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题名高压VDMOS用外延片的外延参数设计
被引量：8
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作者
赵丽霞
袁肇耿
张鹤鸣
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机构
河北普兴电子科技股份有限公司
西安电子科技大学微电子学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期348-350,共3页
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文摘
通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参数监控外延工艺,提高了片内及批次间的击穿电压一致性。特别通过对600 V的VDMOS外延参数及其器件结果分析得出,用此参数来调整中间和边缘厚度及不同外延设备之间的参数,使同种参数下有效外延层厚度保持相当,则可以大大减少离散性和设备间变差。
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关键词
过渡区
击穿电压
硅外延
外延层厚度
外延层电阻率
有效外延层厚度
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Keywords
transition depth
breakdown voltage
silicon EPI
EPI thickness
EPI resistivity
effective EPI thickness
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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题名N沟道VDMOS器件材料选择
被引量：2
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作者
盖锡民
王震宇
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机构
丹东安顺微电子有限公司
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出处
《宜春学院学报》
2014年第3期27-29,共3页
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文摘
制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度,通过进行理论计算,阐述了理论在实践生产过程中的局限性和制约因素,对理论的计算结果进行了客观地修正。
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关键词
VDMOSFET
外延层电阻率
外延层厚度
耐压
导通电阻
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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