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CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究
被引量：
3
1
作者
席丽丽
邱雨婷
+4 位作者
史讯
杨炯
陈立东
杨继辉
张文清
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期41-49,63,共10页
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关...
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。
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关键词
方钴矿
第一性原理
热电材料
复杂缺陷结构
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职称材料
CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究
被引量：
12
2
作者
李智圆
杨常亮
+4 位作者
李世玉
张宇
刘仍兵
刘楷
申时立
《环境科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期41-47,共7页
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的CoSb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在CoSb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。...
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的CoSb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在CoSb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。
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关键词
方钴矿
第一性原理
热电材料
复杂缺陷结构
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职称材料
题名
CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究
被引量：
3
1
作者
席丽丽
邱雨婷
史讯
杨炯
陈立东
杨继辉
张文清
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
美国华盛顿大学
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期41-49,63,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(11204333
11234012)
科技部"973"计划项目(2013CB632501)
文摘
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。
关键词
方钴矿
第一性原理
热电材料
复杂缺陷结构
Keywords
skutterudites
ab initio
thermoelectric materials
complex defects
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
在线阅读
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职称材料
题名
CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究
被引量：
12
2
作者
李智圆
杨常亮
李世玉
张宇
刘仍兵
刘楷
申时立
机构
云南大学生命科学学院
云南大学工程技术研究院
昆明市环境监测中心
出处
《环境科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期41-47,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目（11204333,11234012）
科技部＂973＂计划项目（2013CB632501）第一作者及
文摘
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的CoSb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在CoSb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。
关键词
方钴矿
第一性原理
热电材料
复杂缺陷结构
Keywords
lake
sediment
arsenic speciation
ecological risk
secondary pollution
分类号
X524 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究
席丽丽
邱雨婷
史讯
杨炯
陈立东
杨继辉
张文清
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究
李智圆
杨常亮
李世玉
张宇
刘仍兵
刘楷
申时立
《环境科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
12
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