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二维外尔半金属WTe_(2)的各向异性磁电阻
1
作者
李硕
王平
张德林
《功能材料》
北大核心
2025年第11期11178-11182,共5页
WTe_(2)作为典型的Ⅱ型外尔半金属,展现出不饱和磁电阻、高温相变特性、高压超导特性以及线性、各向异性磁电阻等独特输运行为。基于其显著的量子调控特性与潜在应用价值,该材料已成为凝聚态物理领域的重要研究对象。研究通过四端法测量...
WTe_(2)作为典型的Ⅱ型外尔半金属,展现出不饱和磁电阻、高温相变特性、高压超导特性以及线性、各向异性磁电阻等独特输运行为。基于其显著的量子调控特性与潜在应用价值,该材料已成为凝聚态物理领域的重要研究对象。研究通过四端法测量了WTe_(2)的磁电阻与磁场大小、磁场方向和温度的依赖关系。实验结果表明,WTe_(2)表现出显著的正磁电阻效应,其磁电阻随外加磁场的增强呈现典型的抛物线型增加趋势,归因于WTe_(2)中较强的自旋-轨道耦合作用。WTe_(2)还具有显著的各向异性磁电阻效应,其物理机制源于WTe_(2)的费米面结构,该结构由两对电子型口袋和空穴型口袋组成,并且不同类型口袋在各个方向半径不同,每个口袋的载流子浓度也不同,这导致不同方向的磁场对载流子输运产生了不同影响,从而产生各向异性磁电阻。此外,WTe_(2)的各向异性磁电阻表现出对温度的依赖性,这可能是由于温度影响了其载流子的散射机制和费米面的各向异性。研究WTe_(2)的磁电阻有助于揭示其独特的拓扑电子结构和磁电阻效应的物理机制,为新型自旋电子器件的设计提供理论依据。
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关键词
外尔
半
金属
wte
_(2)
二维材料
各向异性磁电阻
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职称材料
外尔半金属Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜的制备和电磁性质研究
2
作者
李首翰
崔驰
+2 位作者
李威
杨燚
黄润生
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期705-712,共8页
外尔半金属Co_(3)Sn_(2)S_(2)是一种新型的拓扑量子材料,具有独特的拓扑能带结构,被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料,而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在Si O_(2)(300 nm)/Si(100)和Al_(2)O_(3)(0001...
外尔半金属Co_(3)Sn_(2)S_(2)是一种新型的拓扑量子材料,具有独特的拓扑能带结构,被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料,而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在Si O_(2)(300 nm)/Si(100)和Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜.X射线衍射(XRD,X-ray Diffraction)显示Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜的结构随厚度而变化.在不同衬底上,Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜的生长情况也不同,较薄的Co_(3)Sn_(2)S_(2)(<200 nm)适合生长在Al_(2)O_(3)(0001)衬底上,而较厚的Co_(3)Sn_(2)S_(2)(~5μm)适合生长在Si O_(2)(300 nm)/Si(100)衬底上.Co_(3)Sn_(2)S_(2)纵向电阻率随着厚度的增加而增加,对导电起主要作用的表面层厚度保持在一定尺度内.
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关键词
外尔
半
金属
Co_(3)Sn_(
2
)S_(
2
)
磁控溅射法
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职称材料
题名
二维外尔半金属WTe_(2)的各向异性磁电阻
1
作者
李硕
王平
张德林
机构
天津工业大学电子与信息工程学院
天津工业大学沧州市研究院
出处
《功能材料》
北大核心
2025年第11期11178-11182,共5页
基金
国家重点研发计划项目(2022YFA1204003)
国家自然科学基金面上项目(52271240)
+2 种基金
天津工业大学沧州市研究院项目(TGCYY-F-0201)
河北省自然科学基金青年科学基金项目(E2023110012)
沧州市重点研发计划项目(222104008)。
文摘
WTe_(2)作为典型的Ⅱ型外尔半金属,展现出不饱和磁电阻、高温相变特性、高压超导特性以及线性、各向异性磁电阻等独特输运行为。基于其显著的量子调控特性与潜在应用价值,该材料已成为凝聚态物理领域的重要研究对象。研究通过四端法测量了WTe_(2)的磁电阻与磁场大小、磁场方向和温度的依赖关系。实验结果表明,WTe_(2)表现出显著的正磁电阻效应,其磁电阻随外加磁场的增强呈现典型的抛物线型增加趋势,归因于WTe_(2)中较强的自旋-轨道耦合作用。WTe_(2)还具有显著的各向异性磁电阻效应,其物理机制源于WTe_(2)的费米面结构,该结构由两对电子型口袋和空穴型口袋组成,并且不同类型口袋在各个方向半径不同,每个口袋的载流子浓度也不同,这导致不同方向的磁场对载流子输运产生了不同影响,从而产生各向异性磁电阻。此外,WTe_(2)的各向异性磁电阻表现出对温度的依赖性,这可能是由于温度影响了其载流子的散射机制和费米面的各向异性。研究WTe_(2)的磁电阻有助于揭示其独特的拓扑电子结构和磁电阻效应的物理机制,为新型自旋电子器件的设计提供理论依据。
关键词
外尔
半
金属
wte
_(2)
二维材料
各向异性磁电阻
Keywords
Weyl semimetal
wte
_(
2
)
two-dimensional materials
anisotropic magnetoresistance
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
O482.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
外尔半金属Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜的制备和电磁性质研究
2
作者
李首翰
崔驰
李威
杨燚
黄润生
机构
南京大学物理学院
南京大学电子科学与工程学院
出处
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期705-712,共8页
文摘
外尔半金属Co_(3)Sn_(2)S_(2)是一种新型的拓扑量子材料,具有独特的拓扑能带结构,被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料,而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在Si O_(2)(300 nm)/Si(100)和Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜.X射线衍射(XRD,X-ray Diffraction)显示Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜的结构随厚度而变化.在不同衬底上,Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜的生长情况也不同,较薄的Co_(3)Sn_(2)S_(2)(<200 nm)适合生长在Al_(2)O_(3)(0001)衬底上,而较厚的Co_(3)Sn_(2)S_(2)(~5μm)适合生长在Si O_(2)(300 nm)/Si(100)衬底上.Co_(3)Sn_(2)S_(2)纵向电阻率随着厚度的增加而增加,对导电起主要作用的表面层厚度保持在一定尺度内.
关键词
外尔
半
金属
Co_(3)Sn_(
2
)S_(
2
)
磁控溅射法
Keywords
Weyl semimetal
Co_(3)Sn_(
2
)S_(
2
)
Magnetron sputtering method
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二维外尔半金属WTe_(2)的各向异性磁电阻
李硕
王平
张德林
《功能材料》
北大核心
2025
0
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职称材料
2
外尔半金属Co_(3)Sn_(2)S_(2)薄膜的制备和电磁性质研究
李首翰
崔驰
李威
杨燚
黄润生
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2023
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