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一种新的HEMT小信号模型参数提取方法
被引量：
6
1
作者
胡建萍
程海燕
陈显萼
《微波学报》
CSCD
北大核心
2003年第3期39-42,共4页
介绍了一种高电子迁移率晶体管 (HEMT)的小信号参数提取方法———综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数 ,其次介绍了多偏置点优化算法。最后 ,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试 ...
介绍了一种高电子迁移率晶体管 (HEMT)的小信号参数提取方法———综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数 ,其次介绍了多偏置点优化算法。最后 ,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试 ,实验采用一系列随机起始值 ,结果表明 ,提取的参数值与经验值相差小于 1%。
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关键词
HEMT
高电子迁移率晶体管
小信号模型
参数提取
多偏置点优化算法
在线阅读
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职称材料
题名
一种新的HEMT小信号模型参数提取方法
被引量：
6
1
作者
胡建萍
程海燕
陈显萼
机构
杭州电子工业学院电子信息分院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2003年第3期39-42,共4页
基金
"九五"电科院军事预研基金项目 (HD9670 6)
文摘
介绍了一种高电子迁移率晶体管 (HEMT)的小信号参数提取方法———综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数 ,其次介绍了多偏置点优化算法。最后 ,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试 ,实验采用一系列随机起始值 ,结果表明 ,提取的参数值与经验值相差小于 1%。
关键词
HEMT
高电子迁移率晶体管
小信号模型
参数提取
多偏置点优化算法
Keywords
High electron mobility transistor(HEMT), Parameter extraction, Small signal model
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新的HEMT小信号模型参数提取方法
胡建萍
程海燕
陈显萼
《微波学报》
CSCD
北大核心
2003
6
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