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Ge_xC_(1-x)薄膜在红外增透保护膜系设计和制备中的应用 被引量：10
1
作者 宋建全 刘正堂 +2 位作者 于忠奇 耿东生 郑修麟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期266-268,共3页
用磁控反应溅射 (RS)法制备出 Gex C1 - x薄膜 ,它的折射率可在 1 .6～ 4.0之间变化 .设计出不同厚度的 Gex C1 - x均匀增透膜系和非均匀增透膜系 ,并在 Zn S基片上制备出 Gex C1 - x均匀增透膜系 .设计结果表明 ,均匀膜系能实现某一波... 用磁控反应溅射 (RS)法制备出 Gex C1 - x薄膜 ,它的折射率可在 1 .6～ 4.0之间变化 .设计出不同厚度的 Gex C1 - x均匀增透膜系和非均匀增透膜系 ,并在 Zn S基片上制备出 Gex C1 - x均匀增透膜系 .设计结果表明 ,均匀膜系能实现某一波段范围内增透 ,非均匀膜系能实现宽波段增透 ;当厚度增加时 ,均匀增透膜系的透过率曲线变得急剧振荡 ,非均匀膜系的透过率曲线变得更为平滑 ,且向长波段扩展 .实验结果表明 ,在 8～ 1 1 .5 μm波段 ,Zn S基片双面镀 Gex C1 - x均匀增透膜系后平均透过率为 90 .4% ,比未镀膜的 Zn S基片 (平均透过率为 73.9% )净增加 1 6 .5 % . 展开更多
关键词 薄膜 射频磁控反溅射 红外增透保护膜系
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ZnS头罩增透保护膜系制备 被引量：5
2
作者 宋建全 刘正堂 +2 位作者 于忠奇 耿东生 郑修麟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期203-206,共4页
利用计算机对不同运动轨迹下 Zn S头罩外表面膜厚分布进行了模拟 ,优化出头罩的最佳运动轨迹 ,在该轨轨迹下采用射频磁控反应溅射 (RRFS)法进行头罩镀膜 ,能够得到满足使用要求的薄膜厚度均匀性 .实验结果表明 ,头罩外表面薄膜厚度不均... 利用计算机对不同运动轨迹下 Zn S头罩外表面膜厚分布进行了模拟 ,优化出头罩的最佳运动轨迹 ,在该轨轨迹下采用射频磁控反应溅射 (RRFS)法进行头罩镀膜 ,能够得到满足使用要求的薄膜厚度均匀性 .实验结果表明 ,头罩外表面薄膜厚度不均匀性小于 10 % ,双面镀膜后 ,8～ 11.5 μm波段平均透过率从 6 9.6 %提高到 87.2 %以上 ,透过率的不均匀性小于 1.2 % ,满足了红外应用中对 Zn S头罩的要求 . 展开更多
关键词 头罩 射频磁控溅射 厚度均匀性 红外光学性能 模拟 增透保护膜系 硫化锌 薄膜
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非晶金刚石与非晶碳化锗复合增透保护膜系的设计与实现 被引量：3
3
作者 朱嘉琦 韩杰才 +3 位作者 胡超权 郑伟涛 韩潇 孟松鹤 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期451-454,共4页
为了有效保护硫化锌等红外光学元件并提高其在工作波段的透过率,根据薄膜光学原理进行增透设计,从而获得膜系光学参数;采用射频磁控溅射技术制备非晶碳化锗薄膜,通过调整甲烷流速比调整薄膜的折射率,根据流速比和沉积时间控制膜厚,再用... 为了有效保护硫化锌等红外光学元件并提高其在工作波段的透过率,根据薄膜光学原理进行增透设计,从而获得膜系光学参数;采用射频磁控溅射技术制备非晶碳化锗薄膜,通过调整甲烷流速比调整薄膜的折射率,根据流速比和沉积时间控制膜厚,再用过滤阴极真空电弧技术制备非晶金刚石薄膜,分别改变衬底偏压和沉积时间控制薄膜的折射率和膜厚.利用光谱椭偏仪和台阶仪表征薄膜折射率和膜厚,通过小角X射线反射和X射线光电子谱测试非晶金刚石薄膜的密度和非晶碳化锗薄膜中的锗含量,使用纳米压痕仪和傅里叶红外透射谱仪确定薄膜的硬度和红外透过率.试验表明,非晶金刚石和非晶碳化锗薄膜的折射率分别与薄膜的密度和薄膜中的锗含量密切相关,非晶金刚石与非晶碳化锗复合膜系是硫化锌等红外光学元件性能优异的增透保护膜. 展开更多
关键词 非晶金刚石 非晶碳化锗 增透保护膜 光学性能
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红外增透保护膜系软件设计及应用 被引量：4
4
作者 宋建全 刘正堂 +1 位作者 耿东生 郑修麟 《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期1-3,7,共4页
根据制备红外增透保护膜系需要 ,编制了一个红外增透保护膜系软件。该软件可以设计、计算多层红外均匀增透保护膜系和非均匀增透保护膜系 ,更有强大多层膜系结构分析功能 ,不仅可以对设计的膜系进行综合评价 ,而且能对制备的膜系结构进... 根据制备红外增透保护膜系需要 ,编制了一个红外增透保护膜系软件。该软件可以设计、计算多层红外均匀增透保护膜系和非均匀增透保护膜系 ,更有强大多层膜系结构分析功能 ,不仅可以对设计的膜系进行综合评价 ,而且能对制备的膜系结构进行分析。实验结果表明 。 展开更多
关键词 红外 增透保护膜系 膜系设计 膜系结构 软件 程序设计 DELPHI
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Ge_xC_(1-x)非均匀增透保护膜系的设计和制备 被引量：1
5
作者 宋建全 刘正堂 +1 位作者 耿东生 郑修麟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期253-255,共3页
用射频磁控反应溅射法 (RS)制备出 Gex C1-x薄膜 ,其折射率可以在 1 .7～ 4.0之间变化。设计出单层 Gex C1-x非均匀增透保护膜和含有 Gex C1-x非均匀膜的多层增透保护膜系 ,并在 Zn S基片上制备出 Gex C1-x单层非均匀增透保护膜。设计... 用射频磁控反应溅射法 (RS)制备出 Gex C1-x薄膜 ,其折射率可以在 1 .7～ 4.0之间变化。设计出单层 Gex C1-x非均匀增透保护膜和含有 Gex C1-x非均匀膜的多层增透保护膜系 ,并在 Zn S基片上制备出 Gex C1-x单层非均匀增透保护膜。设计和实验结果表明 ,Zn S衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透 ,在 5 0 0 0～ 85 0 cm-1波数范围内 ,平均透过率从 6 7.1 9%提高到 78.70 % ,比未镀膜净增加 1 1 .5 1 %。 展开更多
关键词 碳化锗薄膜 非无效膜 增透保护膜系 膜系设计 膜系制备
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碳化锗双层膜作为增透保护膜的制备及性能 被引量：1
6
作者 胡超权 王笑夷 +1 位作者 陈红 郑伟涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期339-341,共3页
利用磁控溅射方法在ZnS基底上设计并制备了一种Ge1-xCx双层膜,研究发现双面镀Ge1-xCx双层膜后,ZnS基底在8～11.5μm远红外波段的平均透过率提高了9.5%,硬度提高了近3倍,而且该双层膜还具有良好的热稳定性和耐热冲击能力。研究结果表明,... 利用磁控溅射方法在ZnS基底上设计并制备了一种Ge1-xCx双层膜,研究发现双面镀Ge1-xCx双层膜后,ZnS基底在8～11.5μm远红外波段的平均透过率提高了9.5%,硬度提高了近3倍,而且该双层膜还具有良好的热稳定性和耐热冲击能力。研究结果表明,此Ge1-xCx双层膜是一种高效的ZnS红外窗口增透保护膜。 展开更多
关键词 碳化锗 ZnS红外窗口 增透保护膜
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多波段红外增透与保护膜技术的研究 被引量：8
7
作者 付秀华 姜会林 +1 位作者 付新华 王崇娥 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1183-1185,共3页
采用电子束真空镀膜和离子辅助沉积的方法，在口径φ150mm，厚度6mm．且具有较大曲率的多光谱ZnS导流罩上，镀制红外增透保护膜。所镀膜层在3～5μm平均透过率高于90％，在8～10μm平均透过率高于92％，并且能够承受恶劣的环境测试。
关键词 工程通用技术 红外增透与保护膜 真空镀膜 离子辅助沉积
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超硬非晶碳薄膜用作红外增透膜的研究
8
作者 郭建 杨益民 杨国伟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期419-421,共3页
用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。对膜进行了表面形貌观察、显微硬度测试 ,测试并分析了膜的Raman光谱和傅立叶变换红外光谱。发现膜含微晶石墨杂质较少 ,具有硬度高、化学惰性等优点 ,适应于制作硅衬... 用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。对膜进行了表面形貌观察、显微硬度测试 ,测试并分析了膜的Raman光谱和傅立叶变换红外光谱。发现膜含微晶石墨杂质较少 ,具有硬度高、化学惰性等优点 ,适应于制作硅衬底上波长低于 展开更多
关键词 超硬非晶碳薄膜 红外增透膜 激光烧蚀 增透保护膜
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非平衡磁控溅射DLC薄膜应力研究 被引量：2
9
作者 杭凌侠 Y.YIN +1 位作者 徐均琪 李建超 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1-5,26,共6页
类金刚石(DLC) 薄膜可用作红外增透保护膜,高的薄膜残余应力造成薄膜附着力下降是目前应用中存在的主要问题之一.本文从DLC薄膜作为红外增透保护膜的需求出发,采用非平衡磁控溅射技术生长DLC薄膜.实测了薄膜的残余应力,分析研究了薄膜... 类金刚石(DLC) 薄膜可用作红外增透保护膜,高的薄膜残余应力造成薄膜附着力下降是目前应用中存在的主要问题之一.本文从DLC薄膜作为红外增透保护膜的需求出发,采用非平衡磁控溅射技术生长DLC薄膜.实测了薄膜的残余应力,分析研究了薄膜残余应力在不同工艺条件下的变化情况.探讨了薄膜残余应力与薄膜厚度、光学透过率、离子能量、沉积速率以及能流密度之间的关系.研究结果表明,薄膜残余应力平衡值在0.9～2.2GPa之间,相应的单面镀膜样片的透过率在4μm波长处为69% ～ 63%,随工艺的不同而变化.工艺优化后薄膜残余应力显著下降.硅基底上薄膜与基底剥离的力的临界值大于2160GPa·nm,最大薄膜厚度≥ 2400nm;锗基底上最大薄膜厚度≥ 2000nm,可以满足整个红外波段的需求. 展开更多
关键词 应力 类金刚石薄膜 非平衡磁控溅射 红外增透保护膜
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GaP薄膜的制备与性能研究
10
作者 宋建全 刘正堂 +2 位作者 郭大刚 耿东生 郑修麟 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期27-30,共4页
利用磁控溅射法成功地制备出 Ga P薄膜 ,并对 Ga P薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究。结果表明 ,沉积薄膜中 Ga与 P的原子比接近 1∶ 1,形成了 Ga P化合物 ,呈非晶态结构。设计并制备出 Ga P/ DL C复合膜系 ,结果表... 利用磁控溅射法成功地制备出 Ga P薄膜 ,并对 Ga P薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究。结果表明 ,沉积薄膜中 Ga与 P的原子比接近 1∶ 1,形成了 Ga P化合物 ,呈非晶态结构。设计并制备出 Ga P/ DL C复合膜系 ,结果表明该膜系在 8～ 11.5 μm波段对 Zn S衬底具有明显的增透效果。制备的 Ga P薄膜的硬度明显高于 Zn S衬底的硬度 ,且与 Zn S衬底结合牢固 。 展开更多
关键词 GaP薄膜 射频磁控溅射 增透保护膜系 制备 磷化镓薄膜 性能 硫化锌基片
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