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基于OEE算法的多品种混线声表面波滤波器晶圆制造生产线产能诊断和改善
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作者 卢丹丹 冷俊林 +2 位作者 吴金臻 程娅莉 杨京 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期834-839,共6页
声表面波滤波器晶圆制造生产线设备价值高,具备多品种混线特点的生产线需要提升设备产能利用率,实时评估产能和有针对性地改善,以快速满足市场需要和提高投资效益。本文创新地将设备综合效率(Overall Equipment Effectiveness,简称OEE)... 声表面波滤波器晶圆制造生产线设备价值高,具备多品种混线特点的生产线需要提升设备产能利用率,实时评估产能和有针对性地改善,以快速满足市场需要和提高投资效益。本文创新地将设备综合效率(Overall Equipment Effectiveness,简称OEE)应用于声表面波滤波器晶圆制造产能诊断中,研究建立了诊断指标体系和计算模型,并应用到某企业工艺线产能提升中。结果表明,产能诊断和改善准确性提升,降低投资额效果明显,可用于帮助企业开展产线建设。 展开更多
关键词 声表面波滤波器晶圆制造生产线 多品种混线 产能瓶颈 OEE
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基于单晶薄膜晶圆的低插损高抑制声表面波滤波器
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作者 罗文汀 陈华志 +5 位作者 潘祺 米佳 肖强 贺艺 陈平静 张婷杨 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期683-687,共5页
针对新一代北斗导航系统对声表面波滤波器提出的低插损、高抑制需求,设计了一种单晶薄膜晶圆膜层结构,并建立了COM数据库和全三维电磁模型。将高频谐振器接入并联电路,在滤波器高端引入一个零点,在不改变原有插损、矩形度的情况下,提升... 针对新一代北斗导航系统对声表面波滤波器提出的低插损、高抑制需求,设计了一种单晶薄膜晶圆膜层结构,并建立了COM数据库和全三维电磁模型。将高频谐振器接入并联电路,在滤波器高端引入一个零点,在不改变原有插损、矩形度的情况下,提升了滤波器的高端带外抑制。所研制的薄膜声表面波滤波器,其中心频率为1 650 MHz,插入损耗为0.65 dB,带外抑制高达61.3 dBc,矩形系数(BW_(-40 dB)/BW_(-1 dB))为1.78,相对带宽为4.15%。 展开更多
关键词 低插入损耗 高带外抑制 单晶薄膜晶圆 薄膜表面波滤波器
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引线无损检测在声表面波滤波器制造工艺中的应用
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作者 林超 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1990年第3期38-39,42,共3页
本文介绍引线无损拉力检测法在声表面波滤波器制造工艺中的应用.运用此法,使声表面波滤波器的上机失效率下降到200ppm.
关键词 表面波 滤波器 制造 无损检测
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一种基于WLP封装的声表面波滤波器 被引量:3
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作者 陈尚权 吕翼 +4 位作者 赵雪梅 董加和 米佳 陈彦光 伍平 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期579-582,共4页
以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装... 以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。 展开更多
关键词 晶圆级封装(WLP) 表面波滤波器 探卡
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SAW滤波器WLP封装中腔体抗模压塌陷研究 被引量:6
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作者 唐代华 金中 +3 位作者 司美菊 罗旋升 谢东峰 谢晓 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第1期84-87,共4页
通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解... 通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表面波滤波器晶圆级封装的新技术。 展开更多
关键词 表面波滤波器 晶圆级封装 灌封 射频前端模组
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基于硅帽键合技术的SAW圆片级封装工艺研究
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作者 舒平 米佳 +4 位作者 雷凯 梁柳洪 林苍海 冷峻林 陈兴 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期520-524,共5页
研究了一种基于硅帽键合技术的声表面波(SAW)滤波器圆片级封装工艺,以满足高频通信系统对封装气密性、机械强度及散热性能的严苛要求。通过优化TSV孔的深硅刻蚀工艺和LT层刻蚀工艺,结合低温PECVD沉积的SiO2钝化层,实现了高气密性、高散... 研究了一种基于硅帽键合技术的声表面波(SAW)滤波器圆片级封装工艺,以满足高频通信系统对封装气密性、机械强度及散热性能的严苛要求。通过优化TSV孔的深硅刻蚀工艺和LT层刻蚀工艺,结合低温PECVD沉积的SiO2钝化层,实现了高气密性、高散热性及高可靠性的封装结构。经可靠性测试表明,与传统聚酰亚胺圆片级封装(WLP)相比,硅帽键合WLP在uHAST后频偏量仅为2M-2.5M(B40频段),优于传统封装的5M-6M。该工艺为高性能SAW滤波器的晶圆级封装提供了可靠的技术支持。 展开更多
关键词 晶圆级封装(WLP) 硅帽 刻蚀 钝化 表面波滤波器
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