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集总有耗增益补偿网络的机助综合
1
作者
朱力忠
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1991年第1期117-120,共4页
1集总有耗增益补偿网络的综合到目前为止,集总参数的网络大致可分为:(1)由电感、电容和理想变压器构成的无耗网络LN1;(2)由电感、电容、电阻和理想变压器组成的有耗网络LN2;(3)由理想变压1器和任意非均匀有耗电感及电容组成的网络LN3,...
1集总有耗增益补偿网络的综合到目前为止,集总参数的网络大致可分为:(1)由电感、电容和理想变压器构成的无耗网络LN1;(2)由电感、电容、电阻和理想变压器组成的有耗网络LN2;(3)由理想变压1器和任意非均匀有耗电感及电容组成的网络LN3,此网络可用文[1]提出的方法由网络LN变换得;(4)含理想变压器和任意非均匀有耗电感、电容及有抗电阻的网络LN4,它可用作微波单片集成宽带放大器的有耗增益补偿网络。在有耗网络的综合中,最重要的问题是能否找到有耗网络参数。如果网络无耗,则由著名的Belevitch关系式可得网络的散射参数表达式;若网络有耗。
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关键词
网络
有耗
增益补偿网络
有助综合
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职称材料
一种平坦高增益的宽带低噪声放大器设计
被引量：
4
2
作者
商锋
李亚军
樊红宛
《西安邮电大学学报》
2017年第4期57-61,共5页
针对宽带低噪声放大器带宽内增益波动性大的问题,设计一种平坦高增益的宽带低噪声放大器。采用两级放大器级联形式,在第一级放大电路中引入负反馈电路,设计ATF-54143的偏置电路并分析其稳定性。在两级放大电路之间添加增益补偿网络,改...
针对宽带低噪声放大器带宽内增益波动性大的问题,设计一种平坦高增益的宽带低噪声放大器。采用两级放大器级联形式,在第一级放大电路中引入负反馈电路,设计ATF-54143的偏置电路并分析其稳定性。在两级放大电路之间添加增益补偿网络,改善宽带低噪声放大器的阻抗匹配和增益平坦度。仿真结果表明,在0.9~2.5GHz频率范围内,该宽带低噪声放大器的增益为(30.0±0.3)dB,噪声系数小于1.5dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,达到设计要求。在误差允许范围内,实物测试结果与仿真结果相符合。
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关键词
宽带
低噪声放大器
平坦度
负反馈
增益补偿网络
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职称材料
用于毫米波相控阵的U波段10W GaN功率放大器MMIC
被引量：
1
3
作者
柯鸣岗
阮文州
+1 位作者
夏侯海
杨卅男
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期605-610,共6页
基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(G...
基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(GCN),并与偏置网络结合,提高电路稳定性的同时可降低插入损耗;输出级匹配电路使用威尔金森功率合成器及簇丛式结构实现8路功率合成,同时保证阻抗匹配效果及漏极供电能力,提高放大器的输出功率与效率。测试结果表明,在40~50 GHz工作频带内,在栅极工作电压为-1.4 V,漏极工作电压28 V的工作条件下,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于40 dBm,功率增益大于15 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于2,功率附加效率(PAE)大于20%。
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关键词
功率放大器
GAN
U波段
增益补偿网络
(GCN)
功率合成
单片微波集成电路(MMIC)
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职称材料
题名
集总有耗增益补偿网络的机助综合
1
作者
朱力忠
机构
东南大学无线电工程系
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1991年第1期117-120,共4页
文摘
1集总有耗增益补偿网络的综合到目前为止,集总参数的网络大致可分为:(1)由电感、电容和理想变压器构成的无耗网络LN1;(2)由电感、电容、电阻和理想变压器组成的有耗网络LN2;(3)由理想变压1器和任意非均匀有耗电感及电容组成的网络LN3,此网络可用文[1]提出的方法由网络LN变换得;(4)含理想变压器和任意非均匀有耗电感、电容及有抗电阻的网络LN4,它可用作微波单片集成宽带放大器的有耗增益补偿网络。在有耗网络的综合中,最重要的问题是能否找到有耗网络参数。如果网络无耗,则由著名的Belevitch关系式可得网络的散射参数表达式;若网络有耗。
关键词
网络
有耗
增益补偿网络
有助综合
Keywords
loss, lumped circuit, transformation, network synthesis / computer-aided synthesis
分类号
TN711 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种平坦高增益的宽带低噪声放大器设计
被引量：
4
2
作者
商锋
李亚军
樊红宛
机构
西安邮电大学电子工程学院
出处
《西安邮电大学学报》
2017年第4期57-61,共5页
文摘
针对宽带低噪声放大器带宽内增益波动性大的问题,设计一种平坦高增益的宽带低噪声放大器。采用两级放大器级联形式,在第一级放大电路中引入负反馈电路,设计ATF-54143的偏置电路并分析其稳定性。在两级放大电路之间添加增益补偿网络,改善宽带低噪声放大器的阻抗匹配和增益平坦度。仿真结果表明,在0.9~2.5GHz频率范围内,该宽带低噪声放大器的增益为(30.0±0.3)dB,噪声系数小于1.5dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,达到设计要求。在误差允许范围内,实物测试结果与仿真结果相符合。
关键词
宽带
低噪声放大器
平坦度
负反馈
增益补偿网络
Keywords
broadband, low noise amplifier, flatness, negative feedback, gain-compensating network
分类号
TN722.1 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
用于毫米波相控阵的U波段10W GaN功率放大器MMIC
被引量：
1
3
作者
柯鸣岗
阮文州
夏侯海
杨卅男
机构
中国电子科技集团公司第十四研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期605-610,共6页
文摘
基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(GCN),并与偏置网络结合,提高电路稳定性的同时可降低插入损耗;输出级匹配电路使用威尔金森功率合成器及簇丛式结构实现8路功率合成,同时保证阻抗匹配效果及漏极供电能力,提高放大器的输出功率与效率。测试结果表明,在40~50 GHz工作频带内,在栅极工作电压为-1.4 V,漏极工作电压28 V的工作条件下,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于40 dBm,功率增益大于15 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于2,功率附加效率(PAE)大于20%。
关键词
功率放大器
GAN
U波段
增益补偿网络
(GCN)
功率合成
单片微波集成电路(MMIC)
Keywords
power amplifier
GaN
U-band
gain compensation network(CCN)
power combination
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集总有耗增益补偿网络的机助综合
朱力忠
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1991
0
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职称材料
2
一种平坦高增益的宽带低噪声放大器设计
商锋
李亚军
樊红宛
《西安邮电大学学报》
2017
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
用于毫米波相控阵的U波段10W GaN功率放大器MMIC
柯鸣岗
阮文州
夏侯海
杨卅男
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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