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题名一种多衍生结构的新型荷控忆阻模拟器的设计和实现
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作者
徐有朋
付钱华
叶笑平
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机构
西华大学电气与电子信息学院
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出处
《电子器件》
2025年第1期1-7,共7页
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基金
西华大学重点科研基金项目(Z201105)。
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文摘
设计了一款增量型荷控忆阻模拟器,该模拟器使用现有的电子器件实现,降低了忆阻器的生产成本和技术难度。并且该忆阻模拟器(Memristor Emulator,ME)的结构是一个输入电流与输出电流相等的二端电路,可以像普通的二端元件一样直接应用到电路中,解决了部分ME工作时必须接地的限制。此外,为了提升忆阻模拟器的应用能力,在该ME的基础上额外设计了衰减型和伪并联型忆阻模拟器,三种ME可以通过简单的电路改变实现相互转换。最后对所设计的ME进行Pspice软件仿真分析和硬件测试,实验结果表明该荷控忆阻模拟器具有忆阻特性、可以物理实现,并且模拟器的v-i曲线有着多种控制方式。
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关键词
忆阻器
增量型忆阻模拟器
二端电路
二端器件
忆阻器衍生结构
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Keywords
memristor
incremental memristor emulator
two-terminal circuit
two-terminal device
derived structure of memristor
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分类号
TN602
[电子电信—电路与系统]
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