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多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性
1
作者
刘晓静
高斐
+4 位作者
赵卓斋
孙文超
张君善
宋美周
李宁
《陕西师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期23-26,共4页
采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明...
采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明:用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82eV,与块体Ge材料相比,Ge-ncs吸收谱显示出0.16eV的带隙宽化.这种现象主要是由Ge-ncs中的量子限制效应导致的,采用sp3紧束缚理论模式可得到很好解释.
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关键词
多层ge纳米晶
磁控溅射
椭圆偏振光谱法
光学特性
量子限域效应
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职称材料
用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶
被引量：
1
2
作者
晏春愉
高斐
+4 位作者
张佳雯
方晓玲
刘伟
孙杰
权乃承
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期705-709,共5页
以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-G...
以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动。X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中。透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好。实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性。
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关键词
多层ge纳米晶
磁控溅射
退火
超
晶
格方法
均匀性
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职称材料
题名
多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性
1
作者
刘晓静
高斐
赵卓斋
孙文超
张君善
宋美周
李宁
机构
陕西师范大学物理学与信息技术学院
陕西光伏产业有限公司
西北工业大学软件与微电子学院
出处
《陕西师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期23-26,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61040057)
中央高校基本科研业务费专项资金项目(GK000902052)
文摘
采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明:用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82eV,与块体Ge材料相比,Ge-ncs吸收谱显示出0.16eV的带隙宽化.这种现象主要是由Ge-ncs中的量子限制效应导致的,采用sp3紧束缚理论模式可得到很好解释.
关键词
多层ge纳米晶
磁控溅射
椭圆偏振光谱法
光学特性
量子限域效应
Keywords
multilayered
ge
nanocrystals
magnetron sputtering
ellipsometry
optical properties
quantum confinement effect
分类号
G633.7 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶
被引量：
1
2
作者
晏春愉
高斐
张佳雯
方晓玲
刘伟
孙杰
权乃承
机构
陕西师范大学物理与信息技术学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期705-709,共5页
文摘
以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动。X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中。透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好。实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性。
关键词
多层ge纳米晶
磁控溅射
退火
超
晶
格方法
均匀性
Keywords
multilayered
ge
nanocrystals
magnetron sputtering
annealing
superlattice approach
uniformity
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性
刘晓静
高斐
赵卓斋
孙文超
张君善
宋美周
李宁
《陕西师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
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职称材料
2
用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶
晏春愉
高斐
张佳雯
方晓玲
刘伟
孙杰
权乃承
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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引证文献
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