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ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺 被引量:8
1
作者 贾英茜 刘玉岭 +2 位作者 牛新环 刘博 孙鸣 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期397-401,共5页
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分... 介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。 展开更多
关键词 化学机械抛光 多层互连 抛光液 二氧化硅
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多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展 被引量:6
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作者 陈苏 张楷亮 +1 位作者 宋志棠 封松林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期21-24,共4页
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步... 对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 抛光液 多层互连
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基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究 被引量:5
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作者 陈靖 丁蕾 +4 位作者 陈瑫 戴洲 沐方清 王立春 赵涛 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第3期226-234,共9页
针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板... 针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板收缩率偏差、LTCC-薄膜界面缺陷及粗糙度、BCB介质膜固化应力、介质膜金属化的应力等因素对厚薄膜混合基板质量的影响。制备的12层厚薄膜混合基板(10层LTCC基板,2层薄膜布线) 60片,100%全部通过GJB2438 C.2.7成膜基片评价考核要求,相比LTCC基板,布线密度提高4倍,尺寸缩小40%。 展开更多
关键词 微系统 低温共烧陶瓷 薄膜多层互连 苯并环丁烯 界面缺陷 低应力控制
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一种倒装芯片/多层互连结构封装IC的修改方法 被引量:1
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作者 林晓玲 章晓文 高汭 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期63-71,共9页
倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战。文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出... 倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战。文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出了一种倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法。该方法首先利用全局抛光减薄法将倒装芯片减薄到70μm左右,再利用深宽广沟槽刻蚀技术及基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术进行深宽广的Si沟槽刻蚀,将芯片进一步减薄到约4μm,之后利用聚焦离子束电路修改技术进行电路修改。对6层金属CMOS芯片中M1金属开路的成功修改结果表明,文中所提出的倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法,可以有效地实现倒装芯片/多层互连结构封装集成电路中开路或者短路的电路修改。 展开更多
关键词 倒装芯片 封装 多层互连结构 聚焦离子束 电路修改
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多层平坦化互连技术
5
作者 廉亚光 郝景臣 张豫黔 《半导体情报》 2000年第5期33-36,共4页
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在... 阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。 展开更多
关键词 隔离度 砷化镓 多层平面互连结构 集成电路
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ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究 被引量:4
6
作者 刘玉岭 王弘英 王新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期65-69,共5页
对 ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外,还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进... 对 ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外,还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。 展开更多
关键词 集成电路 抛光液 多层互连结构 化学机械抛光 浆料 ULSI 铜布钱
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集成电路迈向90nm新工艺 被引量:1
7
作者 朱良辰 胡越黎 冉峰 《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期42-44,共3页
介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。
关键词 集成电路 90nm工艺 应变硅 铜工艺 晶体管 多层铜线互连工艺
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MCM(MCP)封装测试技术及产品
8
《中国集成电路》 2007年第7期42-43,共2页
1、简介 南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导体集成电路(MCM);在MCM中,数... 1、简介 南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导体集成电路(MCM);在MCM中,数字和模拟功能可以混合在一起,专用集成电路可以和标准处理器、存储器封装在一起,Si、GaAs芯片也可以封装在一起,从而实现系统级封装(SiP)功能。 展开更多
关键词 系统级封装 测试技术 超大规模集成电路芯片 半导体集成电路 产品 专用集成电路 多层互连 陶瓷基板
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