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GB/T 43885《碳化硅外延片》标准解读 |
李素青
骆红
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《世界有色金属》
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2024 |
0 |
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2
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8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法 |
张志勤
袁肇耿
薛宏伟
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《半导体技术》
CSCD
北大核心
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2017 |
9
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3
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重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备 |
薛宏伟
米姣
袁肇耿
王刚
张志勤
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2020 |
3
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4
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300mm直径硅外延片均匀性控制方法 |
吴会旺
刘建军
米姣
薛宏伟
袁肇耿
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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5
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电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布 |
文尚胜
王朝阳
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《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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6
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200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控 |
李明达
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
5
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7
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MOCVD AIGaInP LED外延片源气开关程序的研究 |
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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8
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分光光度法测量铝镓氮外延片中的铝含量 |
刘运传
王雪蓉
孟祥艳
周燕萍
段剑
郑会保
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《化学分析计量》
CAS
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2013 |
0 |
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9
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LPE生长外延片超薄有源层结构的SEM研究 |
王晓华
任大翠
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《长春光学精密机械学院学报》
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1997 |
0 |
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10
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用微区光学方法研究GaP:ZnO红光外延片 |
高瑛
骆永石
高汉江
刘和初
曹炳初
汤建新
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
2
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11
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对n型Si外延片表面处理方法的研究 |
安静
杨瑞霞
袁肇耿
张志勤
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
1
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12
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维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响 |
米姣
薛宏伟
袁肇耿
吴晓琳
张佳磊
张双琴
石巧曼
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2020 |
1
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13
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GaP∶NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究 |
高瑛
高汉江
骆永石
刘和初
董跃进
章厚琪
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2000 |
1
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14
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快速恢复外延二极管用硅外延片的工艺研究 |
王文林
李扬
陈涛
李明达
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《电子与封装》
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2014 |
4
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15
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InGaAlP外延片的微分析 |
樊华
曹永明
曾伟
李越生
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
0 |
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16
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衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响 |
米姣
张涵琪
薛宏伟
袁肇耿
吴会旺
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
0 |
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双层硅外延片在大功率器件中的应用 |
谢夏云
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
5
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18
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N/P硅外延片的少子扩散长度测量 |
杨恒青
王志伟
包宗明
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《应用科学学报》
CAS
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1987 |
0 |
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19
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AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制 |
关兴国
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《材料导报》
EI
CAS
CSCD
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2001 |
0 |
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20
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改善硅外延片电阻率和厚度一致性分析 |
张晓博
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《集成电路应用》
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2022 |
3
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