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一种无损测量多层半导体材料厚度的新方法
1
作者
成伟
胡仓陆
+1 位作者
周玉鉴
徐晓兵
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期260-262,共3页
通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手,提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理,将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算,从而可直接得出多层半导体材料厚度,使用该...
通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手,提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理,将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算,从而可直接得出多层半导体材料厚度,使用该方法得到的半导体层厚度误差<9%,满足测试精度要求。此方法可用于半导体外延片材料分析、工艺提高以及批量无损测量。
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关键词
多层半导体材料
激活
层
分光光度计
砷化镓
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职称材料
题名
一种无损测量多层半导体材料厚度的新方法
1
作者
成伟
胡仓陆
周玉鉴
徐晓兵
机构
西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期260-262,共3页
文摘
通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手,提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理,将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算,从而可直接得出多层半导体材料厚度,使用该方法得到的半导体层厚度误差<9%,满足测试精度要求。此方法可用于半导体外延片材料分析、工艺提高以及批量无损测量。
关键词
多层半导体材料
激活
层
分光光度计
砷化镓
Keywords
multilayer semiconductor material
active layer
spectrophotometer
GaAs
分类号
TN206 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
一种无损测量多层半导体材料厚度的新方法
成伟
胡仓陆
周玉鉴
徐晓兵
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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