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新一代存储技术：阻变存储器
被引量：
14
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作者
王源
贾嵩
甘学温
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期565-572,共8页
阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。
关键词
不挥发性
存储
器
阻变
存储
器
电阻可逆转换
三维集成
多值存储
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职称材料
基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究
被引量：
1
2
作者
陈珂
杜智超
+2 位作者
叶松
王颀
霍宗亮
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期2619-2625,共7页
为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈...
为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈值电压较低的存储单元并标记在页缓存器中,使其不再进行第二次子读感应,从而减小共源线噪声引起的阈值偏移.电路仿真计算表明,该支持C/F读取算法的页缓存器结构能够减小阈值偏移至少495. 6mV,有效提高了NAND闪存读操作的精确性.
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关键词
NAND闪存
多值存储
单元
页缓存器
Coarse/Fine读取算法
读可靠度
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职称材料
题名
新一代存储技术：阻变存储器
被引量：
14
1
作者
王源
贾嵩
甘学温
机构
北京大学微电子学研究院
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期565-572,共8页
基金
国家重点基础研究发展计划(2010CB934203)资助
文摘
阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。
关键词
不挥发性
存储
器
阻变
存储
器
电阻可逆转换
三维集成
多值存储
Keywords
nonvolatile memory
resistive random access memory
resistance reversible change
3D integration
multi-level storage
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究
被引量：
1
2
作者
陈珂
杜智超
叶松
王颀
霍宗亮
机构
成都信息工程大学通信工程学院
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学微电子学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期2619-2625,共7页
基金
国家自然科学基金(No.61474137)
国家自然科学基金(No.61404168)
文摘
为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈值电压较低的存储单元并标记在页缓存器中,使其不再进行第二次子读感应,从而减小共源线噪声引起的阈值偏移.电路仿真计算表明,该支持C/F读取算法的页缓存器结构能够减小阈值偏移至少495. 6mV,有效提高了NAND闪存读操作的精确性.
关键词
NAND闪存
多值存储
单元
页缓存器
Coarse/Fine读取算法
读可靠度
Keywords
NAND flash memory
multi-level cell
page buffer
coarse/fine read algorithm
read reliability
分类号
TP333.52 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新一代存储技术：阻变存储器
王源
贾嵩
甘学温
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
14
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职称材料
2
基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究
陈珂
杜智超
叶松
王颀
霍宗亮
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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