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超低压ESD保护器件设计与工艺研究
被引量：
3
1
作者
淮永进
韩郑生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期445-448,共4页
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低...
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。
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关键词
超低压保护器件
静电放电
模拟
复合型穿通结构
瞬态电压抑制器
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职称材料
题名
超低压ESD保护器件设计与工艺研究
被引量：
3
1
作者
淮永进
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期445-448,共4页
文摘
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。
关键词
超低压保护器件
静电放电
模拟
复合型穿通结构
瞬态电压抑制器
Keywords
ultra-low voltage protection device
ESD
simulation
complex punch-through structure
TVS
分类号
TN315.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
超低压ESD保护器件设计与工艺研究
淮永进
韩郑生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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