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功率晶体管管芯背面多层金属电极工艺 被引量:2
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作者 韩述斌 任忠祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期42-43,共2页
以功率晶体管BU406管芯为例采用背面多层电极工艺,大大提高了器件的抗热疲劳性、稳定性和可靠性。
关键词 功率晶体管 产级面 多层金属电极 电极
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无引线封装高温压力传感器 被引量:12
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作者 田雷 尹延昭 +1 位作者 苗欣 吴佐飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期921-925,共5页
研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(S01)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电极技术,提高了传感器使用温度。... 研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(S01)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电极技术,提高了传感器使用温度。封装时,将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合;在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔,将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接,形成无引线封装结构。采用无油封装方法,避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题。对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析,并对无引线封装方法进行了研究。对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试。测试结果与设计相符,其中传感器的测量范围为0—0.7MPa,非线性优于0.2%FS,工作温度上限可达450cC。 展开更多
关键词 无引线封装 高温 压力传感器 绝缘上硅(SOI) 多层金属电极
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