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题名电化学定域性刻蚀多孔InP光波导
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作者
尤明慧
祝煊宇
李雪
董明雪
王勇
曲轶
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机构
吉林农业大学信息技术学院
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
海南师范大学物理电子工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第12期964-968,981,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61864002,61774025)
海南省自然科学基金资助项目(2018CXTD336)
+2 种基金
吉林省科技厅重点攻关资助项目(20180201005SF,20190201181J7)
装备预研重点项目(6140414010302)
吉林省教育厅项目(JKH20191316KJ)。
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文摘
采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导。使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多孔InP结构的影响。电化学刻蚀过程中,分别利用掩模图形诱导刻蚀方向,改变电流密度调整孔隙大小和深度,改变刻蚀时间控制形成的多孔结构的深度。采用电化学定域性刻蚀与电子束光刻技术相结合,在InP衬底上制备具有光学传输特性的光波导结构。反射率测试结果表明,采用波长900 nm的入射光,多孔结构具有导波模式。使用500μm长的InP多孔结构所制备波导的损耗约为9.92 dB/cm。多孔结构InP光波导在光子集成领域具有较好的应用价值和前景。
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关键词
多孔inp
电子束光刻
电化学刻蚀
定域性
波导
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Keywords
porous inp
electron beam lithography
electrochemistry etching
localized
waveguide
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
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作者
李国庆
刘爱民
潘萌
杜晓书
郭凡
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机构
大连理工大学
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1145-1147,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60306001)
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文摘
电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.
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关键词
电化学刻蚀
多孔inp
多孔硅
SEM
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分类号
TN304.8
[电子电信—物理电子学]
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