料,进行大尺寸铸锭(1 m×1 m×0.3 m)对照实验。实验证明,不平衡散热方案可以提高凝固速率和成品质量,制备的硅锭顶部更平整,实际总凝固时间减少15.75%,提纯单位重量硅的能耗降低17.86%,铸锭裂纹更少,有效体积更大。样片分析还表明,硅片平均电阻率提高7.86%,B、P、Al三种元素的杂质含量分别降低了28.6%、15.2%和83.3%。实验不但证实了不平衡散热结构和工艺的有效性,也验证了数值模型的适配性。该新型结构和工艺提高了铸锭质量和生产效率,降低了裂锭风险和成本,具备推广应用价值。 展开更多
关键词 多晶硅 定向凝固 不平衡散热 热应力 数值建模
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管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究
7
作者 黄嘉斌 赵增超 +3 位作者 李明 陈俊 邓新新 周小荣 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期334-340,共7页
报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3... 报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3)的流量、沉积功率等沉积参数,可获得不同厚度、结晶度和掺杂浓度的掺杂非晶硅(a-Si(n^(+)))薄膜,然后通过高温退火得到不同的Poly-Si(n^(+))薄膜,从而导致SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))钝化接触在钝化质量和载流子选择性等方面的不同特性。最后在沉积温度480℃、Ar流量8 L/min、PH_(3)流量0.8 L/min、沉积功率12000 W、退火温度920℃的条件下获得最佳双面SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))/SiN_(x)钝化接触,少子寿命达到6445μs,隐含开路电压(iV_(oc))达到742.7 mV以上,单面饱和电流密度J_(0)低至4.2 fA/cm^(2)。 展开更多
关键词 硅基太阳电池 钝化 多晶硅 掺杂 等离子增强化学气相沉积
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多晶硅流化床气体分布器的设计与优化
8
作者 吕子婷 江郡 +3 位作者 阚苏玉 姜龙骏 树童 钟宇航 《石油和化工设备》 CAS 2024年第7期97-100,共4页
气体分布器是影响多晶硅流化床反应器流化效果的关键内构件。本文全面梳理了多晶硅流化床分布器的设计要点,指出喷嘴的结构形式、分布器开孔率、喷嘴的布置方式和分布板的形式是在设计时需要重点考虑的因素。通过对三氯氢硅流化床反应... 气体分布器是影响多晶硅流化床反应器流化效果的关键内构件。本文全面梳理了多晶硅流化床分布器的设计要点,指出喷嘴的结构形式、分布器开孔率、喷嘴的布置方式和分布板的形式是在设计时需要重点考虑的因素。通过对三氯氢硅流化床反应器的气体分布器进行CFD模拟和优化改造发现,改进喷嘴结构、喷嘴数目和布置方式的优化方案,以及CFD数值模拟的量化分析方法,可以解决三氯氢硅流化床流化不佳,喷嘴堵塞严重的问题。 展开更多
关键词 流化床 气体分布器 喷嘴 多晶硅 流化效果
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多晶硅生产中精馏工艺优化研究
9
作者 刘建海 《中国高新科技》 2024年第2期117-119,共3页
近年来,市场经济结构的调整对多晶硅生产行业带来了一定的挑战。面对更加激烈的竞争环境,企业为了提高市场生存能力并保持竞争力,必须降低成本、提高效率,改善产品生产质量。文章通过对多晶硅生产工艺中原料提纯合成、精馏工艺、反歧化... 近年来,市场经济结构的调整对多晶硅生产行业带来了一定的挑战。面对更加激烈的竞争环境,企业为了提高市场生存能力并保持竞争力,必须降低成本、提高效率,改善产品生产质量。文章通过对多晶硅生产工艺中原料提纯合成、精馏工艺、反歧化工艺、精馏除杂工艺进行深入研究和优化,旨在提高多晶硅的生产质量,为市场提供高品质的多晶硅产品。 展开更多
关键词 多晶硅 精馏工艺 反歧化工艺 优化
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多晶硅项目电气设计要点及优化浅析
10
作者 陈楠 《现代建筑电气》 2024年第4期57-62,共6页
随着科技的发展和新兴产业的需求,多晶硅这一重要的半导体材料在电子工业中扮演着关键角色。近年来,信息技术和太阳能产业的飞速进步,使得全球对多晶硅的需求急剧增加,市场供不应求。光伏产业发展成为绿色低碳发展的新发展理念的重要载... 随着科技的发展和新兴产业的需求,多晶硅这一重要的半导体材料在电子工业中扮演着关键角色。近年来,信息技术和太阳能产业的飞速进步,使得全球对多晶硅的需求急剧增加,市场供不应求。光伏产业发展成为绿色低碳发展的新发展理念的重要载体,多晶硅产业作为太阳能光伏产业的基础原料,其产业在近几年迎来了井喷式的爆发。总结多晶硅项目的电气设计要点,探究其优化方案,可有效降低项目成本,提升项目设计质量,达到降本增效的目的。 展开更多
关键词 多晶硅 电气设计 设计优化 成本优化
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多模式遮挡效应对多晶硅光伏组件输出性能的影响研究
11
作者 宋向波 王康 +4 位作者 刘明 刘廷森 唐艳玲 刘爽 林顺伦 《楚雄师范学院学报》 2024年第3期8-15,共8页
光伏组件在实际工程应用中因各种异物遮挡会形成不同阴影遮挡,导致组件输出性能减弱。本文以多晶硅光伏组件为研究对象,采用实验手段探究多模式遮挡效应对实际组件输出电性能的影响。结果表明:单片电池不同遮挡比例对组件输出电压、电... 光伏组件在实际工程应用中因各种异物遮挡会形成不同阴影遮挡,导致组件输出性能减弱。本文以多晶硅光伏组件为研究对象,采用实验手段探究多模式遮挡效应对实际组件输出电性能的影响。结果表明:单片电池不同遮挡比例对组件输出电压、电流、功率均有明显影响,遮挡面积越大组件功率下降百分比越大;电池遮挡片数对组件输出电压、电流、功率影响更为显著,当遮挡片数为3片时,三个时间段组件功率下降百分比均已达80%以上;不同遮挡方式对组件输出电流和功率影响较电压大,当采用双列横向遮挡方式时,功率下降百分比达95%以上;不同遮挡位置主要通过影响组件输出电流以影响输出功率,采用对角遮挡时组件功率下降百分比达到80%以上,中午时段尤为明显,接近90%。本文研究结果为多晶硅光伏组件系统应用提供数据支持。 展开更多
关键词 遮挡效应 多模式 多晶硅组件 输出性能
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多晶硅废水处理过程中的关键因素分析
12
作者 郭海龙 张利华 +2 位作者 马玺坤 贺庭盛 张景琪 《大众标准化》 2024年第18期62-64,共3页
随着我国光伏产业的迅猛发展,多晶硅作为主要的基础材料,市场需求量不断增加,然而多晶硅废水在处理过程中仍存在的诸多难点亟待解决。结合多晶硅废水处理传统工艺,从来水水质分析、制约当前多晶硅废水处理的关键因素,以及多晶硅废水零... 随着我国光伏产业的迅猛发展,多晶硅作为主要的基础材料,市场需求量不断增加,然而多晶硅废水在处理过程中仍存在的诸多难点亟待解决。结合多晶硅废水处理传统工艺,从来水水质分析、制约当前多晶硅废水处理的关键因素,以及多晶硅废水零排放工艺的未来展望进行了简要的论述,力求能够为多晶硅废水处理行业提供部分参考意见,携手打破技术壁垒,早日实现多晶硅废水零排放、无害化的可持续发展路线。 展开更多
关键词 多晶硅 废水处理 硅渣 零排放
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多晶硅薄膜材料与器件研究进展 被引量：3
13
作者 饶瑞 徐重阳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期25-26,共2页
多晶硅薄膜材料一直在半导体领域中扮演着重要角色。综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展。
关键词 多晶硅薄膜 多晶硅薄膜器件 应用 CVD SPC
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硅片预清洗处理对LPCVD多晶硅薄膜生长的影响分析
14
作者 郭国超 姜波 《集成电路应用》 2024年第4期48-49,共2页
阐述不同预清洗条件下,晶片表面化学键状态的变化对LPCVD多晶硅沉积速率和晶粒大小的影响,通过实验优化预清洗条件,实现颗粒数降低,同时保持多晶硅薄膜的晶粒大小和沉积速率的稳定。
关键词 集成电路制造 LPCVD 多晶硅薄膜 预清洗
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基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文) 被引量：1
15
作者 赵淑云 孟志国 +2 位作者 吴春亚 王文 郭海成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期812-817,共6页
以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅... 以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70 ～80 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为1 .5 V/decade ,开关电流比为1 .01×107,开启电压为-8 .3 V。另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性。 展开更多
关键词 碟型晶畴多晶硅薄膜 多晶硅TFTs TFT稳定性
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电子级多晶硅副产综合利用
16
作者 王少帅 魏富增 +1 位作者 王俊华 师文苏 《中国集成电路》 2024年第11期31-35,共5页
随着国内数字经济的蓬勃发展,使我国集成电路产业方面面临更高的技术要求,电子级多晶硅作为集成电路的上游端,生产高质量的芯片用电子级多晶硅是未来行业的主流,而在生产过程中产生的副产物(二氯二氢硅、六氯乙硅烷、氯化氢、氢气、四... 随着国内数字经济的蓬勃发展,使我国集成电路产业方面面临更高的技术要求,电子级多晶硅作为集成电路的上游端,生产高质量的芯片用电子级多晶硅是未来行业的主流,而在生产过程中产生的副产物(二氯二氢硅、六氯乙硅烷、氯化氢、氢气、四氯化硅),作为电子特气具有很高的利用价值,是集成电路、显示面板、半导体照明、光伏等行业制造过程中不可或缺的关键性材料,是集成电路制造的第二大制造材料[1]。本文对副产电子特气及其分离的主要工艺进行了分析,同时对其分类、提纯及用途作了阐述。 展开更多
关键词 芯片用电子级多晶硅 电子特气 副产物
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我国多晶硅市场现状及发展建议
17
作者 赵帅 张松 《石油石化绿色低碳》 2024年第6期16-21,32,共7页
“双碳”背景下,国内可再生能源消费占比逐步提升,带动光伏产业迅猛发展。多晶硅是光伏产业上游,目前国内多晶硅市场严重过剩,未来市场供需形势仍不容乐观。该文概括了国内多晶硅行业发展情况,重点阐述了多晶硅市场和技术现状、分析了... “双碳”背景下,国内可再生能源消费占比逐步提升,带动光伏产业迅猛发展。多晶硅是光伏产业上游,目前国内多晶硅市场严重过剩,未来市场供需形势仍不容乐观。该文概括了国内多晶硅行业发展情况,重点阐述了多晶硅市场和技术现状、分析了改良西门子法与硅烷流化床法工艺发展趋势,并预测展望未来市场变化。未来布局多晶硅业务需在技术上不断突破,产业链实现上下游协同,生产上逐步降低产品碳排放强度并关注多晶硅业务发展的潜在制约点和风险,引导我国多晶硅产业健康发展。 展开更多
关键词 光伏 多晶硅 市场 改良西门子法 硅烷流化床法 成本竞争力 发展趋势
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多晶硅铸锭炉中准单晶硅锭的生长 被引量：4
18
作者 侯炜强 《电子工艺技术》 2013年第2期118-121,共4页
介于多晶硅和单晶硅之间的准单晶生长技术逐渐被人们所重视。通过分析单晶硅晶体生长和多晶硅晶体生长的特点,在自主研发的多晶硅铸锭的基础上,介绍了如何通过设备改进和工艺改进,生长出晶体结构优于多晶硅的准单晶。准单晶制作的电池... 介于多晶硅和单晶硅之间的准单晶生长技术逐渐被人们所重视。通过分析单晶硅晶体生长和多晶硅晶体生长的特点,在自主研发的多晶硅铸锭的基础上,介绍了如何通过设备改进和工艺改进,生长出晶体结构优于多晶硅的准单晶。准单晶制作的电池片光伏转换效率显著高于多晶硅。 展开更多
关键词 单晶硅 多晶硅 准单晶 多晶硅铸锭炉 铸锭工艺
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柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性 被引量：2
19
作者 岳致富 吴勇 +3 位作者 李喜峰 杨祥 姜姝 许云龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1205-1209,共5页
研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·... 研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。 展开更多
关键词 柔性 低温多晶硅薄膜晶体管 低温多晶硅 弯曲 稳定性
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多晶硅薄膜材料与器件研究进展
20
作者 熊家国 《国外建材科技》 2006年第3期8-10,共3页
多晶硅薄膜材料一直在半导体领域扮演着重要的角色。综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展。
关键词 多晶硅薄膜 多晶硅薄膜器件 应用
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