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超宽带SiC MESFET器件的研制
1
作者
崔玉兴
默江辉
+4 位作者
李亮
李佳
付兴昌
蔡树军
杨克武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期608-611,共4页
采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采...
采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。
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关键词
SIC
MESFET
内
匹配
超宽带
内
匹配
外电路匹配
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职称材料
题名
超宽带SiC MESFET器件的研制
1
作者
崔玉兴
默江辉
李亮
李佳
付兴昌
蔡树军
杨克武
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期608-611,共4页
文摘
采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。
关键词
SIC
MESFET
内
匹配
超宽带
内
匹配
外电路匹配
Keywords
SiC MESFET
internal matching
super wide band
internally matching
externally matching
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超宽带SiC MESFET器件的研制
崔玉兴
默江辉
李亮
李佳
付兴昌
蔡树军
杨克武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
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