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纳米存储器的多值逻辑设计研究
被引量：
1
1
作者
周少华
熊琦
+1 位作者
杨红官
曾云
《现代电子技术》
2009年第16期167-168,170,共3页
为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位...
为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位纳米存储器的逻辑信号与输出电压之间的关系,发现这样构建的存储矩阵大小几乎成几何级减小,提高了信息密度。
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关键词
多值逻辑设计
存储矩阵
几何级减小
信息密度
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职称材料
题名
纳米存储器的多值逻辑设计研究
被引量：
1
1
作者
周少华
熊琦
杨红官
曾云
机构
湖南工程职业技术学院
湖南大学
出处
《现代电子技术》
2009年第16期167-168,170,共3页
基金
湖南省自然科学基金资助项目(06JJ2085)
湖南省教育厅科学研究基金资助项目(07D025
08D042)
文摘
为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位纳米存储器的逻辑信号与输出电压之间的关系,发现这样构建的存储矩阵大小几乎成几何级减小,提高了信息密度。
关键词
多值逻辑设计
存储矩阵
几何级减小
信息密度
Keywords
multi- valued logic design
storage matrix
geometric level decreases
information density
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米存储器的多值逻辑设计研究
周少华
熊琦
杨红官
曾云
《现代电子技术》
2009
1
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