O482.31//0734.3 2001053619ZnO:Tb纳米晶的协同发光现象=Photoluminescence of ZnO:Tb nanoparticles[刊,中]/刘舒曼,刘峰奇,王占国(中科院半导体所半导体材料科学实验室.北京(100083)),张志华,郭海清(北京大学化学与分子工程学院稀土...O482.31//0734.3 2001053619ZnO:Tb纳米晶的协同发光现象=Photoluminescence of ZnO:Tb nanoparticles[刊,中]/刘舒曼,刘峰奇,王占国(中科院半导体所半导体材料科学实验室.北京(100083)),张志华,郭海清(北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学与应用国家重点实验室.北京(100871))//物理学报.—21300,49(11).展开更多
O734//O471.5 2001042898二维光子晶体的带隙分析=Analysis on band gap of two-dimensional photonic crystal[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘扬,常玉春,康博男,李雪梅,杜国同(吉林大学电子工程与集成光学国家重点联合实验室.吉林,长春(13002...O734//O471.5 2001042898二维光子晶体的带隙分析=Analysis on band gap of two-dimensional photonic crystal[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘扬,常玉春,康博男,李雪梅,杜国同(吉林大学电子工程与集成光学国家重点联合实验室.吉林,长春(130023))//半导体光电.-2000,21(3).-214-217研究了三角形二维光子晶体的带隙随结构参数的变化规律。计算表明,对于空气柱等边三角形二维光子晶体,当介电常数比为13:1时,最佳填充比为0.78,最大带宽是0.094(△ωα/2πc);当填充比固定时,介电常数比大于8才会有带隙出现,且介电常数比越大,带隙越宽;两个晶格矢量的夹角与最佳夹角偏离60°,向上最大达到74°、向下最大达到46°时带隙消失。图5参9(任延同)展开更多
文摘O482.31//0734.3 2001053619ZnO:Tb纳米晶的协同发光现象=Photoluminescence of ZnO:Tb nanoparticles[刊,中]/刘舒曼,刘峰奇,王占国(中科院半导体所半导体材料科学实验室.北京(100083)),张志华,郭海清(北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学与应用国家重点实验室.北京(100871))//物理学报.—21300,49(11).
文摘O734//O471.5 2001042898二维光子晶体的带隙分析=Analysis on band gap of two-dimensional photonic crystal[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘扬,常玉春,康博男,李雪梅,杜国同(吉林大学电子工程与集成光学国家重点联合实验室.吉林,长春(130023))//半导体光电.-2000,21(3).-214-217研究了三角形二维光子晶体的带隙随结构参数的变化规律。计算表明,对于空气柱等边三角形二维光子晶体,当介电常数比为13:1时,最佳填充比为0.78,最大带宽是0.094(△ωα/2πc);当填充比固定时,介电常数比大于8才会有带隙出现,且介电常数比越大,带隙越宽;两个晶格矢量的夹角与最佳夹角偏离60°,向上最大达到74°、向下最大达到46°时带隙消失。图5参9(任延同)
