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LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究
被引量：
1
1
作者
王水凤
胡力民
+1 位作者
曾宇昕
曾庆城
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期12-15,共4页
介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两...
介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，
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关键词
外延晶片
洁净度优化
LED-GaP
发光二极管
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职称材料
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估
2
作者
丁国庆
《光通信研究》
北大核心
1998年第3期57-62,共6页
本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素，检测方法，几个典型测试结果。最后给出了几个外延晶片材料质量评估的参照标准。
关键词
异质结构材料
光荧光谱
半导体
外延晶片
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职称材料
InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
3
作者
王典芬
丁国庆
+1 位作者
魏铭鉴
孙文华
《分析测试学报》
CAS
CSCD
1997年第3期1-5,共5页
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实...
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。
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关键词
半导体表面化学
XPS
MOCVD
外延晶片
外延
膜材料
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职称材料
题名
LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究
被引量：
1
1
作者
王水凤
胡力民
曾宇昕
曾庆城
机构
南昌大学物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期12-15,共4页
基金
江西省自然科学基金
863计划资助项目
文摘
介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，
关键词
外延晶片
洁净度优化
LED-GaP
发光二极管
Keywords
GaP epitaxial wafer Cleanness degree optimization Nondestructive inspection Impurity Fe contamination
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN383.052 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估
2
作者
丁国庆
机构
武汉邮电科学研究院
出处
《光通信研究》
北大核心
1998年第3期57-62,共6页
文摘
本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素，检测方法，几个典型测试结果。最后给出了几个外延晶片材料质量评估的参照标准。
关键词
异质结构材料
光荧光谱
半导体
外延晶片
Keywords
heterostructure material, dislocation and defect, Xray double crystal diffraction, photoluminescence spectrum
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
3
作者
王典芬
丁国庆
魏铭鉴
孙文华
机构
武汉工业大学材料研究与测试中心
出处
《分析测试学报》
CAS
CSCD
1997年第3期1-5,共5页
基金
湖北省自然科学基金
文摘
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。
关键词
半导体表面化学
XPS
MOCVD
外延晶片
外延
膜材料
Keywords
InGaAsP/InP,XPS,Band gap,Mismatching ratio.
分类号
O649.2 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究
王水凤
胡力民
曾宇昕
曾庆城
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估
丁国庆
《光通信研究》
北大核心
1998
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
王典芬
丁国庆
魏铭鉴
孙文华
《分析测试学报》
CAS
CSCD
1997
0
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职称材料
已选择
0
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引证文献
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