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LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析
被引量：
2
1
作者
彭英才
稻毛信弥
+1 位作者
池田弥央
宫崎诚一
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期261-264,共4页
采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,...
采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,当Si纳米量子点高度hc<5nm时 ,其PL效率基本保持不变。而当hc>5nm时 ,PL效率则急剧下降。同时 ,PL峰值能量随hc 的减少而增大 ,并与 (l/hc) 2 成正比依赖关系。如当hc 从 5 5nm减小至 0 8nm时 ,其峰值能量从 1 2 8eV增加到 1 4 3eV ,出现了约 0 15eV的谱峰蓝移。我们用量子限制效应
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关键词
LPCVD
自组织生长
发光
机制
Si纳米量子点
量子限制效应-界面
中心
复合
发光
低压化学气相沉积
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职称材料
铜和磷杂质对 LiF(Mg,Cu,P)热释光特性的影响研究
2
作者
孙福印
苑淑渝
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期105-108,99,共5页
ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ）和ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｔｉ）热释光（ＴＬ）磷光体的ＴＬ特性的主要差别在ＴＬ灵敏度、能量响应和热稳定性三个方面。其产生原因都与铜和磷杂质的掺入有关。ＬｉＦ热释光家族中，镁仍然是一种不可缺少的主要杂质，...
ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ）和ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｔｉ）热释光（ＴＬ）磷光体的ＴＬ特性的主要差别在ＴＬ灵敏度、能量响应和热稳定性三个方面。其产生原因都与铜和磷杂质的掺入有关。ＬｉＦ热释光家族中，镁仍然是一种不可缺少的主要杂质，铜和磷杂质掺入后在磷光体中所形成的电子俘获中心和复合发光中心都与其他ＬｉＦ热释光磷光体有所不同，从而使其具有极高的ＴＬ灵敏性、异常的能量响应和较差的热稳定性。
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关键词
氟化锂
热释光磷光体
复合发光中心
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职称材料
题名
LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析
被引量：
2
1
作者
彭英才
稻毛信弥
池田弥央
宫崎诚一
机构
河北大学电子信息工程学院
广岛大学电气工学系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期261-264,共4页
文摘
采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,当Si纳米量子点高度hc<5nm时 ,其PL效率基本保持不变。而当hc>5nm时 ,PL效率则急剧下降。同时 ,PL峰值能量随hc 的减少而增大 ,并与 (l/hc) 2 成正比依赖关系。如当hc 从 5 5nm减小至 0 8nm时 ,其峰值能量从 1 2 8eV增加到 1 4 3eV ,出现了约 0 15eV的谱峰蓝移。我们用量子限制效应
关键词
LPCVD
自组织生长
发光
机制
Si纳米量子点
量子限制效应-界面
中心
复合
发光
低压化学气相沉积
Keywords
Si nanodots
self assembled growth
quantum confinement effect interface light emission center recombination model
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
铜和磷杂质对 LiF(Mg,Cu,P)热释光特性的影响研究
2
作者
孙福印
苑淑渝
机构
中国医学科学院放射医学研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期105-108,99,共5页
文摘
ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ）和ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｔｉ）热释光（ＴＬ）磷光体的ＴＬ特性的主要差别在ＴＬ灵敏度、能量响应和热稳定性三个方面。其产生原因都与铜和磷杂质的掺入有关。ＬｉＦ热释光家族中，镁仍然是一种不可缺少的主要杂质，铜和磷杂质掺入后在磷光体中所形成的电子俘获中心和复合发光中心都与其他ＬｉＦ热释光磷光体有所不同，从而使其具有极高的ＴＬ灵敏性、异常的能量响应和较差的热稳定性。
关键词
氟化锂
热释光磷光体
复合发光中心
Keywords
LiF(Mg,Cu,P) Thermoluminescence phosphor Recombination luminescence center
分类号
TL816.7 [核科学技术—核技术及应用]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析
彭英才
稻毛信弥
池田弥央
宫崎诚一
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
在线阅读
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职称材料
2
铜和磷杂质对 LiF(Mg,Cu,P)热释光特性的影响研究
孙福印
苑淑渝
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
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