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电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学
被引量：
2
1
作者
胡晓琳
陈建中
+2 位作者
庄乃锋
兰建明
赵斌
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期358-363,共6页
本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率。结果表明 ,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制 ,在饱和点为38.0 0℃的溶液中 ,RHSe晶体的 { 111}和 { 10 1}晶面的临界过饱...
本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率。结果表明 ,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制 ,在饱和点为38.0 0℃的溶液中 ,RHSe晶体的 { 111}和 { 10 1}晶面的临界过饱和度分别为 1.0 1%和 1.16 %。实验过程中还发现 ,当过饱和度大于 1.76 %时 ,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷 ,因而在生长RHSe单晶时 ,过饱和度应控制在 1.76
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关键词
电光晶体
生长
动力学
硒酸氢铷
多二维成核生长
RHSe
晶体
生长
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职称材料
题名
电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学
被引量：
2
1
作者
胡晓琳
陈建中
庄乃锋
兰建明
赵斌
机构
福州大学化学化工学院化学系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期358-363,共6页
基金
福建省自然科学基金 (B 970 0 5 )资助项目
文摘
本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率。结果表明 ,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制 ,在饱和点为38.0 0℃的溶液中 ,RHSe晶体的 { 111}和 { 10 1}晶面的临界过饱和度分别为 1.0 1%和 1.16 %。实验过程中还发现 ,当过饱和度大于 1.76 %时 ,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷 ,因而在生长RHSe单晶时 ,过饱和度应控制在 1.76
关键词
电光晶体
生长
动力学
硒酸氢铷
多二维成核生长
RHSe
晶体
生长
Keywords
electron optical crystal
growth mechanism
rubidium hydrogen selenate
multiple two dimensional nucleation growth
分类号
O781 [理学—晶体学]
O627 [理学—有机化学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学
胡晓琳
陈建中
庄乃锋
兰建明
赵斌
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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