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一种高增益宽频带的增益自举运算放大器被引量：2: 1; 作者王晋雄刘力源李冬梅《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1007-1010,共4页; 设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆... 展开更多; 关键词增益自举共源共栅增益带宽积输出摆幅优值密勒补偿; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管被引量：3: 2; 作者顾宇强谭明 +3 位作者吴渊渊卢建娅李雪飞陆书龙《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期715-720,共6页; 通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致。在获得0.85 ... 展开更多; 关键词雪崩光电二极管增益带宽积暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种适用于高速高精度流水线ADC的放大器被引量：5: 3; 作者黄显洋李树荣姚素英《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期131-134,共4页; 本文提出了一种新颖的放大器结构.它由两部分组成:前面为跨导放大器,后面则是由电阻反馈形成的跨阻放大器,两种放大器的组合构成了具有高输入阻抗、低输出阻抗的电压放大器.与普通放大器不同的是,在我们设计的工作条件下,它输出端的极... 展开更多; 关键词放大器增益带宽积流水线模数转换器; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型双宽带共栅-共源低噪声放大器设计: 4; 作者艾明李正民《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第3期620-626,共7页; 为适应各种核探测器输出电信号放大电路的需求,设计了一种新型双宽带共栅-共源低噪声放大器。该放大器利用宽频带输入阻抗匹配网络和一种新的增益-带宽积优化技术,通过减小共栅-共源CMOS器件的寄生电容来优化双宽带LNA在高频带的GBW,从... 展开更多; 关键词核探测器双频带共栅-共源CMOS 低噪声放大器阻抗匹配网络增益带宽积噪声系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同Ge组分a-Si_(1-x)Ge_(x)键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响被引量：2: 5; 作者周锦荣鲍诗仪 +2 位作者佘实现黄志伟柯少颖《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期118-127,共10页; 采用非晶半导体中间层键合(SIB)实现键合界面失配晶格的阻断是实现高质量Si基InGaAs薄膜制备的最佳选择。本文在InGaAs/Si键合界面插入一层非晶锗硅(a-Si_(1-x)Ge_(x))键合层,模拟了不同Ge组分对InGaAs/Si APD复合率、能带、隧穿、电荷... 展开更多; 关键词 InGaAs/Si雪崩光电二极管 a-SiGe键合层暗电流增益带宽积; 在线阅读下载PDF 职称材料

单运放电流型二阶有源滤波电路: 6; 作者卢辉斌翁建华 +1 位作者袁石文温淑慧《燕山大学学报》 CAS 1998年第4期345-347,共3页; 提出两种使用单运放的电流型滤波电路,每种电路均可同时实现带通、低通和高通滤波功能,; 关键词运算放大器带宽增益积有源滤波器; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体前置光放大器的设计和制作要点: 7; 作者李洵左成亮董智星《中兴通讯技术》 2018年第4期15-20,共6页; 介绍了用于接收端探测器前置放大的半导体光放大器的核心设计要点及其与普通半导体激光器在实际制作中的几个不同点。半导体前置光放大器的设计核心是如何抑制其中的自发辐射并被伴随放大的噪声,对于边入射型的器件还要考虑其增益偏振... 展开更多; 关键词半导体光放大器接收端前置放大 ASE噪声增益偏振相关度增益-带宽积饱和功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高增益宽频带的增益自举运算放大器被引量：2: 1; 作者王晋雄刘力源李冬梅; 机构清华大学微电子研究所清华大学电子工程系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1007-1010,共4页; 基金 "十一五"863计划重点项目(2008AA010700); 文摘设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅。该设计采用UMC0.18μmCMOS工艺,版图面积为320μm×260μm。仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz.pF/mA。; 关键词增益自举共源共栅增益带宽积输出摆幅优值密勒补偿; Keywords gain-boosting cascode gain-band width（GBW） voltage output swing figure of merit（FOM） miller compensation; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管被引量：3: 2; 作者顾宇强谭明吴渊渊卢建娅李雪飞陆书龙; 机构中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期715-720,共6页; 基金 Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2018YFB2003305) the Key R&D Program of Jiangsu Province(BE2018005) +2 种基金 the Support From SINANO(Y8AAQ11003) Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK20180252)。; 文摘通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致。在获得0.85 A/W的高响应和155 GHz的增益带宽积的同时,器件暗电流低于19 nA。这项研究对雪崩光电二极管在未来高速传输的应用具有重要意义。; 关键词雪崩光电二极管增益带宽积暗电流; Keywords avalanche photodiodes(APDs) gain-bandwidth product(GBP) dark current; 分类号 O436 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适用于高速高精度流水线ADC的放大器被引量：5: 3; 作者黄显洋李树荣姚素英; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期131-134,共4页; 文摘本文提出了一种新颖的放大器结构.它由两部分组成:前面为跨导放大器,后面则是由电阻反馈形成的跨阻放大器,两种放大器的组合构成了具有高输入阻抗、低输出阻抗的电压放大器.与普通放大器不同的是,在我们设计的工作条件下,它输出端的极点几乎不受负载电容的影响.用该放大器作为预放大级,驱动一单级主放大器所构成的两级运放在负载电容为4pf的情况下实现了超过1GHz的增益带宽积,瞬态分析的结果表明它可以在10ns内达到0.01%的精度(闭环增益为8),而功耗仅有25mW,远低于同性能其他结构的放大器,非常适合作为高速高精度流水线模数转换器中的首级余量放大器使用.; 关键词放大器增益带宽积流水线模数转换器; Keywords amplifier gain bandwidth product pipelined analog to digital converter; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型双宽带共栅-共源低噪声放大器设计: 4; 作者艾明李正民; 机构郑州升达经贸管理学院郑州大学; 出处《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第3期620-626,共7页; 基金河南省科技攻关项目(222102210290) 河南省重点研发与推广专项(192102310474)资助。; 文摘为适应各种核探测器输出电信号放大电路的需求,设计了一种新型双宽带共栅-共源低噪声放大器。该放大器利用宽频带输入阻抗匹配网络和一种新的增益-带宽积优化技术,通过减小共栅-共源CMOS器件的寄生电容来优化双宽带LNA在高频带的GBW,从而实现带宽和增益之间很好的权衡,并获得理想的噪声性能。实验结果表明,在低频带模式和高频带模式下,-3 dB的带宽和峰值增益分别为3.0~4.7 GHz和13.3 dB,7.2~9.3 GHz和13.5 dB;在低频带模式和高频带模式下,测得的最小NF分别为4.48 dB和6.19 dB。; 关键词核探测器双频带共栅-共源CMOS 低噪声放大器阻抗匹配网络增益带宽积噪声系数; Keywords nuclear detector dual-band common gate-common source CMOS low noise amplifier impedance matching network gain-bandwidth product noise figure; 分类号 TN722.7 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同Ge组分a-Si_(1-x)Ge_(x)键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响被引量：2: 5; 作者周锦荣鲍诗仪佘实现黄志伟柯少颖; 机构闽南师范大学物理与信息工程学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期118-127,共10页; 基金 National Natural Science Foundation of China(Nos.62004087,12164051) Natural Science Foundation of Fujian Province(No.2020J01815) the Natural Science Foundation of Zhangzhou(No.ZZ2020J32).; 文摘采用非晶半导体中间层键合(SIB)实现键合界面失配晶格的阻断是实现高质量Si基InGaAs薄膜制备的最佳选择。本文在InGaAs/Si键合界面插入一层非晶锗硅(a-Si_(1-x)Ge_(x))键合层,模拟了不同Ge组分对InGaAs/Si APD复合率、能带、隧穿、电荷堆积等参数的影响。器件在室温下获得极低的暗电流(~10^(-10) A@95%雪崩电压),增益和增益带宽积分别高达30 GHz和60 GHz。本文将为低噪声近红外APD的研制提供理论指导。; 关键词 InGaAs/Si雪崩光电二极管 a-SiGe键合层暗电流增益带宽积; Keywords InGaAs/Si APD a-SiGe bonding layer Dark current Gain bandwidth; 分类号 TN315 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单运放电流型二阶有源滤波电路: 6; 作者卢辉斌翁建华袁石文温淑慧; 机构燕山大学计算机与信息; 出处《燕山大学学报》 CAS 1998年第4期345-347,共3页; 文摘提出两种使用单运放的电流型滤波电路,每种电路均可同时实现带通、低通和高通滤波功能,; 关键词运算放大器带宽增益积有源滤波器; Keywords operational amplifers, gain-bandwidth product, circuit-mode, active filter,; 分类号 TN713.8 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体前置光放大器的设计和制作要点: 7; 作者李洵左成亮董智星; 机构山东大学麦克马斯特大学华中科技大学武汉光电国家实验室武汉光电国家研究中心; 出处《中兴通讯技术》 2018年第4期15-20,共6页; 文摘介绍了用于接收端探测器前置放大的半导体光放大器的核心设计要点及其与普通半导体激光器在实际制作中的几个不同点。半导体前置光放大器的设计核心是如何抑制其中的自发辐射并被伴随放大的噪声,对于边入射型的器件还要考虑其增益偏振相关性的消除。半导体光放大器一般具有少阱和低光场限制因子的长增益区结构,在这点上它与高速直调半导体激光器有着最大的区别。; 关键词半导体光放大器接收端前置放大 ASE噪声增益偏振相关度增益-带宽积饱和功率; Keywords semiconductor optical amplifier receiver pre-amplifier ASE noise gain polarization correlation gain bandwidth product saturation power; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种高增益宽频带的增益自举运算放大器	王晋雄刘力源李冬梅	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管	顾宇强谭明吴渊渊卢建娅李雪飞陆书龙	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种适用于高速高精度流水线ADC的放大器	黄显洋李树荣姚素英	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型双宽带共栅-共源低噪声放大器设计	艾明李正民	《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	不同Ge组分a-Si_(1-x)Ge_(x)键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响	周锦荣鲍诗仪佘实现黄志伟柯少颖	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	单运放电流型二阶有源滤波电路	卢辉斌翁建华袁石文温淑慧	《燕山大学学报》 CAS	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	半导体前置光放大器的设计和制作要点	李洵左成亮董智星	《中兴通讯技术》	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料