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题名引入纳米多孔强化工业硅中杂质脱除研究
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作者
李绍元
李玉萍
陈秀华
马文会
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机构
昆明理工大学复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室
云南大学物理科学技术学院
昆明理工大学冶金与能源工程学院
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出处
《有色金属科学与工程》
CAS
2015年第6期7-13,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51504117)
云南省复杂有色金属资源协同创新中心项目(2014XTZS009)
+1 种基金
昆明理工大学人陪项目(KKSY201563032)
云南省教育厅基金项目(2015Y069)
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文摘
以工业硅粉为原料,分别采用化学刻蚀法,一步金属辅助刻蚀法和两步金属辅助刻蚀方法制备多孔工业硅粉,考查不同氧化剂物种及其浓度对多孔工业硅粉形貌结构及主要金属杂质Fe、Al的去除影响,结果表明：不同的氧化剂物种对粉末多孔硅的形貌结构和Fe、Al杂质的去除都有重要影响.相比而言,金属纳米颗粒辅助刻蚀方法在孔道生长速率、孔道形貌结构调控方面均表现更加出色,通过选取合适的氧化剂种类和浓度,可以高效地获得孔径在50～300 nm之间,孔深在约60μm范围内可调的多孔工业硅粉,纳米孔道的引入对工业硅中主要金属杂质Fe、Al的去除均表现出较好的促进作用,特别是两步金属纳米颗粒辅助刻蚀技术对增强Fe、Al杂质的去除作用最为明显,在较优试验条件下,Fe、Al杂质的去除效率分别可达99.8%和94.7%.
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关键词
工业硅粉
化学刻蚀
金属辅助化学刻蚀
多孔工业硅
杂质去除
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Keywords
industrial silicon powder
chemical etching
metal-assisted chemical etching
porous industrial silicon
impurity purification
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分类号
TF802.63
[冶金工程—有色金属冶金]
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