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ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺
被引量:
8
1
作者
贾英茜
刘玉岭
+2 位作者
牛新环
刘博
孙鸣
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期397-401,共5页
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分...
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。
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关键词
化学机械抛光
多层互连
抛光液
二氧化硅
铜
钨
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职称材料
多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展
被引量:
6
2
作者
陈苏
张楷亮
+1 位作者
宋志棠
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期21-24,共4页
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步...
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨。
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关键词
超大规模集成电路
化学机械抛光
铜
抛光液
多层互连
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职称材料
基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究
被引量:
5
3
作者
陈靖
丁蕾
+4 位作者
陈瑫
戴洲
沐方清
王立春
赵涛
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第3期226-234,共9页
针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板...
针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板收缩率偏差、LTCC-薄膜界面缺陷及粗糙度、BCB介质膜固化应力、介质膜金属化的应力等因素对厚薄膜混合基板质量的影响。制备的12层厚薄膜混合基板(10层LTCC基板,2层薄膜布线) 60片,100%全部通过GJB2438 C.2.7成膜基片评价考核要求,相比LTCC基板,布线密度提高4倍,尺寸缩小40%。
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关键词
微系统
低温共烧陶瓷
薄膜
多层互连
苯并环丁烯
界面缺陷
低应力控制
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职称材料
一种倒装芯片/多层互连结构封装IC的修改方法
被引量:
1
4
作者
林晓玲
章晓文
高汭
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期63-71,共9页
倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战。文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出...
倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战。文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出了一种倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法。该方法首先利用全局抛光减薄法将倒装芯片减薄到70μm左右,再利用深宽广沟槽刻蚀技术及基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术进行深宽广的Si沟槽刻蚀,将芯片进一步减薄到约4μm,之后利用聚焦离子束电路修改技术进行电路修改。对6层金属CMOS芯片中M1金属开路的成功修改结果表明,文中所提出的倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法,可以有效地实现倒装芯片/多层互连结构封装集成电路中开路或者短路的电路修改。
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关键词
倒装芯片
封装
多层互连
结构
聚焦离子束
电路修改
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职称材料
多层平坦化互连技术
5
作者
廉亚光
郝景臣
张豫黔
《半导体情报》
2000年第5期33-36,共4页
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在...
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。
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关键词
隔离度
砷化镓
多层
平面
互连
结构
集成电路
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职称材料
ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究
被引量:
4
6
作者
刘玉岭
王弘英
王新
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期65-69,共5页
对 ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外,还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进...
对 ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外,还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。
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关键词
集成电路
抛光液
多层互连
结构
化学机械抛光
浆料
ULSI
铜布钱
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职称材料
集成电路迈向90nm新工艺
被引量:
1
7
作者
朱良辰
胡越黎
冉峰
《微纳电子技术》
CAS
2003年第10期42-44,共3页
介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。
关键词
集成电路
90nm工艺
应变硅
铜工艺
晶体管
多层
铜线
互连
工艺
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职称材料
MCM(MCP)封装测试技术及产品
8
《中国集成电路》
2007年第7期42-43,共2页
1、简介 南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导体集成电路(MCM);在MCM中,数...
1、简介 南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导体集成电路(MCM);在MCM中,数字和模拟功能可以混合在一起,专用集成电路可以和标准处理器、存储器封装在一起,Si、GaAs芯片也可以封装在一起,从而实现系统级封装(SiP)功能。
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关键词
系统级封装
测试技术
超大规模集成电路芯片
半导体集成电路
产品
专用集成电路
多层互连
陶瓷基板
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职称材料
题名
ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺
被引量:
8
1
作者
贾英茜
刘玉岭
牛新环
刘博
孙鸣
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期397-401,共5页
文摘
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。
关键词
化学机械抛光
多层互连
抛光液
二氧化硅
铜
钨
Keywords
CMP
mutilevel interconnect
slurry
Si02
copper
tungsten
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展
被引量:
6
2
作者
陈苏
张楷亮
宋志棠
封松林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期21-24,共4页
基金
国家863计划(2003AA327200)
上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米专项(0352nm016
+3 种基金
0359nm204
0252nm084)
上海市科委项目(03dz11009)
基础研究项目前沿课题(2001CCA02800)
文摘
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨。
关键词
超大规模集成电路
化学机械抛光
铜
抛光液
多层互连
Keywords
ULSI
CMP
copper
slurry
multilevel interconnect
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究
被引量:
5
3
作者
陈靖
丁蕾
陈瑫
戴洲
沐方清
王立春
赵涛
机构
上海航天电子技术研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第四十三研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第3期226-234,共9页
基金
国家重大科技专项资助项目(2013ZX01020007)
文摘
针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板收缩率偏差、LTCC-薄膜界面缺陷及粗糙度、BCB介质膜固化应力、介质膜金属化的应力等因素对厚薄膜混合基板质量的影响。制备的12层厚薄膜混合基板(10层LTCC基板,2层薄膜布线) 60片,100%全部通过GJB2438 C.2.7成膜基片评价考核要求,相比LTCC基板,布线密度提高4倍,尺寸缩小40%。
关键词
微系统
低温共烧陶瓷
薄膜
多层互连
苯并环丁烯
界面缺陷
低应力控制
Keywords
microsystems
low temperature co-fired ceramics(LTCC)
thin film multilayer interconnection
BCB
interface defects
low stress control
分类号
TN451 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种倒装芯片/多层互连结构封装IC的修改方法
被引量:
1
4
作者
林晓玲
章晓文
高汭
机构
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
出处
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期63-71,共9页
基金
广州市科技计划项目(201907010041)
广东省重点领域研发计划项目(2019B010145001)。
文摘
倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战。文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出了一种倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法。该方法首先利用全局抛光减薄法将倒装芯片减薄到70μm左右,再利用深宽广沟槽刻蚀技术及基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术进行深宽广的Si沟槽刻蚀,将芯片进一步减薄到约4μm,之后利用聚焦离子束电路修改技术进行电路修改。对6层金属CMOS芯片中M1金属开路的成功修改结果表明,文中所提出的倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法,可以有效地实现倒装芯片/多层互连结构封装集成电路中开路或者短路的电路修改。
关键词
倒装芯片
封装
多层互连
结构
聚焦离子束
电路修改
Keywords
flip-chip
packaging
multilayer interconnected structure
focus ion beam(FIB)
circuit edit
分类号
TN432.8 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
多层平坦化互连技术
5
作者
廉亚光
郝景臣
张豫黔
机构
电子十三所
出处
《半导体情报》
2000年第5期33-36,共4页
基金
砷化镓超高速集成电路及微波功率器件国防科技重点实验室基金资助项目
文摘
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。
关键词
隔离度
砷化镓
多层
平面
互连
结构
集成电路
Keywords
Flatness Isolate strength Hole Contact resistance
分类号
TN430.597 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究
被引量:
4
6
作者
刘玉岭
王弘英
王新
机构
河北工业大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期65-69,共5页
文摘
对 ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外,还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。
关键词
集成电路
抛光液
多层互连
结构
化学机械抛光
浆料
ULSI
铜布钱
Keywords
copper
interconnection
CMP
slurry
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
集成电路迈向90nm新工艺
被引量:
1
7
作者
朱良辰
胡越黎
冉峰
机构
上海大学微电子研发中心
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第10期42-44,共3页
文摘
介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。
关键词
集成电路
90nm工艺
应变硅
铜工艺
晶体管
多层
铜线
互连
工艺
Keywords
nm
strained silicon
copper technology
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
MCM(MCP)封装测试技术及产品
8
机构
南通富士通微电子股份有限公司
出处
《中国集成电路》
2007年第7期42-43,共2页
文摘
1、简介 南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导体集成电路(MCM);在MCM中,数字和模拟功能可以混合在一起,专用集成电路可以和标准处理器、存储器封装在一起,Si、GaAs芯片也可以封装在一起,从而实现系统级封装(SiP)功能。
关键词
系统级封装
测试技术
超大规模集成电路芯片
半导体集成电路
产品
专用集成电路
多层互连
陶瓷基板
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺
贾英茜
刘玉岭
牛新环
刘博
孙鸣
《微纳电子技术》
CAS
2006
8
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职称材料
2
多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展
陈苏
张楷亮
宋志棠
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
6
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职称材料
3
基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究
陈靖
丁蕾
陈瑫
戴洲
沐方清
王立春
赵涛
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019
5
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职称材料
4
一种倒装芯片/多层互连结构封装IC的修改方法
林晓玲
章晓文
高汭
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
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职称材料
5
多层平坦化互连技术
廉亚光
郝景臣
张豫黔
《半导体情报》
2000
0
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职称材料
6
ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究
刘玉岭
王弘英
王新
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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职称材料
7
集成电路迈向90nm新工艺
朱良辰
胡越黎
冉峰
《微纳电子技术》
CAS
2003
1
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职称材料
8
MCM(MCP)封装测试技术及产品
《中国集成电路》
2007
0
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职称材料
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