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题名瞬态退火中高密度缺陷对As增强扩散作用模型分析
被引量：1
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作者
张通和
吴瑜光
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机构
北京师范大学低能核物理研究所
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出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1988年第4期33-40,共8页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10^(16)cm^(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1～12s期间的发展过程。结果表明。在最初1～3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。
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关键词
离子注入
瞬太退火
增强扩散模型
高密度缺陷
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Keywords
rapid thermal annealing, ion implantation, a model of enhanced diffusion, high density defects.
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分类号
F2
[经济管理—国民经济]
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