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基于正交设计的Si基复合衬底优化工艺试验 被引量:4
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作者 王丛 强宇 +1 位作者 高达 师景霞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1353-1356,共4页
在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火... 在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火温度是影响FWHM的关键因子,MEE退火温度和CdTe外延温度对R_a值来说影响是显著的。通过该系列实验得到最优的外延工艺条件。 展开更多
关键词 正交设计 SI基 复合衬底 工艺优化
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Si基CdTe复合衬底分子束外延研究 被引量:1
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作者 陈路 王元樟 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 乔怡敏 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期857-860,共4页
文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延... 文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4~4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当. 展开更多
关键词 硅基 碲镉汞 复合衬底 分子束外延
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单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状
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作者 屈鹏霏 金鹏 +5 位作者 周广迪 王镇 许敦洲 吴巨 郑红军 王占国 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期857-877,共21页
金刚石优异的物理性质使其成为下一代最有发展潜力的半导体材料之一。目前来看,基于微波等离子体化学气相沉积的异质外延可能是未来制备大尺寸单晶金刚石的最佳方法。在过去的三十年间,铱复合衬底上异质外延生长单晶金刚石取得了一定进... 金刚石优异的物理性质使其成为下一代最有发展潜力的半导体材料之一。目前来看,基于微波等离子体化学气相沉积的异质外延可能是未来制备大尺寸单晶金刚石的最佳方法。在过去的三十年间,铱复合衬底上异质外延生长单晶金刚石取得了一定进展,特别是近几年实现了2英寸(1英寸=2.54 cm)以上的大尺寸自支撑单晶金刚石的生长。本文总结了金刚石异质外延用的衬底,简要介绍了异质衬底上的偏压增强成核,详细介绍了目前最成功的铱/氧化物、铱/氧化物层/硅复合衬底,最后对金刚石异质衬底和异质外延进行了总结,指出目前存在的问题并给出了一些可能的解决思路。 展开更多
关键词 金刚石 复合衬底 半导体 异质外延 偏压增强成核 微波等离子体化学气相沉积
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PET复合衬底上梯度介质薄膜厚度的椭偏表征
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作者 郭春付 张传维 +2 位作者 李伟奇 李晓平 刘世元 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期585-590,共6页
为了监控3维玻璃上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)复合衬底介质膜膜厚,采用将PET复合衬底等效为单层基底材料的建模分析方法,通过椭偏测量技术实现了复杂衬底上TiO 2梯度折射率材料薄膜厚度的检测.结果表明,采用该方法测量的PET复合衬底上Ti... 为了监控3维玻璃上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)复合衬底介质膜膜厚,采用将PET复合衬底等效为单层基底材料的建模分析方法,通过椭偏测量技术实现了复杂衬底上TiO 2梯度折射率材料薄膜厚度的检测.结果表明,采用该方法测量的PET复合衬底上TiO 2梯度折射率薄膜厚度为212.48nm,扫描电子显微镜的测量结果为211nm,结果非常准确.以TiO 2为例验证了等效衬底方法,该方法也同样适用于其它介质膜.等效衬底法可实现PET复合衬底上的TiO2薄膜厚度的高精度测量表征,对镀膜工艺过程监控具有重要意义. 展开更多
关键词 测量与计量 聚对苯二甲酸乙二醇酯 复合衬底 介质膜 光谱椭偏 膜厚
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用镀有钛过渡层的钼衬底制备无裂纹自支撑金刚石膜 被引量:3
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作者 李浩 李成明 +4 位作者 吕反修 唐伟忠 陈广超 鲍学进 刘政 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期164-169,共6页
为了解决金刚石膜脱膜开裂的问题,尝试了一种复合衬底,即镀有钛过渡层的钼衬底。利用直流等离子体喷射法在复合衬底上制备了不同厚度无裂纹的自支撑金刚石膜。用扫描电镜(SEM)、拉曼谱和X射线衍射表征金刚石膜的特征,并检测了其断裂强... 为了解决金刚石膜脱膜开裂的问题,尝试了一种复合衬底,即镀有钛过渡层的钼衬底。利用直流等离子体喷射法在复合衬底上制备了不同厚度无裂纹的自支撑金刚石膜。用扫描电镜(SEM)、拉曼谱和X射线衍射表征金刚石膜的特征,并检测了其断裂强度。结果表明,用复合衬底制备的金刚石膜在950℃具有最小半高宽,在实验温度下所获得的金刚石自支撑膜的断裂强度均超过了500MPa。 展开更多
关键词 金刚石膜 复合衬底 钛过渡层 直流等离子体喷射法 自支撑金刚石膜
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SiO_(2)图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响 被引量:2
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作者 李思宏 侯想 +3 位作者 罗荣煌 刘杨 钟梦洁 罗学涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期526-533,共8页
为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO_(2)薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO_(2)图形化蓝宝石衬底(SiO_(2)patterned sapphire substrate,SPSS),利用LED器... 为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO_(2)薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO_(2)图形化蓝宝石衬底(SiO_(2)patterned sapphire substrate,SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件。通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能,重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响。实验及模拟仿真结果表明,与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate,CPSS)相比,SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低,晶体质量较高,SPSS-LED的光提取效率提高26%、光输出功率和亮度均提高约5%。 展开更多
关键词 SiO_(2)蓝宝石复合衬底 LED芯片 位错密度 GaN 光提取效率
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电流体喷印电磁功能微阵列结构
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作者 王大志 张结 +11 位作者 刘畅 欧阳景涛 付瀚卿 王俊瑶 刘茈涵 冯译文 赵祥露 锁刘佳 王铁胜 梁世文 孔令杰 唐彬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期104-115,共12页
提出一种基于电流体喷印技术的复合材料衬底电磁功能微阵列结构制造工艺方法。通过间距补偿工艺策略,降低复合材料衬底功能结构线宽尺寸误差的47.4%,有效提高了复合材料衬底喷印精度。系统分析了电流体喷印参数对功能结构质量的影响关系... 提出一种基于电流体喷印技术的复合材料衬底电磁功能微阵列结构制造工艺方法。通过间距补偿工艺策略,降低复合材料衬底功能结构线宽尺寸误差的47.4%,有效提高了复合材料衬底喷印精度。系统分析了电流体喷印参数对功能结构质量的影响关系,实现复合材料衬底上多尺寸、多类型电磁功能微阵列结构的按需制造。确定了电磁功能微阵列结构的最优固化条件,得到线宽60μm金属结构电阻率为9.18×10^(-8)Ω·m。所制造的带阻型电磁功能微阵列结构在中心频率23.64 GHz处能够将电磁波有效抑制,透射系数为-42.89 dB,有效验证了电流体喷印技术制造电磁功能结构的能力与实现效果。 展开更多
关键词 电流体喷印 电磁功能 微阵列结构 电阻率 透射系数 复合材料
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分子束外延材料表面平整度的研究 被引量:1
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作者 王丛 高达 +1 位作者 师景霞 谭振 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期625-628,共4页
分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响。分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大。本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面... 分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响。分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大。本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面平整度的影响,通过实验发现脱氧工艺的高温影响最大,其次是Si片自身的表面平整度和外延膜层的厚度。因此要获得低表面平整度的Si基复合衬底必须满足以下三个条件:低Si片表面平整度,低脱附工艺温度,低外延膜厚。 展开更多
关键词 表面平整度 SI 复合衬底 HGCDTE
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